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Transistor bipolare PNP 2SB1386-R SOT-89
Il transistor digitale PNP 2SB1386-R è un dispositivo versatile ottimizzato per operazioni ad alta corrente e alta frequenza. Con una tensione collettore-emettitore (VCE) massima di 20 V e una corrente di collettore continua (Ic) nominale di 5 A, è adatto per applicazioni di amplificazione di potenza e commutazione. Questo transistor presenta una bassa tensione di saturazione (VCE(sat)) di 0.35 V a 4 A di corrente di collettore e 0.1 A di corrente di base, garantendo una perdita di potenza minima e prestazioni efficienti.
I nostri vantaggi
I processi di produzione cinesi hanno subito anni di iterazione, dando vita a tecnologie mature e affidabili. Molte aziende internazionali optano per l’outsourcing della produzione in Cina. In qualità di produttore di componenti elettronici in Cina, i nostri prodotti possono sostituire completamente quelli dei principali marchi internazionali nel 99% delle applicazioni senza la necessità di test di verifica. I nostri prodotti vantano un'elevata coerenza in termini di qualità, prezzi ragionevoli, ampio inventario, fornitura flessibile, tempi di consegna brevi e servizio post-vendita professionale.
Descrizione:
Il transistor digitale PNP 2SB1386-R è un dispositivo versatile ottimizzato per operazioni ad alta corrente e alta frequenza. Con una tensione collettore-emettitore (VCE) massima di 20 V e una corrente di collettore continua (Ic ) nominale di 5 A, è ideale per applicazioni di amplificazione di potenza e commutazione. Questo transistor presenta una bassa tensione di saturazione (VCE (sat) ) di 0.35 V a una corrente di collettore di 4 A e una corrente di base di 0.1 A, garantendo perdite di potenza minime e prestazioni efficienti.
CARATTERISTICHE
Basso VCE(sat).
● VCE(sat) = -0.35V (tip.)
● (IC/IB = -4A / -0.1A)
● Eccellente guadagno di corrente continua
● Tipo epitassiale planare
● Transistor al silicio PNP
Applicazione:
Il transistor digitale PNP 2SB1386-R è perfettamente adatto a una varietà di applicazioni elettroniche, tra cui:
● Circuiti di commutazione: Commutano in modo efficiente correnti elevate con perdite di potenza minime, risultando adatti per sistemi di gestione e controllo dell'energia.
● Amplificazione: Fornisce un'amplificazione affidabile e ad alta frequenza per applicazioni audio, RF e di elaborazione del segnale.
● Circuiti di alimentazione: Migliora le prestazioni di alimentatori e regolatori grazie alla bassa tensione di saturazione e all'elevata capacità di gestione della corrente.
● Controllo motori: ideale per azionare motori e altri carichi induttivi in diverse applicazioni industriali e di consumo.
Nome
Titolo
Descrizione
Datasheet
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.
13001 Transistor bipolare NPN SOT-23
Brand: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
13001S Transistor bipolare NPN TO-92
Brand: slkor，
2SA1015-B Transistor bipolare PNP TO-92
Brand: slkor，
2SA1037-R Transistor bipolare PNP SOT-23
Brand: slkor，
2SA1661-Y Transistor bipolare PNP SOT-89
Brand: slkor，
2SB1261 Transistor bipolare PNP
Brand: slkor，
2SC1623 Transistor bipolare NPN SOT-23
Brand: slkor，
2SC1815 Transistor planare epitassiale al silicio TO-92
Brand: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 400mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 250mV fT(MHz)(fT(MHz))： 80MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 150mA
2SC2078 Transistor bipolare NPN TO-220
Brand: slkor，
2SC2712-Y Transistor bipolare NPN SOT-23
Brand: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 150mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 250mV fT(MHz)(fT(MHz))： 80MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 150mA
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SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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