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SL10N10A MOSFET de potência de canal N SOT-223

● Tecnologia Trench Power MV MOSFET

● Excelente pacote para dissipação de calor

● Design de células de alta densidade para baixo RDS(on)


Portfolio de Produtos

O SL10N10A é um MOSFET de canal N de média tensão com uma tensão dreno-fonte (Vdss) de 100 V e uma corrente de dreno contínua (Id) de 10 A. Sua resistência no estado ligado (RDS(on) @ Vgs, Id) é de 95 mΩ @ 10 V, 10 A, e a tensão de limiar de porta (Vgs(th) @ Id) é de 3 V @ 250 µA. Apresentando excelentes características de chaveamento e estabilidade térmica, este dispositivo é adequado para aplicações de alta frequência, alta eficiência e alta confiabilidade, como fontes de alimentação chaveadas e inversores.

características do produto

  • Baixa resistência no estado ligado - Alta velocidade de comutação - Alta capacidade de suportar tensão
  • Tensão de limiar baixa
  • Boa estabilidade térmica - Pacote: SOT-223, fácil para soldagem e montagem

Aplicações típicas

  • Chaveada
  •  Inversores
  •  Motoristas
  • Controle de Iluminação

Especificações Do Produto

  • Tipo: Canal N - Tensão dreno-fonte (Vdss): 100 V
  •  Corrente de dreno contínua (Id): 10 A - Dissipação de potência (Pd): 1.25 W
  • Resistência no estado ligado (RDS(on) @ Vgs, Id): 95 mΩ @ 10 V, 10 A - Tensão de limiar de porta (Vgs(th) @ Id): 3 V @ 250 µA
  • Temperatura de junção operacional (Tj): -55 ℃ ~ +150 ℃
  • Pacote: SOT-223



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Suporte

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O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.

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