Hotline
● Gestion des courants élevés
● Capacité haute tension
● Faible résistance à l'état passant et dissipation de puissance élevée
Description
Le SL18N20 est un transistor VDMOSFET à canal N en silicium, fabriqué grâce à une technologie planaire auto-alignée qui réduit les pertes par conduction, améliore les performances de commutation et augmente l'énergie d'avalanche. Ce transistor peut être utilisé dans divers circuits de commutation de puissance pour la miniaturisation des systèmes et l'obtention d'un rendement supérieur.
Fonctionnalité
● VDS = 200 V, ID = 18 A
● RDS(ON) < 150 mΩ à VGS = 10 V (Type : 120 mΩ)
Application
● Alimentation sans interruption (ASI)
● Correction du facteur de puissance (PFC)
Assistance
Si vous avez besoin d'assistance technique ou en matière de conception, veuillez nous le faire savoir et remplir le formulaire de réponse. Nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.















