Hotline
● Appareil écologique disponible
● Excellent emballage pour une bonne dissipation de la chaleur
● Technologie de tranchées à haute densité cellulaire avancée pour un RDS(ON) ultra faible
Description
Ce MOSFET à canal P utilise une technologie et une conception de tranchée avancées pour fournir un excellent RDS(on) avec une faible charge de grille. Il peut être utilisé dans une grande variété d’applications.
Fonctionnalité
● VDS=-100V,ID=-20A,RDS(ON)<90mΩ@VGS=-10V
● Faibles frais d'entrée.
● Appareil vert disponible.
● Technologie de tranchée à haute densité cellulaire avancée pour un RDS(ON) ultra faible.
● Un excellent emballage pour une bonne dissipation de la chaleur.
Assistance
Si vous avez besoin d'assistance technique ou en matière de conception, veuillez nous le faire savoir et remplir le formulaire de réponse. Nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.















