hotline
● Groen apparaat beschikbaar
● Uitstekende verpakking voor goede warmteafvoer
● Geavanceerde technologie met hoge celdichtheid in sleufconstructies voor ultralage RDS(ON)
Beschrijving
Deze P-kanaal MOSFET maakt gebruik van geavanceerde geultechnologie en ontwerp om uitstekende RDS(aan) te bieden met een lage poortlading. Het kan in een grote verscheidenheid aan toepassingen worden gebruikt.
Kenmerken
● VDS=-100V,ID=-20A,RDS(AAN)<90mΩ@VGS=-10V
● Lage gate-lading.
● Groen apparaat beschikbaar.
● Geavanceerde sleuftechnologie met hoge celdichtheid voor ultra-lage RDS(ON).
● Uitstekende verpakking voor goede warmteafvoer.
Support
Als u ontwerp- of technische ondersteuning nodig heeft, laat het ons dan weten en vul het reactieformulier in. We nemen zo snel mogelijk contact met u op.
Duurzaamheid
Het Levensduurprogramma is bedoeld om onze klanten periodiek te informeren over de verwachte levertijd van onze producten. Het programma wordt regelmatig herzien en bijgewerkt door ons managementteam. Bekijk ons levensduurprogramma hier.















