Layanan Hotline
● Teknologi MOSFET MV Trench Power
● Paket luar biasa untuk pembuangan panas
● Desain sel dengan kepadatan tinggi untuk RDS(on) rendah
SL10N10A adalah MOSFET kanal-N tegangan menengah dengan tegangan drain-source (Vdss) 100 V dan arus drain kontinu (Id) 10 A. Resistansi on-state-nya (RDS(on) @ Vgs, Id) adalah 95 mΩ @ 10 V, 10 A, dan tegangan ambang gerbang (Vgs(th) @ Id) adalah 3 V @ 250 µA. Dengan karakteristik switching dan stabilitas termal yang sangat baik, perangkat ini cocok untuk aplikasi frekuensi tinggi, efisiensi tinggi, dan keandalan tinggi seperti catu daya switching dan inverter.
Bantuan
Jika Anda memerlukan dukungan desain/teknis, beri tahu kami dan isi Formulir Tanggapan. Kami akan menghubungi Anda sesegera mungkin.
Umur panjang
Program Keberlangsungan Produk bertujuan untuk memberikan informasi kepada pelanggan kami dari waktu ke waktu tentang perkiraan waktu pemesanan produk kami. Program Keberlangsungan Produk ini ditinjau dan diperbarui secara berkala oleh Tim Manajemen Eksekutif kami. Lihat program keberlangsungan produk kami di sini.















