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SL10N10A N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-223
● Trench Power MV MOSFET-Technologie
● Hervorragende Verpackung zur Wärmeableitung
● Hochdichtes Zelldesign für niedrigen RDS(on)
Produktübersicht
Der SL10N10A ist ein N-Kanal-MOSFET für mittlere Spannungen mit einer Drain-Source-Spannung (V<sub>DSS</sub>) von 100 V und einem Dauerstrom (I<sub>D</sub>) von 10 A. Sein Durchlasswiderstand (R<sub>DS(on)</sub> bei V<sub>GS</sub>, I<sub>D</sub>) beträgt 95 mΩ bei 10 V und 10 A, und die Schwellenspannung (V<sub>GS(th)</sub> bei I<sub>D</sub>) liegt bei 3 V und 250 µA. Dank seiner hervorragenden Schalteigenschaften und thermischen Stabilität eignet sich dieses Bauteil für Anwendungen mit hohen Frequenzen, hohem Wirkungsgrad und hoher Zuverlässigkeit, wie beispielsweise Schaltnetzteile und Wechselrichter.
Produkt-Eigenschaften
- Niedriger Einschaltwiderstand – Hohe Schaltgeschwindigkeit – Hohe Spannungsfestigkeit
- Niedrige Schwellenspannung
- Gute thermische Stabilität – Gehäuse: SOT-223, einfach zu löten und zu montieren
Typische Anwendungen
- Schaltnetzteile
- Wechselrichter
- Motortreiber
- Beleuchtungssteuerung
Produktspezifikationen
- Typ: N-Kanal - Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
- Dauerstrom (Id): 10 A – Verlustleistung (Pd): 1.25 W
- Durchlasswiderstand (RDS(on) @ Vgs, Id): 95 mΩ @ 10 V, 10 A - Gate-Schwellenspannung (Vgs(th) @ Id): 3 V @ 250 µA
- Betriebstemperatur des Sperrschichtübergangs (Tj): -55 ℃ ~ +150 ℃
- Paket: SOT-223
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung
Unterstützung
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Langlebigkeit
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2N7002 N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 115mA RDSON(Ω)： 7.5Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002E N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002K N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 0.3A RDSON(Ω)： 2Ω@10V,0.3A VTH： 1.5V@250uA P/N： N-channel
2N7002KDW N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-363
Marke: slkor， Package： SOT-363 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 5Ω@10V VTH： 2.5V@1mA P/N： N-channel
2N7002KT N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-523
Marke: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 60V Id(A)： 1A RDSON(Ω)： 2.5Ω@10V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-channel
2N7002KW N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-323
Marke: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 1.1Ω@4.5V,200mA VTH： 1V@1mA P/N： N-Channel
2N7002T N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-523
Marke: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 3V@250μA P/N： N-Channel
AOD409 P-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-252
Marke: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： -60V Id(A)： -30A RDSON(Ω)： 30mΩ@-10V,-20A VTH： -1.8V@-250uA P/N： P-channel
BSS123 N-Kanal-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 100V Id(A)： 150mA RDSON(Ω)： 3.5Ω@10V,120mA VTH： 2.8V@1mA P/N： N-Channel
BSS131 N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 240V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 9.07Ω@4.5V,0.09A VTH： 1.4V@56μA P/N： N-channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Das Produktsortiment von SLKOR umfasst diskrete Bauelemente wie Dioden, Transistoren und Leistungshalbleiter sowie integrierte Schaltkreise wie Linearregler, DC/DC-Wandler, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS. Wir verfügen über jahrelange Erfahrung in der Halbleitertechnik.
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