servicio de teléfono directo
● Tecnología MOSFET LV de Trench Power
● Diseño de celdas de alta densidad para baja emisión de ROSON
● Conmutación de alta velocidad
Transistor de efecto de campo con modo de mejora de canal P
Resumen del producto
● V DS -12V
● l D -6A
● R DSON (a V GS = -4.5 V ) < 40 mohm
● R DSON (a V GS = -2.5 V ) <50 mohm
● RDSON(en VGS=-1.8V) <70 mohmios
Descripción general
● Tecnología MOSFET de baja tensión Trench Power
● Diseño de celdas de alta densidad para baja emisión de ROSON
● Conmutación de alta velocidad
Aplicaciones
● Protección de la batería
● Interruptor de carga
● Gestión de energía
Soporte
Si necesita asistencia técnica o de diseño, háganoslo saber y complete el formulario de respuesta. Nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.















