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BFG520/XR Transistor epitassiale al silicio SOT-143R

Marchio: Slkor

Modello: BFG520/XR-A

Confezione: SOT-143R

Metodo di imballaggio per la spedizione: nastro adesivo

Peso lordo: 0.035175 grammi (g)


I nostri vantaggi

I processi di produzione cinesi hanno subito anni di iterazione, dando vita a tecnologie mature e affidabili. Molte aziende internazionali optano per l’outsourcing della produzione in Cina. In qualità di produttore di componenti elettronici in Cina, i nostri prodotti possono sostituire completamente quelli dei principali marchi internazionali nel 99% delle applicazioni senza la necessità di test di verifica. I nostri prodotti vantano un'elevata coerenza in termini di qualità, prezzi ragionevoli, ampio inventario, fornitura flessibile, tempi di consegna brevi e servizio post-vendita professionale. 


Descrizione
● Il chip è realizzato con il processo di epitassia del silicio, con caratteristiche quali elevato guadagno di potenza, banda larga, basso rumore, bassa corrente di dispersione e piccola capacità di giunzione; inoltre, presenta intervalli dinamici relativamente ampi e caratteristiche di linearità di corrente ideali;
● Trova applicazione principalmente negli amplificatori a basso rumore a banda larga ad altissima frequenza per microonde, VHF, UHF e CATV, come ad esempio i sintonizzatori per la televisione satellitare, gli amplificatori CATV, i telefoni cordless analogici e digitali, gli amplificatori ad alta frequenza nei moduli a radiofrequenza e nei moduli ottici;
● Tensione di rottura collettore-emettitore: BVCEO=15V, corrente massima del collettore: IC=70mA, dissipazione di potenza del collettore: PC=300mW, frequenza caratteristica: fT=9GHz;
amplificatori in moduli a radiofrequenza e moduli ottici;
● La superficie dei pin SOT143B o SOT143R (il pin del collettore largo e il pin del doppio emettitore) è incollata con una confezione di plastica;
● I modelli ON4973/X e BFG520/X hanno le stesse prestazioni, lo stesso packaging e la stessa serigrafia, differendo solo per il modello riportato sulle etichette.

Caratteristiche:

● Tipo: Transistor al silicio epitassiale
● Vceo: 15 V (tensione collettore-emettitore)
● Ic: 70 mA (corrente collettore)
● Pd: 300 mW (dissipazione di potenza)
● fT: 9GHz (frequenza di transizione)
● Pacchetto: generalmente disponibile in SOT-143 o pacchetti compatti simili

applicazioni:
Il transistor BFG520/XR trova applicazione in vari circuiti elettronici ad alta frequenza, tra cui:

● Amplificazione RF: ideale per amplificare i segnali nei circuiti RF che funzionano fino a 9 GHz.
● Comunicazione wireless: utilizzata in trasmettitori e ricevitori per sistemi di comunicazione wireless.
● Circuiti a microonde: adatti per circuiti amplificatori e oscillatori a microonde.
● Elaborazione del segnale: fornisce funzionalità di elaborazione del segnale ad alta velocità nei circuiti digitali e analogici.
● Attrezzatura di prova: utilizzata in apparecchiature di prova e misurazione che richiedono prestazioni ad alta frequenza.



Nome
Titolo
Descrizione
BFG520.pdf
-
Datasheet
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