Produits
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MOSFET SOT-2333 d'amélioration de canal P SL23A

● Technologie MOSFET BT Trench Power

● Conception de cellules haute densité pour une faible concentration de rosoN

● Commutation haute vitesse

Transistor à effet de champ à mode d'amélioration du canal P

Informations sur le produit

V DS -12V

l D -6A

R <sub>DSON</sub> (à V<sub> GS</sub> = -4.5 V ) < 40 mΩ

R <sub>DSON</sub> (à V<sub> GS</sub> = -2.5 V ) < 50 mΩ

● RDSON(à VGS=-1.8V) <70 Mohms

Description générale

Technologie MOSFET LV Trench Power

Conception de cellules haute densité pour une faible concentration de rosoN

● Commutation à grande vitesse

Applications

Protection de la batterie

Interrupteur de charge

Gestion de l'alimentation



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Fiche technique
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Longévité

 

Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.

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