Nos avantages
- Capacité de courant élevée jusqu'à 5 A pour les applications de commande de puissance élevée
- Tension de saturation VCE(sat) ultra-faible pour un rendement élevé et de faibles pertes de puissance
- Large gamme de valeurs hFE avec options de gradation pour une adaptation flexible des circuits
- Complémentaire au 2SB1386 pour les conceptions de circuits push-pull
- Boîtier SOT-89 pour montage en surface facilitant l'assemblage SMT et assurant une bonne dissipation thermique.
- Sans plomb et respectueux de l'environnement, conforme aux normes de l'industrie
- Performances stables sur une large plage de températures
Description
Le 2SD2098 est un transistor NPN épitaxié en silicium, encapsulé en boîtier CMS SOT-89. Il est conçu pour la commutation et l'amplification de courants élevés, avec un excellent gain en courant continu et une faible tension de saturation. Ce composant offre un courant de collecteur continu de 5 A, une tension collecteur-émetteur de 20 V et une fréquence de transition élevée, jusqu'à 150 MHz. Il est largement utilisé dans les circuits de commande et de pilotage de moyenne puissance et est complémentaire du 2SB1386.
Fonctionnalités
- Transistor NPN au silicium, paire complémentaire avec 2SB1386
- Boîtier de montage en surface SOT-89
- Faible tension de saturation collecteur-émetteur VCE(sat)
- Excellentes caractéristiques de gain en courant continu
- Capacité de courant élevée : IC = 5 A
- Fréquence de transition élevée : fT = 150 MHz (typ.)
- VCBO = 50 V, VCEO = 20 V, VEBO = 6 V
- Dissipation de puissance du collecteur : PC = 500 mW
- Température de jonction et de stockage : −55℃ à +150℃
- Conception sans plomb
Applications
- Gestion de l'alimentation et convertisseurs CC-CC
- Circuits de commande et de pilotage des moteurs
- modules de commande d'éclairage LED
- circuits d'amplificateurs de puissance audio
- Appareils électroniques portables
- appareils de contrôle industriel et électroménagers
- Circuits de commutation à courant élevé