ผลิตภัณฑ์
ผลิตภัณฑ์
SL2333A การเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel MOSFET SOT-23

● เทคโนโลยี Trench Power LV MOSFET

● การออกแบบเซลล์ความหนาแน่นสูงเพื่อลด RosoN

● การสลับความเร็วสูง

ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนามโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel

สรุปข้อมูลผลิตภัณฑ์

● V DS -12V

● l D -6A

● R DSON (ที่ V GS =-4.5 V ) <40 มิลลิโอห์ม

● R DSON (ที่ V GS = -2.5 V ) <50 มิลลิโอห์ม

● Rดีสัน(ที่วีGS=-1.8V) <70 โมห์ม

ลักษณะโดยทั่วไป

●เทคโนโลยี MOSFET LV ของ Trench Power

●การออกแบบเซลล์ความหนาแน่นสูงเพื่อลด RosoN

● การสลับความเร็วสูง

การใช้งาน

●การป้องกันแบตเตอรี่

●สวิตช์โหลด

●การจัดการพลังงาน



ชื่อ
ชื่อหนังสือ
รายละเอียด
แผ่นข้อมูล
Support

Support

 

หากคุณต้องการความช่วยเหลือด้านการออกแบบ/เทคนิค โปรดแจ้งให้เราทราบและกรอกแบบฟอร์มตอบกลับ เราจะติดต่อกลับคุณโดยเร็วที่สุด

ช่วงชีวิต

 

โปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้า (Longevity Program) มีจุดประสงค์เพื่อให้ข้อมูลแก่ลูกค้าของเราเป็นระยะๆ เกี่ยวกับระยะเวลาที่คาดว่าจะสามารถสั่งซื้อสินค้าของเราได้ โปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้าได้รับการตรวจสอบและปรับปรุงอย่างสม่ำเสมอโดยทีมผู้บริหารของเรา ดูรายละเอียดโปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้าได้ที่นี่

whatsapp

บริการสายด่วน

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950