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2SB1197KR PNP-Bipolartransistor
2SB1197KR PNP-Bipolartransistor
Produktübersicht
Der 2SB1197KR ist ein PNP-Bipolartransistor von Slkor, der sich für diverse Anwendungen mit geringem Stromverbrauch eignet. Er zeichnet sich durch eine moderate Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung, geringen Stromverbrauch und hohe Gleichstromverstärkung aus. Das Gehäuse ist ein SOT-23, wodurch er für die Oberflächenmontage geeignet ist.
Schlüsseleigenschaften
Transistortyp: PNP – Bipolartransistor vom PNP-Typ. Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (V<sub>CE0</sub>): 32 V – Bietet eine moderate Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung. Kollektorstrom (I<sub>C</sub>): 800 mA – Bietet eine moderate Belastbarkeit. Verlustleistung (PT): 200 mW – Optimiert für Anwendungen mit geringer Leistung. Kollektor-Sperrstrom (I<sub>CBO</sub>): 0.5 μA – zeichnet sich durch einen niedrigen Sperrstrom aus. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V<sub>CE(sat)@I<sub>C</sub>,I<sub>B</sub>): 0.4 V bei 500 mA, 50 mA – Design mit niedriger Sättigungsspannung. Gleichstromverstärkung (h<sub>FE@I<sub>C</sub>,V<sub>CE</sub>): 390 bei 100 mA, 3 V – Bietet eine hohe Gleichstromverstärkung. Grenzfrequenz (f<sub>T</sub>): 150 MHz – Geeignet für allgemeine Niederfrequenzanwendungen. Betriebstemperatur: -55 °C bis +150 °C – Geeignet für einen breiten Temperaturbereich. Gehäuse: SOT-23 – Für Oberflächenmontage.
Anwendungsgebiete
- Elektronische Geräte mit geringem Stromverbrauch - Verstärker und Verstärkerschaltungen - Lasertreiber - LED-Treiber - Automobilelektronik
Leistungsvorteile
- Moderate Durchbruchspannung: Die Durchbruchspannung von 32 V eignet sich für Anwendungen im mittleren und niedrigen Spannungsbereich. - Moderate Belastbarkeit: Der Kollektorstrom von 800 mA ist für Anwendungen mit geringem Leistungsbedarf geeignet. - Geringer Stromverbrauch: Die Verlustleistung von 200 mW ermöglicht den Einsatz in Anwendungen mit geringem Stromverbrauch. - Niedriger Abschaltstrom: Der Abschaltstrom von 0.5 μA trägt zur Reduzierung des Stromverbrauchs bei. - Niedrige Sättigungsspannung: Die Sättigungsspannung von 0.4 V trägt zu geringeren Leistungsverlusten bei. - Hohe Gleichstromverstärkung: Mit einer Gleichstromverstärkung von 390 eignet sich die Schaltung hervorragend für Verstärkerschaltungen.
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung
Unterstützung
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Langlebigkeit
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13001 NPN-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
13001S NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2N2222A NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2N3904 NPN BJT Transistor TO-92
Marke: slkor，
2N3906 NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2N5401 PNP-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 600mA
2N5551 NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 600mA
2SA1015-B PNP-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2SA1037-R PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor，
2SA1162-Y PNP-Bipolartransistor
Marke: slkor，
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Das Produktsortiment von SLKOR umfasst diskrete Bauelemente wie Dioden, Transistoren und Leistungshalbleiter sowie integrierte Schaltkreise wie Linearregler, DC/DC-Wandler, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS. Wir verfügen über jahrelange Erfahrung in der Halbleitertechnik.
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