サービスホットライン
● トレンチパワーMV MOSFETテクノロジー
● 放熱性に優れたパッケージ
● 高密度セル設計による低オン抵抗(RDS(on))
SL10N10Aは、ドレイン・ソース間電圧(Vdss)100V、連続ドレイン電流(Id)10Aの中電圧NチャネルMOSFETです。オン抵抗(RDS(on) @ Vgs、Id)は10V、10Aで95mΩ、ゲートしきい値電圧(Vgs(th) @ Id)は250μAで3Vです。優れたスイッチング特性と熱安定性を備えたこのデバイスは、スイッチング電源やインバータなどの高周波、高効率、高信頼性が求められる用途に適しています。
サポート
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耐用性アップ
長寿プログラムとは、お客様に製品のご注文時期に関する情報を随時ご提供することを目的としています。このプログラムは、当社の経営陣によって定期的に見直し、更新されています。長寿プログラムの詳細はこちらをご覧ください。















