Diode de suppression de tension transitoire Slkor SMBJ7.0CA

La SMBJ7.0CA est une diode de suppression de tension transitoire (TVS) bidirectionnelle à montage en surface, en boîtier SMB/DO-214AA, appartenant à la série SMBJ de Slkor. Elle présente une tension de blocage inverse V _RWM de 7.0 V. Fabriquée sur une puce passivée au verre, elle offre une puissance de crête de 600 W, une réponse rapide et une excellente capacité de limitation, avec un moulage conforme à la norme d'inflammabilité UL94V-0. Elle est conçue pour la protection contre les décharges électrostatiques (ESD), les transitoires électromagnétiques (EFT) et les surtensions transitoires au niveau des ports d'E/S, des lignes d'alimentation et des lignes de données haut débit.

Photo du produit Slkor P6SMB22A (diode de protection transitoire)

1. Paramètres clés du produit

Sauf indication contraire, la température ambiante T_A = 25 °C. Les valeurs maximales absolues de la série s'appliquent à toute la gamme SMBJ ; les paramètres électriques spécifiques au SMBJ7.0CA sont indiqués séparément.

1.1 Valeurs maximales absolues pour l'ensemble de la série

• Dissipation de puissance impulsionnelle de crête P PK: 600 W (impulsion non répétitive, T A = 25 ℃ de base ; réduction de puissance en fonction de la largeur d'impulsion et de la température ambiante) ;
• Courant de surtension direct de pointe I FSM: 100A (onde sinusoïdale simple de 8.3 ms ; cycle de service maximal de 4 impulsions par minute) ;
• Tension directe instantanée V F: 3.5 V pour les dispositifs V BR < 100 V à I PP = 35 A ; 5.0 V pour les dispositifs V BR > 100 V ;
• Plage de températures de fonctionnement et de stockage T J /T STG:-55℃ à +150℃.

1.2 Paramètres électriques SMBJ7.0CA

• Tension de blocage inverse V RWM: 7.0 V (bidirectionnel) ;
• Tension de claquage V BR: min 7.78 V, max 8.95 V au courant de test I T = 10 mA ;
• Tension de blocage maximale V C: 12.0 V au courant d'impulsion de crête I PP = 50.0 A ;
• Courant de fuite inverse I R: max 200 μA à V RWM = 7.0 V ;
• Le temps de réponse: rapide (activation intrinsèque à l'échelle de la nanoseconde du TVS).

1.3 Données relatives à l'emballage et aux caractéristiques mécaniques

• Forfait: SMB/DO-214AA CMS en plastique moulé ;
• Indice d'inflammabilité: UL94V-0;
• Poids: environ 0.093 g ;
• Terminaux: plaqué brasure, soudable selon la norme MIL-STD-750, méthode 2026 ;
• Marquage: KM (version bidirectionnelle) ;
• Dimensions du corps (mm): longueur totale 5.00–5.59, largeur du corps 4.06–4.70, hauteur du corps 3.30–3.94, épaisseur 1.91–2.21 ;
• Polarité: un appareil bidirectionnel ne comporte pas de marquage de polarité (les unités unidirectionnelles utilisent une bande ou une encoche cathodique).

2. Principales caractéristiques du produit

1. Construction de puces passivées au verre pour une faible fuite inverse et une fiabilité élevée à long terme.
2. Protection bidirectionnelle (Suffixe CA) sans problème de polarité, convient aux lignes CA ou à polarité incertaine.
3. Puissance d'impulsion de crête de 600 W forme d'onde de surtension équivalente à 8/20 μs.
4. Excellentes performances de serrage: V C aussi bas que 12.0 V à 50 A I PP , limitant la surtension transitoire à un niveau sûr.
5. Temps de réponse rapide pour la suppression des transitoires à l'échelle de la nanoseconde.
6. Boîtier SMB à montage en surface avec moulage ignifuge UL94V-0, compatible avec l'assemblage SMT standard.
7. Famille de tensions larges: la série couvre la plage de tension RWM de 5.0 V à 170 V, avec une variante à faible courant de fuite avec suffixe « A » pour une sélection cohérente au niveau du système.

3 Principaux domaines d'application

1. Protection contre les décharges électrostatiques (ESD) au niveau des ports d'E/S des équipements électroniques.
2. Suppression des surtensions transitoires à l'entrée de l'alimentation et sur les rails secondaires.
3. Protection des interfaces des appareils électroniques portables, des ordinateurs et des périphériques.
4. Électronique automobile et circuits de commande industriels nécessitant une immunité aux surtensions.
5. Protection contre les surtensions transitoires des lignes de communication, de données et de signal.

4. Recommandations en matière de conception technique

1. Sélection de la tension de blocage: V RWM (7.0 V) doit être égal ou supérieur à la tension de fonctionnement CC ou de crête continue de la ligne protégée, garantissant que le dispositif reste non conducteur en fonctionnement normal.
2. vérification de la tension de blocage: Vérifiez que la tension de tenue maximale du CI en aval dépasse la tension de limitation TVS (12.0 V) au courant de surtension prévu ; sinon, sélectionnez une classe V RWM inférieure ou ajoutez une protection secondaire.
3. Circuit impriméPlacez la TVS aussi près que possible du connecteur ou du port protégé, avec des pistes de signal courtes et directes et une zone de boucle de masse minimale afin de minimiser l'inductance parasite des conducteurs.
4. réduction de puissance: Lorsque la température ambiante dépasse 25℃ ou que la largeur d'impulsion s'écarte de la forme d'onde standard de 8/20 μs, déclassez P PK selon la Fig. 1 (puissance d'impulsion de crête en fonction de la largeur d'impulsion) et la Fig. 2 (courbe de déclassement en fonction de la température).
5. cycle de service de pointe: Le FSM est spécifié pour une seule demi-onde sinusoïdale à un maximum de 4 impulsions par minute ; les surtensions répétitives doivent être évaluées pour la dissipation de puissance moyenne et la marge thermique.
6. Processus de soudure: Vérifier la soudabilité des bornes selon la méthode 2026 de la norme MIL-STD-750 ; maintenir le profil de refusion dans les limites thermiques du corps en plastique SMB pour éviter tout dommage.
7. Note sur l'utilisation bidirectionnelleBien que la version bidirectionnelle CA tolère l'inversion de polarité, sa caractéristique de tension directe dans le sens de claquage inverse diffère de celle des unités unidirectionnelles ; choisissez en conséquence pour les scénarios d'impulsions CA ou bidirectionnelles.

5. Informations sur le produit

La diode TVS bidirectionnelle SMBJ7.0CA, de classe SMB et à montage en surface (CMS), fonctionne sous 7.0 V et 600 W. Elle est dotée d'une puce passivée au verre, d'une réponse rapide, d'une faible tension de limitation (12.0 V à 50 A) et d'un boîtier ignifugé UL94V-0. Elle est conçue pour la protection contre les surtensions transitoires et les décharges électrostatiques (DES) sur les lignes d'alimentation basse tension et les interfaces d'E/S. La conception doit veiller à adapter la tension de seuil (V _RWM) à la tension de fonctionnement du réseau, à coordonner la tension de limitation avec les capacités de tenue aux dispositifs en aval et à réduire la puissance nominale en cas de température élevée et de largeur d'impulsion importante afin de garantir une protection fiable en cas de fortes surtensions.

À propos de Slkor :

Slkor possède des bureaux de recherche et développement à Busan, en Corée du Sud, à Pékin, en Chine, et à Suzhou, en Chine. La plupart des opérations de fabrication, de conditionnement et de test des plaquettes sont effectuées en Chine. L'entreprise emploie et collabore avec des particuliers et des organisations du monde entier, avec un laboratoire de test des performances et de la fiabilité des produits et un entrepôt central situé à son siège social à Shenzhen. Slkor a déposé plus d'une centaine de brevets d'invention, propose plus de 2,000 XNUMX modèles de produits et sert plus de dix mille clients dans le monde. Ses produits sont exportés vers des pays et des régions tels que l'Europe, les Amériques, l'Asie du Sud-Est et le Moyen-Orient, ce qui en fait l'une des sociétés de semi-conducteurs à la croissance la plus rapide ces dernières années. Grâce à des systèmes de gestion bien établis et à des flux de travail rationalisés, Slkor a rapidement amélioré la notoriété de sa marque et la réputation de ses produits.SLKOR" par sa qualité exceptionnelle et ses services standardisés. Sa gamme de produits comprend trois grandes séries : diodes, transistors et dispositifs de puissance, avec l'introduction récente de nouveaux produits tels que des éléments Hall et des dispositifs analogiques, élargissant sa présence dans les capteurs, les microcontrôleurs Risc-v et d'autres catégories de produits.