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MOSFET de puissance canal P IRF9540 TO-220

● Appareil écologique disponible

● Excellent emballage pour une bonne dissipation de la chaleur

● Technologie de tranchées à haute densité cellulaire avancée pour un RDS(ON) ultra faible

Description

Ce MOSFET à canal P utilise une technologie et une conception de tranchée avancées pour fournir un excellent RDS(on) avec une faible charge de grille. Il peut être utilisé dans une grande variété d’applications.


Fonctionnalité

● VDS=-100V,ID=-20A,RDS(ON)<90mΩ@VGS=-10V

● Faibles frais d'entrée.

● Appareil vert disponible.

● Technologie de tranchée à haute densité cellulaire avancée pour un RDS(ON) ultra faible.

● Un excellent emballage pour une bonne dissipation de la chaleur.






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Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.

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