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● Technologie MOSFET Trench Power MV
● Excellent package pour la dissipation thermique
● Conception de cellules haute densité pour une faible RDS(on)
Le SL10N10A est un MOSFET canal N moyenne tension, avec une tension drain-source (Vdss) de 100 V et un courant de drain continu (Id) de 10 A. Sa résistance à l'état passant (RDS(on) @ Vgs, Id) est de 95 mΩ @ 10 V, 10 A, et sa tension de seuil de grille (Vgs(th) @ Id) est de 3 V @ 250 µA. Grâce à ses excellentes caractéristiques de commutation et sa grande stabilité thermique, ce composant convient aux applications haute fréquence, haute efficacité et haute fiabilité, telles que les alimentations à découpage et les onduleurs.
Assistance
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Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.















