บริการสายด่วน
● เทคโนโลยี Trench Power LV MOSFET
● การออกแบบเซลล์ความหนาแน่นสูงเพื่อลด RosoN
● การสลับความเร็วสูง
ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนามโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel
สรุปข้อมูลผลิตภัณฑ์
● V DS -12V
● l D -6A
● R DSON (ที่ V GS =-4.5 V ) <40 มิลลิโอห์ม
● R DSON (ที่ V GS = -2.5 V ) <50 มิลลิโอห์ม
● Rดีสัน(ที่วีGS=-1.8V) <70 โมห์ม
ลักษณะโดยทั่วไป
●เทคโนโลยี MOSFET LV ของ Trench Power
●การออกแบบเซลล์ความหนาแน่นสูงเพื่อลด RosoN
● การสลับความเร็วสูง
การใช้งาน
●การป้องกันแบตเตอรี่
●สวิตช์โหลด
●การจัดการพลังงาน
Support
หากคุณต้องการความช่วยเหลือด้านการออกแบบ/เทคนิค โปรดแจ้งให้เราทราบและกรอกแบบฟอร์มตอบกลับ เราจะติดต่อกลับคุณโดยเร็วที่สุด
ช่วงชีวิต
โปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้า (Longevity Program) มีจุดประสงค์เพื่อให้ข้อมูลแก่ลูกค้าของเราเป็นระยะๆ เกี่ยวกับระยะเวลาที่คาดว่าจะสามารถสั่งซื้อสินค้าของเราได้ โปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้าได้รับการตรวจสอบและปรับปรุงอย่างสม่ำเสมอโดยทีมผู้บริหารของเรา ดูรายละเอียดโปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้าได้ที่นี่















