Producten
Producten
SiC-apparaten Siliciumcarbide (SiC) is een samengesteld halfgeleidermateriaal dat bestaat uit silicium (Si) en koolstof (C), doorgaans in de 4H-SiC-kristalstructuur. De isolerende doorslagveldsterkte is 10 keer die van Si, de energiebandafstand is 3 keer die van Si, de thermische geleidbaarheid is 3 keer die van Si, en de verzadigingsdriftsnelheid is 2 keer die van Si. Het is een zeer superieur materiaal voor vermogenselektronica vergeleken met Si.
whatsapp

Service Hotline

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950