Hotline
● Technologie MOSFET BT Trench Power
● Conception de cellules haute densité pour une faible concentration de rosoN
● Commutation haute vitesse
Transistor à effet de champ à mode d'amélioration du canal P
Informations sur le produit
● V DS -12V
● l D -6A
● R <sub>DSON</sub> (à V<sub> GS</sub> = -4.5 V ) < 40 mΩ
● R <sub>DSON</sub> (à V<sub> GS</sub> = -2.5 V ) < 50 mΩ
● RDSON(à VGS=-1.8V) <70 Mohms
Description générale
● Technologie MOSFET LV Trench Power
● Conception de cellules haute densité pour une faible concentration de rosoN
● Commutation à grande vitesse
Applications
● Protection de la batterie
● Interrupteur de charge
● Gestion de l'alimentation
Assistance
Si vous avez besoin d'assistance technique ou en matière de conception, veuillez nous le faire savoir et remplir le formulaire de réponse. Nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.















