Hotline usługi
● Technologia MOSFET LV Trench Power
● Konstrukcja ogniw o dużej gęstości zapewniająca niską zawartość RosoN
● Szybkie przełączanie
Tranzystor polowy z kanałem P i trybem wzbogacania
Podsumowanie produktów
● V DS -12V
● l D -6A
● R DSON (przy V GS = -4.5 V ) <40 mohm
● R DSON (przy V GS = -2.5 V ) <50 mohm
● RDSON(w VGS=-1.8 V) <70 mohm
Ogólny opis
● Technologia MOSFET LV Trench Power
● Konstrukcja ogniw o dużej gęstości zapewniająca niską zawartość RosoN
● Szybkie przełączanie
Zastosowania
● Ochrona baterii
● Przełącznik obciążenia
● Zarządzanie energią
Wsparcie
Jeśli potrzebujesz wsparcia technicznego lub projektowego, daj nam znać i wypełnij Formularz odpowiedzi. Odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
Długowieczność
Program Długowieczności ma na celu okresowe informowanie naszych klientów o przewidywanym czasie realizacji zamówień na nasze produkty. Program NLP jest regularnie weryfikowany i aktualizowany przez nasz Zespół Zarządzający. Zapoznaj się z naszym programem długowieczności tutaj.















