Layanan Hotline
● Teknologi MOSFET LV Trench Power
● Desain Sel Kepadatan Tinggi untuk Roson Rendah
● Peralihan Kecepatan Tinggi
Transistor Efek Medan Mode Peningkatan Saluran-P
Ringkasan Produk
● V DS -12V
● l D -6A
● R DSON (pada V GS =-4.5 V ) <40 mohm
● R DSON (pada V GS = -2.5 V ) <50 mohm
● RDSON(di VGS=-1.8V) <70 bulan
Gambaran umum
● Teknologi MOSFET LV Trench Power
● Desain Sel Kepadatan Tinggi untuk Roson Rendah
● Peralihan Kecepatan Tinggi
Aplikasi
● Perlindungan baterai
● Sakelar beban
● Manajemen daya
Bantuan
Jika Anda memerlukan dukungan desain/teknis, beri tahu kami dan isi Formulir Tanggapan. Kami akan menghubungi Anda sesegera mungkin.
Umur panjang
Program Keberlangsungan Produk bertujuan untuk memberikan informasi kepada pelanggan kami dari waktu ke waktu tentang perkiraan waktu pemesanan produk kami. Program Keberlangsungan Produk ini ditinjau dan diperbarui secara berkala oleh Tim Manajemen Eksekutif kami. Lihat program keberlangsungan produk kami di sini.















