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Transistor bipolar NPN 2SD2098-R SOT-89

El 2SD2098 es un transistor epitaxial de silicio NPN encapsulado en SOT-89 de montaje superficial. Está diseñado para conmutación y amplificación de alta corriente, con una excelente ganancia de corriente continua y una baja tensión de saturación. El dispositivo ofrece una corriente de colector continua de 5 A, una tensión colector-emisor de 20 V y una alta frecuencia de transición de hasta 150 MHz. Se utiliza ampliamente en circuitos de control y controladores de potencia media, y es complementario al 2SB1386.

Nuestras ventajas


  • Alta capacidad de corriente de hasta 5 A para aplicaciones de accionamiento de alta potencia.
  • Voltaje de saturación ultrabajo VCE(sat) para alta eficiencia y baja pérdida de potencia.
  • Amplio rango de hFE con opciones de clasificación para una adaptación flexible del circuito.
  • Complementario al 2SB1386 para diseños de circuitos push-pull.
  • Encapsulado SOT-89 de montaje superficial para un fácil ensamblaje SMT y una buena disipación de calor.
  • Sin plomo y respetuoso con el medio ambiente, conforme a los estándares de la industria.
  • Rendimiento estable en un amplio rango de temperaturas.

Mareas Ideales para Lecciones


El 2SD2098 es un transistor epitaxial de silicio NPN encapsulado en SOT-89 de montaje superficial. Está diseñado para conmutación y amplificación de alta corriente, con una excelente ganancia de corriente continua y una baja tensión de saturación. El dispositivo ofrece una corriente de colector continua de 5 A, una tensión colector-emisor de 20 V y una alta frecuencia de transición de hasta 150 MHz. Se utiliza ampliamente en circuitos de control y controladores de potencia media, y es complementario al 2SB1386.

CARACTERÍSTICAS


  • Transistor de silicio NPN, par complementario con 2SB1386
  • Encapsulado de montaje superficial SOT-89
  • Bajo voltaje de saturación colector-emisor VCE(sat)
  • Excelentes características de ganancia de corriente continua
  • Alta capacidad de corriente: IC = 5A
  • Alta frecuencia de transición: fT = 150 MHz (típ.)
  • VCBO = 50V, VCEO = 20V, VEBO = 6V
  • Disipación de potencia del colector: PC = 500 mW
  • Temperatura de unión y almacenamiento: −55℃ a +150℃
  • Diseño sin plomo

Aplicaciones


  • Gestión de energía y convertidores CC-CC
  • Circuitos de control y accionamiento del motor
  • Módulos controladores de iluminación LED
  • Circuitos amplificadores de potencia de audio
  • Dispositivos electrónicos portátiles
  • Control industrial y electrodomésticos
  • Circuitos de conmutación de alta corriente
Nombre
Título
Descripción
2SD2098-R SOT-89​.pdf
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Soporte
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