Dioda tłumiąca napięcie przejściowe Slkor SMBJ7.0CA

SMBJ7.0CA to dwukierunkowa dioda tłumiąca przepięcia (TVS) do montażu powierzchniowego w obudowie SMB/DO-214AA, należąca do serii SMBJ firmy Slkor, o napięciu odwrotnym V RWM wynoszącym 7.0 V. Zbudowana na matrycy pasywowanej szkłem, oferuje moc szczytową impulsu 600 W, szybką reakcję i doskonałe możliwości zaciskania, a jej obudowa posiada klasę palności UL94V-0. Jest przeznaczona do ochrony przed wyładowaniami elektrostatycznymi (ESD), wyładowaniami elektrostatycznymi (EFT) oraz przepięciami na portach I/O, liniach zasilających i szybkich liniach transmisji danych.

Dioda zabezpieczająca przed przepięciami Slkor P6SMB22A zdjęcie produktu

1. Kluczowe parametry produktu

O ile nie zaznaczono inaczej, temperatura otoczenia T A = 25℃. Maksymalne wartości znamionowe dla całej serii SMBJ obowiązują dla całej rodziny; parametry elektryczne dla modelu SMBJ7.0CA są wymienione osobno.

1.1 Maksymalne wartości znamionowe w całej serii

• Szczytowa strata mocy impulsu P PK: 600 W (impuls niepowtarzalny, T A = 25°C, wartość bazowa; obniżenie wartości w zależności od szerokości impulsu i temperatury otoczenia);
• Prąd szczytowy przewodzenia I FSM: 100A (pojedyncza fala półsinusoidalna 8.3 ms; maksymalny współczynnik wypełnienia 4 impulsy na minutę);
• Chwilowe napięcie przewodzenia V F: 3.5 V dla urządzeń V BR <100 V przy I PP = 35 A; 5.0 V dla urządzeń V BR >100 V;
• Zakres temperatur pracy i przechowywania T J /T STG: -55℃ do +150℃.

1.2 Parametry elektryczne SMBJ7.0CA

• Napięcie odwrotnego postoju V RWM: 7.0 V (dwukierunkowe);
• Napięcie przebicia V BR: min. 7.78 V, maks. 8.95 V przy prądzie testowym I T = 10 mA;
• Maksymalne napięcie zacisku V C: 12.0 V przy szczytowym prądzie impulsowym I PP = 50.0 A;
• Prąd upływu wstecznego I R: maks. 200μA przy V RWM =7.0V;
• Czas odpowiedzi: szybki (wbudowany w TVS mechanizm włączania w skali nanosekund).

1.3 Opakowanie i dane mechaniczne

• Pakiet: SMB/DO-214AA formowany plastik SMD;
• Ocena palności: UL94V-0;
• Waga: ok. 0.093 g;
• Zaciski: lutowane, lutowalne zgodnie z MIL-STD-750, metoda 2026;
• Cechowanie: KM (wersja dwukierunkowa);
• Wymiary ciała (mm): długość całkowita 5.00–5.59, szerokość ciała 4.06–4.70, wysokość ciała 3.30–3.94, grubość 1.91–2.21;
• Biegunowość:urządzenie dwukierunkowe nie ma oznaczeń biegunowości (urządzenia jednokierunkowe korzystają z pasma katodowego lub wycięcia).

2. Główne cechy produktu

1. Konstrukcja matrycy pasywowanej szkłem dla niskiego upływu wstecznego i wysokiej niezawodności długoterminowej.
2. Ochrona dwukierunkowa (przyrostek CA) bez obaw o biegunowość, odpowiedni do linii prądu przemiennego lub linii o nieokreślonej biegunowości.
3. Moc szczytowa impulsu 600 W przy przebiegu udarowym o czasie trwania 8/20μs.
4. Doskonała wydajność zaciskania:V C od 12.0 V przy 50 A I PP , ograniczając przepięcia przejściowe do bezpiecznego poziomu.
5. Szybki czas reakcji do tłumienia przebiegów przejściowych w skali nanosekundowej.
6. Obudowa SMB do montażu powierzchniowego z formowaniem trudnopalnym UL94V-0, kompatybilnym ze standardowym montażem SMT.
7. Rodzina o szerokim napięciu:seria obejmuje V RWM od 5.0 V do 170 V, z wariantem o niskim prądzie upływu oznaczonym przyrostkiem „A” umożliwiającym wybór spójnego rozwiązania na poziomie systemu.

3. Główne obszary zastosowań

1. Ochrona ESD i zabezpieczenie ESD na portach wejścia/wyjścia urządzeń elektronicznych.
2. Tłumienie przepięć na wejściu zasilania i szynach wtórnych.
3. Ochrona przenośnych urządzeń elektronicznych, komputerów i interfejsów peryferyjnych.
4. Elektronika samochodowa i obwody sterowania przemysłowego wymagające odporności na przepięcia.
5. Zabezpieczenie przed przepięciami przejściowymi w liniach komunikacyjnych, danych i sygnałowych.

4. Zalecenia dotyczące projektowania inżynierskiego

1. Wybór napięcia postojowego:V RWM (7.0 V) musi być równe lub większe od napięcia stałego lub ciągłego szczytowego napięcia roboczego chronionej linii, co gwarantuje, że urządzenie pozostanie nieprzewodzące podczas normalnej pracy.
2. Kontrola napięcia zaciskowego: Sprawdź, czy maksymalne napięcie wytrzymywane układu scalonego w dół przekracza napięcie zaciskowe TVS (12.0 V) przy przewidywanym prądzie udarowym; w przeciwnym razie wybierz niższą klasę V RWM lub dodaj zabezpieczenie wtórne.
3. Układ PCB:Umieść TVS jak najbliżej chronionego złącza lub portu, zapewniając krótkie, bezpośrednie ścieżki sygnału i minimalny obszar pętli uziemienia, aby zminimalizować pasożytniczą indukcyjność przewodu.
4. Obniżanie mocy:Jeśli temperatura otoczenia przekroczy 25℃ lub szerokość impulsu odbiega od standardowego kształtu fali 8/20μs, należy obniżyć moc P PK zgodnie z rys. 1 (moc szczytowa impulsu w funkcji szerokości impulsu) i rys. 2 (krzywa obniżania mocy w zależności od temperatury).
5. Współczynnik wypełnienia impulsu: FSM jest określony dla pojedynczej fali półsinusoidalnej o maksymalnej liczbie 4 impulsów na minutę; powtarzające się przepięcia muszą zostać ocenione pod kątem średniej mocy rozpraszanej i marginesu cieplnego.
6. Proces lutowania: Sprawdź lutowalność zacisków zgodnie z metodą MIL-STD-750 2026; utrzymuj profil lutowania rozpływowego w granicach termicznych korpusu plastikowego SMB, aby uniknąć uszkodzeń.
7. Uwaga dotycząca użycia dwukierunkowego:Mimo że wersja dwukierunkowa CA toleruje odwrócenie biegunowości, jej charakterystyka napięcia przewodzenia w odwrotnym kierunku przebicia różni się od jednostek jednokierunkowych; należy dokonać odpowiedniego wyboru w przypadku scenariuszy prądu przemiennego lub impulsów dwukierunkowych.

5. Podsumowanie produktu

SMBJ7.0CA to dwukierunkowa dioda TVS klasy SMB o napięciu 7.0 V i mocy 600 W, przeznaczona do montażu powierzchniowego, z matrycą pasywowaną szkłem, szybką reakcją, niskim napięciem zaciskania (12.0 V przy 50 A) oraz obudową trudnopalną UL94V-0. Jej przeznaczeniem jest ochrona przed przepięciami przejściowymi i wyładowaniami elektrostatycznymi (ESD) na niskonapięciowych szynach zasilania i interfejsach I/O. Prace projektowe powinny koncentrować się na dopasowaniu napięcia V RWM do napięcia roboczego linii, koordynacji napięcia zaciskania z wytrzymałością urządzeń końcowych oraz obniżaniu mocy w podwyższonej temperaturze i przy szerszych szerokościach impulsów, aby zapewnić niezawodną ochronę w warunkach przepięć.

O Slkor:

Slkor ma biura badawczo-rozwojowe w Busan w Korei Południowej, Pekinie w Chinach i Suzhou w Chinach. Większość produkcji, pakowania i testowania płytek odbywa się w Chinach. Firma zatrudnia i współpracuje z osobami i organizacjami na całym świecie, posiadając laboratorium do testowania wydajności i niezawodności produktów oraz centralny magazyn w swojej siedzibie w Shenzhen. Slkor złożył ponad sto wniosków patentowych na wynalazki, oferuje ponad 2,000 modeli produktów i obsługuje ponad dziesięć tysięcy klientów na całym świecie. Jej produkty są eksportowane do krajów i regionów, w tym do Europy, obu Ameryk, Azji Południowo-Wschodniej i Bliskiego Wschodu, co czyni ją jedną z najszybciej rozwijających się firm półprzewodnikowych w ostatnich latach. Dzięki dobrze ugruntowanym systemom zarządzania i usprawnionym przepływom pracy Slkor szybko zwiększył świadomość marki i reputację swoich „SLKOR" marki dzięki wyjątkowej jakości i ustandaryzowanym usługom. Oferta produktów obejmuje trzy główne serie: diodas, tranzystory i urządzenia mocy, wraz z niedawnym wprowadzeniem nowych produktów, takich jak elementy Halla i urządzenia analogowe, rozszerzając swoją obecność w czujnikach, mikrokontrolerach Risc-v i innych kategoriach produktów.