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Transistor bipolaire SOT-2 1386SB89-R PNP
Le transistor numérique PNP 2SB1386-R est un dispositif polyvalent optimisé pour les opérations à courant élevé et haute fréquence. Avec une tension collecteur-émetteur (VCE) maximale de 20 V et un courant de collecteur continu (Ic) de 5 A, il est bien adapté aux applications d'amplification de puissance et de commutation. Ce transistor présente une faible tension de saturation (VCE(sat)) de 0.35 V à un courant de collecteur de 4 A et un courant de base de 0.1 A, garantissant une perte de puissance minimale et des performances efficaces.
Nos avantages
Les processus de fabrication chinois ont subi des années d’itération, aboutissant à des technologies matures et fiables. De nombreuses entreprises internationales optent pour l’externalisation de leur production en Chine. En tant que fabricant de composants électroniques en Chine, nos produits peuvent remplacer entièrement ceux des grandes marques internationales dans 99 % des applications sans avoir besoin de tests de vérification. Nos produits offrent une qualité élevée, des prix raisonnables, un inventaire important, un approvisionnement flexible, des délais de livraison courts et un service après-vente professionnel.
Description :
Le transistor numérique PNP 2SB1386-R est un composant polyvalent optimisé pour les applications à courant et fréquence élevés. Avec une tension collecteur-émetteur maximale (V<sub> CE </sub>) de 20 V et un courant de collecteur continu (I<sub> C</sub> ) de 5 A, il est parfaitement adapté aux applications d'amplification de puissance et de commutation. Ce transistor présente une faible tension de saturation (V<sub> CE(sat)</sub> ) de 0.35 V à un courant de collecteur de 4 A et un courant de base de 0.1 A, garantissant ainsi des pertes de puissance minimales et un rendement élevé.
Fonctionnalités
Faible VCE (sat).
● VCE(sat) = -0.35V (Typ.)
● (IC/IB = -4A / -0.1A)
● Excellent gain en courant continu
● Type épitaxial planaire
● Transistor au silicium PNP
Application:
Le transistor numérique PNP 2SB1386-R est parfaitement adapté à une variété d'applications électroniques, notamment :
● Circuits de commutation : Commutation efficace de courants élevés avec une perte de puissance minimale, ce qui les rend adaptés aux systèmes de gestion et de contrôle de l'énergie.
● Amplification : Fournir une amplification fiable et à haute fréquence pour les applications audio, RF et autres applications de traitement du signal.
● Circuits d'alimentation : Améliorent les performances des alimentations et des régulateurs grâce à leur faible tension de saturation et leurs capacités de gestion de courant élevées.
● Commande de moteur : Idéal pour la commande de moteurs et autres charges inductives dans diverses applications industrielles et grand public.
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Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.
13001 Transistor bipolaire NPN SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
2SC3357RF
Marque: slkor，
2SC3585R45
Marque: slkor，
2SC4228R45
Marque: slkor，
BCX52-16 Transistors de puissance moyenne 60 V, 1 A PNP SOT-89
Marque: slkor， VCEO(V)： 60V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： null- Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 1A
MMBT1616AK NPN Transistor bipolaire SOT-23
Marque: slkor，
MMBT2222A
Marque: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 225mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 600mA
MMBT2907 Transistor bipolaire PNP SOT-23
Marque: slkor，
MMBT4401 Transistor bipolaire NPN SOT-23
Marque: slkor，
MMBT4403 Transistor bipolaire PNP SOT-23
Marque: slkor，
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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