Nasze atuty
- Wysoka wydajność prądowa do 5A w zastosowaniach wymagających dużej mocy
- Bardzo niskie napięcie nasycenia VCE(sat) zapewniające wysoką wydajność i niskie straty mocy
- Szeroki zakres hFE z opcjami stopniowania umożliwiającymi elastyczne dopasowanie obwodów
- Uzupełnienie do 2SB1386 w projektach układów push-pull
- Obudowa do montażu powierzchniowego SOT‑89 zapewniająca łatwy montaż SMT i dobre odprowadzanie ciepła
- Bez ołowiu i przyjazny dla środowiska, zgodny ze standardami branżowymi
- Stabilna praca w szerokim zakresie temperatur
OPIS
2SD2098 to krzemowy tranzystor epitaksjalny NPN w obudowie SOT‑89 do montażu powierzchniowego. Został zaprojektowany do przełączania i wzmacniania wysokoprądowego, charakteryzując się doskonałym wzmocnieniem prądu stałego i niskim napięciem nasycenia. Układ oferuje ciągły prąd kolektora 5 A, napięcie kolektor-emiter 20 V i wysoką częstotliwość przejściową do 150 MHz. Jest szeroko stosowany w układach sterujących i sterujących średniej mocy, stanowiąc uzupełnienie dla 2SB1386.
ROZWIĄZANIA
- Tranzystor krzemowy NPN, para komplementarna z 2SB1386
- Obudowa do montażu powierzchniowego SOT‑89
- Niskie napięcie nasycenia kolektor-emiter VCE(sat)
- Doskonałe charakterystyki wzmocnienia prądu stałego
- Wysoka wydajność prądowa: IC = 5A
- Wysoka częstotliwość przejścia: fT = 150MHz (typ.)
- VCBO = 50 V, VCEO = 20 V, VEBO = 6 V
- Strata mocy kolektora: PC = 500mW
- Temperatura połączenia i przechowywania: od −55℃ do +150℃
- Konstrukcja bezołowiowa
Zastosowania
- Zarządzanie energią i przetwornice DC-DC
- Obwody sterowania i sterowania silnikiem
- Moduły sterowników oświetlenia LED
- Obwody wzmacniaczy mocy audio
- Przenośne urządzenia elektroniczne
- Sterowanie przemysłowe i urządzenia gospodarstwa domowego
- Obwody przełączające o dużym prądzie