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SL10N10A MOSFET di potenza a canale N SOT-223
● Tecnologia Trench Power MV MOSFET
● Pacchetto eccellente per la dissipazione del calore
● Design delle celle ad alta densità per un basso RDS(on)
Presentazione prodotto
L'SL10N10A è un MOSFET a canale N di media tensione con una tensione drain-source (Vdss) di 100 V e una corrente di drain continua (Id) di 10 A. La sua resistenza di conduzione (RDS(on) @ Vgs, Id) è di 95 mΩ @ 10 V, 10 A e la tensione di soglia del gate (Vgs(th) @ Id) è di 3 V @ 250 µA. Grazie alle sue eccellenti caratteristiche di commutazione e alla stabilità termica, questo dispositivo è adatto per applicazioni ad alta frequenza, alta efficienza e alta affidabilità, come alimentatori switching e inverter.
Caratteristiche
- Bassa resistenza allo stato attivo - Elevata velocità di commutazione - Elevata capacità di tenuta alla tensione
- Tensione di soglia bassa
- Buona stabilità termica - Contenitore: SOT-223, facile da saldare e assemblare
Applicazioni tipiche
- Alimentatori Switching
- Inverter
- Driver del motore
- Controllo Illuminazione
specifiche del prodotto
- Tipo: Canale N - Tensione drain-source (Vdss): 100 V
- Corrente di drain continua (Id): 10 A - Dissipazione di potenza (Pd): 1.25 W
- Resistenza allo stato attivo (RDS(on) @ Vgs, Id): 95 mΩ @ 10 V, 10 A - Tensione di soglia del gate (Vgs(th) @ Id): 3 V @ 250 µA
- Temperatura di giunzione operativa (Tj): -55 ℃ ~ +150 ℃
- Pacchetto: SOT-223
Nome
Titolo
Descrizione
Datasheet
Assistenza
Assistenza
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Longevità
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2N7002 MOSFET di potenziamento a canale N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 115mA RDSON(Ω)： 7.5Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002E MOSFET di potenziamento a canale N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002K MOSFET di potenza a canale N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 0.3A RDSON(Ω)： 2Ω@10V,0.3A VTH： 1.5V@250uA P/N： N-channel
2N7002KDW MOSFET di potenza a canale N SOT-363
Brand: slkor， Package： SOT-363 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 5Ω@10V VTH： 2.5V@1mA P/N： N-channel
2N7002KT MOSFET di potenza a canale N TO-523
Brand: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 60V Id(A)： 1A RDSON(Ω)： 2.5Ω@10V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-channel
2N7002KW MOSFET di potenza a canale N SOT-323
Brand: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 1.1Ω@4.5V,200mA VTH： 1V@1mA P/N： N-Channel
2N7002T MOSFET di potenza a canale N SOT-523
Brand: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 3V@250μA P/N： N-Channel
IRF640 Alimentazione a canale N TO-220
Brand: slkor， Package： TO-220 VDSS(V)： 200V Id(A)： 18A RDSON(Ω)： 150mΩ@10V,11A VTH： 3V@250uA P/N： N-channel
IRF7341 MOSFET di potenza a canale N SOP-8
Brand: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： 60V Id(A)： 5A RDSON(Ω)： 30mΩ@10V,4A VTH： 2.5V@250uA P/N： N-channel
IRFR5305 MOSFET di potenza a canale P in contenitore TO-252
Brand: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： -60V Id(A)： -30A RDSON(Ω)： 26mΩ@-10V,-15A VTH： -1.8V@-250μA P/N： P-channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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