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MOSFET de potencia de canal P IRF9540 TO-220

● Dispositivo ecológico disponible

● Excelente embalaje para una buena disipación del calor.

​● Tecnología avanzada de trinchera de alta densidad celular para RDS(ON) ultrabajo

Mareas Ideales para Lecciones

Este MOSFET de canal P utiliza tecnología y diseño de zanja avanzados para proporcionar un excelente RDS (encendido) con baja carga de puerta. Se puede utilizar en una amplia variedad de aplicaciones.


Caracteristicas

● VDS=-100 V, ID=-20 A, RDS(ENCENDIDO)<90 mΩ a VGS=-10 V

● Cargo de entrada bajo.

● Dispositivo ecológico disponible.

● Tecnología avanzada de zanja de alta densidad celular para RDS(ON) ultra bajo.

● Excelente embalaje para una buena disipación del calor.






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El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.

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