מוצרים
מוצרים
SL2333A P-Channel Enhancement MOSFET SOT-23

● טכנולוגיית MOSFET LV של Trench Power

● עיצוב תאים בצפיפות גבוהה עבור RosoN נמוך

● מיתוג במהירות גבוהה

טרנזיסטור אפקט שדה במצב שיפור ערוץ P

סיכום מוצר

● V DS -12V

● l D -6A

● R DSON (ב- VGS = -4.5 וולט ) <40 מוהם

● R DSON (ב- VGS = -2.5 וולט ) <50 מוהם

● RDSON(ב-VGS=-1.8V) <70 מוהם

תיאור כללי

● טכנולוגיית MOSFET LV של Trench Power

● עיצוב תאים בצפיפות גבוהה עבור RosoN נמוך

● מיתוג במהירות גבוהה

יישומים

● הגנה על הסוללה

● מתג עומס

● ניהול צריכת חשמל



שם
כותרת
תיאור
גליון הנתונים
תמיכה

תמיכה

 

אם אתם זקוקים לתמיכה טכנית/עיצובית, אנא הודיעו לנו ומלאו את טופס התגובה. נחזור אליכם בהקדם האפשרי.

אריכות ימים

 

תוכנית אריכות הימים נועדה לספק ללקוחותינו מידע מעת לעת לגבי הזמן הצפוי בו ניתן יהיה להזמין את המוצרים שלנו. תוכנית אריכות הימים נבדקת ומתעדכנת באופן קבוע על ידי צוות ההנהלה הבכיר שלנו. צפו בתוכנית אריכות הימים שלנו כאן.

whatsapp

מוקד שירות

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950