Service Hotline
Nieuws
Nieuws
Is er enig verschil tussen veldeffectbuis en MOS-buis?
2022-03-17
344
Is er enig verschil tussen FET- en MOS-transistor?
FET wordt over het algemeen onderverdeeld in MOS FET en junctie-FET. Momenteel wordt voornamelijk MOS FET gebruikt, beter bekend als MOS-transistor. MOS is de afkorting van metaaloxide-halfgeleider, namelijk gate-siliciumdioxide-silicium. J in JFET staat voor Junction, of "junction", wat de kruising van PN-junctie betekent. Het staat voor FET Field Effect Transistor, ofwel veldeffecttransistor.
?Allereerst is het onderwerp anders.
1. Veldeffect: V-groef metaaloxide halfgeleider veldeffecttransistor. Dit is een nieuw ontwikkeld, zeer efficiënt schakelapparaat naar het voorbeeld van de MOSFET.2.MOS-transistor: Metaaloxide-halfgeleider veldeffecttransistor behoort tot het geïsoleerde poorttype.Ten tweede zijn de kenmerken verschillend.
1. Veldeffect: MOS FET heeft ingangsimpedantie (108 W), lage aandrijfstroom (ongeveer 0.1 A), hoge weerstandsspanning (maximale weerstandsspanning 1200 V), werkstroom (1.5 A ~ 100 A) en hoog uitgangsvermogen (1 ~ 250 W) .
2. MOS-buis: het belangrijkste kenmerk is dat er een isolatielaag van siliciumdioxide tussen de metalen poort en het kanaal zit en dat de ingangsweerstand hoog is (tot 1015).Ten derde zijn de regels anders.
1. Veldeffect: door de voordelen van elektronische buizen en vermogenstransistors te combineren, wordt het veel gebruikt in spanningsversterkers (duizenden spanningsversterking), eindversterkers, schakelende voedingen en omvormers.
2. MOS-buis: Wanneer VGS=0, bevindt de buis zich in een gesloten toestand. Nadat de juiste VGS is toegevoegd, zullen de meeste dragers de poort in worden getrokken, waardoor de dragers in dit gebied worden "gesterkt" en een geleidende greppel wordt gevormd.
FET wordt over het algemeen onderverdeeld in MOS FET en junctie-FET. Momenteel wordt voornamelijk MOS FET gebruikt, beter bekend als MOS-transistor. MOS is de afkorting van metaaloxide-halfgeleider, namelijk gate-siliciumdioxide-silicium. J in JFET staat voor Junction, of "junction", wat de kruising van PN-junctie betekent. Het staat voor FET Field Effect Transistor, ofwel veldeffecttransistor.
1. Veldeffect: V-groef metaaloxide halfgeleider veldeffecttransistor. Dit is een nieuw ontwikkeld, zeer efficiënt schakelapparaat naar het voorbeeld van de MOSFET.2.MOS-transistor: Metaaloxide-halfgeleider veldeffecttransistor behoort tot het geïsoleerde poorttype.Ten tweede zijn de kenmerken verschillend.
1. Veldeffect: MOS FET heeft ingangsimpedantie (108 W), lage aandrijfstroom (ongeveer 0.1 A), hoge weerstandsspanning (maximale weerstandsspanning 1200 V), werkstroom (1.5 A ~ 100 A) en hoog uitgangsvermogen (1 ~ 250 W) .
2. MOS-buis: het belangrijkste kenmerk is dat er een isolatielaag van siliciumdioxide tussen de metalen poort en het kanaal zit en dat de ingangsweerstand hoog is (tot 1015).Ten derde zijn de regels anders.
1. Veldeffect: door de voordelen van elektronische buizen en vermogenstransistors te combineren, wordt het veel gebruikt in spanningsversterkers (duizenden spanningsversterking), eindversterkers, schakelende voedingen en omvormers.
2. MOS-buis: Wanneer VGS=0, bevindt de buis zich in een gesloten toestand. Nadat de juiste VGS is toegevoegd, zullen de meeste dragers de poort in worden getrokken, waardoor de dragers in dit gebied worden "gesterkt" en een geleidende greppel wordt gevormd.
Bedrijf Tel: +86-0755-83044319
Fax/fax:+86-0755-83975897
E-mail: 1615456225@qq.com
Vraag: 3518641314 Manager Li
Vraag: 332496225 Manager Qiu
Adres: Kamer 809, Blok C, Zhantao Technology Building, No.1079 Minzhi Avenue, Longhua New District, Shenzhen
Related Recommendations
Exclusief interview met Li Gang van Yunfan Ruida: De precisie van millimetergolfradarproducten en de warmte van de mensheid.
2026-07-22
444
Tot volgend jaar! | Slkor op electronica China 2026: een terugblik op de hoogtepunten
2026-07-14
495
粤公网安备44030002007346号