บริการสายด่วน
● เทคโนโลยี Trench Power MV MOSFET
● แพคเกจที่ดีเยี่ยมสำหรับการกระจายความร้อน
● การออกแบบเซลล์ความหนาแน่นสูงเพื่อลดค่า RDS(on)
SL10N10A เป็น MOSFET ชนิด N-channel แรงดันปานกลาง มีแรงดันระหว่างขั้วเดรนและซอร์ส (Vdss) 100 V และกระแสเดรนต่อเนื่อง (Id) 10 A ความต้านทานขณะเปิด (RDS(on) @ Vgs, Id) คือ 95 mΩ ที่ 10 V, 10 A และแรงดันเกณฑ์เกต (Vgs(th) @ Id) คือ 3 V ที่ 250 µA ด้วยคุณสมบัติการสวิตช์ที่ดีเยี่ยมและเสถียรภาพทางความร้อน อุปกรณ์นี้จึงเหมาะสำหรับงานที่มีความถี่สูง ประสิทธิภาพสูง และความน่าเชื่อถือสูง เช่น แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งและอินเวอร์เตอร์
Support
หากคุณต้องการความช่วยเหลือด้านการออกแบบ/เทคนิค โปรดแจ้งให้เราทราบและกรอกแบบฟอร์มตอบกลับ เราจะติดต่อกลับคุณโดยเร็วที่สุด
ช่วงชีวิต
โปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้า (Longevity Program) มีจุดประสงค์เพื่อให้ข้อมูลแก่ลูกค้าของเราเป็นระยะๆ เกี่ยวกับระยะเวลาที่คาดว่าจะสามารถสั่งซื้อสินค้าของเราได้ โปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้าได้รับการตรวจสอบและปรับปรุงอย่างสม่ำเสมอโดยทีมผู้บริหารของเรา ดูรายละเอียดโปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้าได้ที่นี่















