Linha de Apoio
● Tecnologia Trench Power MV MOSFET
● Excelente pacote para dissipação de calor
● Design de células de alta densidade para baixo RDS(on)
O SL10N10A é um MOSFET de canal N de média tensão com uma tensão dreno-fonte (Vdss) de 100 V e uma corrente de dreno contínua (Id) de 10 A. Sua resistência no estado ligado (RDS(on) @ Vgs, Id) é de 95 mΩ @ 10 V, 10 A, e a tensão de limiar de porta (Vgs(th) @ Id) é de 3 V @ 250 µA. Apresentando excelentes características de chaveamento e estabilidade térmica, este dispositivo é adequado para aplicações de alta frequência, alta eficiência e alta confiabilidade, como fontes de alimentação chaveadas e inversores.
Suporte
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Longevidade
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