Unsere Vorteile
- Hohe Strombelastbarkeit bis zu 5 A für Hochleistungsanwendungen
- Extrem niedrige Sättigungsspannung VCE(sat) für hohe Effizienz und geringe Verlustleistung
- Breiter hFE-Bereich mit Abstufungsoptionen für flexible Schaltungsanpassung
- Ergänzend zu 2SB1386 für Gegentakt-Schaltungsdesigns
- SOT-89-Oberflächenmontagegehäuse für einfache SMT-Bestückung und gute Wärmeableitung
- Bleifrei und umweltfreundlich, entspricht den Industriestandards
- Stabile Leistung über einen weiten Temperaturbereich
Beschreibung
Der 2SD2098 ist ein NPN-Silizium-Epitaxialtransistor im SOT-89-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er ist für Hochstromschaltung und -verstärkung mit exzellenter Gleichstromverstärkung und niedriger Sättigungsspannung ausgelegt. Das Bauteil bietet einen Dauerkollektorstrom von 5 A, eine Kollektor-Emitter-Spannung von 20 V und eine hohe Grenzfrequenz von bis zu 150 MHz. Er findet breite Anwendung in Treiber- und Steuerschaltungen mittlerer Leistung und ist komplementär zum 2SB1386.
Funktionen
- NPN-Siliziumtransistor, komplementäres Paar mit 2SB1386
- SOT-89 Oberflächenmontagegehäuse
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat)
- Ausgezeichnete Gleichstromverstärkungseigenschaften
- Hohe Strombelastbarkeit: IC = 5 A
- Hohe Übergangsfrequenz: fT = 150 MHz (typ.)
- VCBO = 50 V, VCEO = 20 V, VEBO = 6 V
- Verlustleistung des Kollektors: PC = 500 mW
- Sperrschicht- und Lagertemperatur: −55℃ bis +150℃
- Bleifreies Design
Anwendungen
- Energiemanagement und DC/DC-Wandler
- Motorsteuerungs- und Treiberschaltungen
- LED-Beleuchtungstreibermodule
- Audio-Leistungsverstärkerschaltungen
- Tragbare elektronische Geräte
- Industriesteuerungen und Haushaltsgeräte
- Hochstrom-Schaltkreise