Đường dây nóng dịch vụ
● Công nghệ MOSFET LV công suất rãnh
● Thiết kế tế bào mật độ cao giúp giảm RosoN
● Chuyển đổi tốc độ cao
Transistor hiệu ứng trường chế độ tăng cường kênh P
Tóm tắt sản phẩm
● V DS -12V
● l D -6A
● R DSON (ở V GS = -4.5 V ) <40 mohm
● R DSON (ở V GS = -2.5 V ) <50 mohm
● RDSON(tại VGS=-1.8V) <70 mohm
Mô tả chung
● Công nghệ MOSFET LV Trench Power
● Thiết kế tế bào mật độ cao giúp giảm RosoN
● Chuyển đổi tốc độ cao
Ứng dụng
● Bảo vệ pin
● Công tắc tải
● Quản lý nguồn điện
Trợ giúp
Nếu bạn cần hỗ trợ thiết kế/kỹ thuật, vui lòng cho chúng tôi biết và điền vào Mẫu phản hồi. Chúng tôi sẽ liên hệ lại với bạn trong thời gian sớm nhất.
Tuổi thọ
Chương trình Tuổi thọ nhằm mục đích cung cấp cho khách hàng thông tin định kỳ về thời gian dự kiến có thể đặt hàng sản phẩm của chúng tôi. Chương trình Tuổi thọ được ban quản lý cấp cao xem xét và cập nhật thường xuyên. Xem chương trình tuổi thọ của chúng tôi tại đây.















