Slkormicro SL2312 MOSFET di potenza a canale N: interruttore di potenza FET SOT-23 da 20 V 5 A

SL2312 è un MOSFET di potenza a canale N prodotto da Slkormicro. Adotta un package SOT-23 per montaggio superficiale con una tensione di tenuta drain-source di 20 V e una corrente di drain continua di 5 A. Questo dispositivo è caratterizzato da una bassa resistenza di conduzione e da un'elevata velocità di commutazione. Trova ampio impiego in circuiti di protezione delle batterie, commutazione di carico e gestione dell'alimentazione, e rappresenta un componente di potenza comune per applicazioni di commutazione di potenza compatte.

1. Parametri principali del prodotto

Valori massimi assoluti (a temperatura ambiente di 25 ℃)

1. Tensione drain-source: 20V
2. Tensione gate-source: 8V
3. Corrente di scarico continua: 5A
4. Corrente di drain pulsata: 18A
5. Dissipazione di potenza totale del dispositivo: 1250 mW
6. Temperatura massima di esercizio della giunzione: 150 ℃
7. Intervallo di temperatura di conservazione: da -55 ℃ a 150 ℃

Caratteristiche elettriche (a temperatura ambiente di 25 ℃)

1. Tensione di rottura drain-source minima: 20 V
2. Intervallo di tensione di soglia del gate: 0.45 V-1.2 V
3. Caduta di tensione diretta massima del diodo intrinseco: 1.5 V
4. La corrente di drain massima a tensione di gate zero è di 1 μA a temperatura ambiente e di 10 μA a 55 ℃
5. Corrente di dispersione massima gate-body: 100 nA
6. La resistenza massima nello stato di conduzione è di 25 mΩ con una tensione gate-source di 4.5 V e una corrente di funzionamento di 5 A.
7. La resistenza massima nello stato di conduzione è di 35 mΩ con una tensione gate-source di 2.5 V e una corrente di funzionamento di 2 A.
8. La resistenza massima nello stato di conduzione è di 50 mΩ con una tensione gate-source di 1.8 V e una corrente di funzionamento di 1 A.
9. Capacità di ingresso tipica: 650 pF; Capacità di uscita tipica: 120 pF
10. Tempo di accensione tipico: 20 ns; tempo di spegnimento tipico: 60 ns

Dimensioni della confezione

Il dispositivo è disponibile in un contenitore SOT-23 per montaggio superficiale. La lunghezza del corpo del contenitore varia da 2.800 mm a 3.000 mm. La larghezza del corpo varia da 1.200 mm a 1.400 mm. L'altezza complessiva del dispositivo varia da 0.900 mm a 1.150 mm.

2. Caratteristiche principali del prodotto

1. Elevata capacità di gestione della corrente. Supporta una corrente di funzionamento continua di 5 A e una corrente pulsata di breve durata massima di 18 A.
2. Prestazioni eccellenti in termini di resistenza di conduzione a diverse tensioni di pilotaggio del gate. Mantiene una bassa resistenza di conduzione anche con una bassa tensione di pilotaggio del gate di 2.5 V, risultando compatibile con circuiti di pilotaggio a bassa tensione.
3. Il package SOT-23 per montaggio superficiale riduce l'ingombro sul PCB ed è adatto a prodotti elettronici miniaturizzati.
4. La costruzione senza piombo soddisfa i requisiti di produzione senza piombo.
5. Tempi di accensione e spegnimento ridotti garantiscono prestazioni di commutazione rapide per i circuiti di commutazione.

3. Principali campi di applicazione

1. Circuiti di protezione della batteria per la protezione da sovracorrente e il controllo del percorso di scarica di batterie agli ioni di litio e altri dispositivi di accumulo di energia.
2. Interruttori di carico per il controllo on-off di circuiti in diverse apparecchiature elettroniche.
3. Circuiti relativi alla gestione dell'alimentazione nei dispositivi elettronici di consumo e nei dispositivi compatti.

4. Raccomandazioni di progettazione ingegneristica

1. Nei circuiti pratici è necessario riservare un margine di tensione sufficiente. Per prevenire guasti ai dispositivi, è opportuno evitare il funzionamento prolungato in prossimità della tensione di tenuta massima assoluta di 20 V.
2. La tensione gate-source non deve superare gli 8V. Una tensione di gate eccessiva danneggerà in modo permanente lo strato dielettrico del gate e causerà il guasto del dispositivo.
3. La dissipazione di potenza del dispositivo è influenzata dalla temperatura ambiente. Quando la temperatura ambiente aumenta, è necessario ridurre la potenza continua consentita per mantenere la temperatura di giunzione al di sotto di 150 °C.
4. Questo dispositivo integra un diodo di corpo. Prestare attenzione alla generazione di calore causata dalla caduta di tensione diretta quando una corrente inversa scorre attraverso il diodo di corpo.
5. Nella progettazione dei circuiti di commutazione, è necessario considerare le perdite di commutazione dovute alla capacità di ingresso e di uscita. È opportuno selezionare una resistenza di pilotaggio del gate adeguata per bilanciare il rumore di commutazione e la velocità di commutazione.
6. La corrente di drain pulsata di 18 A si applica solo a condizioni di impulsi di breve durata, non al funzionamento continuo. È necessario rispettare i vincoli di larghezza dell'impulso e duty cycle indicati nella scheda tecnica.

5. Riepilogo del prodotto

SL2312 è un MOSFET di potenza a canale N in contenitore SOT-23, con una tensione di tenuta nominale di 20 V e una corrente di drain continua di 5 A. Offre buone prestazioni di resistenza in conduzione con pilotaggio del gate a bassa tensione e dimensioni compatte. I suoi parametri complessivi lo rendono adatto a scenari di commutazione di potenza medio-bassa, tra cui protezione della batteria, commutazione del carico e gestione dell'alimentazione. È ideale per la progettazione di circuiti di potenza in prodotti elettronici di consumo con spazio limitato. Per un funzionamento stabile del circuito a lungo termine, è necessario un declassamento conforme ai valori massimi assoluti.

Informazioni su Slkor:

Slkor ha uffici di ricerca e sviluppo a Busan, Corea del Sud, Pechino, Cina e Suzhou, Cina. La maggior parte della produzione, del confezionamento e dei test dei wafer viene effettuata in Cina. L'azienda impiega e collabora con individui e organizzazioni in tutto il mondo, con un laboratorio per i test di affidabilità e prestazioni dei prodotti e un magazzino centrale situato presso la sede centrale di Shenzhen. Slkor ha depositato oltre un centinaio di brevetti di invenzione, offre oltre 2,000 modelli di prodotti e serve oltre diecimila clienti in tutto il mondo. I suoi prodotti vengono esportati in paesi e regioni tra cui Europa, Americhe, Asia sud-orientale e Medio Oriente, rendendola una delle aziende di semiconduttori in rapida crescita negli ultimi anni. Con sistemi di gestione consolidati e flussi di lavoro semplificati, Slkor ha rapidamente migliorato la consapevolezza del marchio e la reputazione del suo "SLKOR" grazie alla sua eccezionale qualità e ai servizi standardizzati. La sua gamma di prodotti comprende tre serie principali: diodos, transistor e dispositivi di potenza, con la recente introduzione di nuovi prodotti come elementi Hall e dispositivi analogici, espandendo la sua presenza in sensori, microcontrollori Risc-v e altre categorie di prodotti.

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