Diodo de supressão de tensão transiente Slkor SLPESD3V3S1BA-N

O SLPESD3V3S1BA-N é um dispositivo de supressão de sobretensão transiente de canal único. Ele protege componentes eletrônicos sensíveis à tensão contra danos por sobretensão transiente causados ​​por descarga eletrostática (ESD), descarga de cabos (CDE) e transientes elétricos rápidos (EFT). Com excelente capacidade de fixação, baixa corrente de fuga e resposta rápida, este dispositivo de montagem em superfície (SMT) em miniatura SOD-523 é adequado para produtos com espaço limitado na placa de circuito impresso e oferece proteção contra sobretensão para linhas de E/S e transmissão de dados de canal único. É fabricado com material livre de halogênio e fornecido em embalagem de fita e carretel de 7 polegadas com 3000 peças por carretel para produção SMT de alto volume.

Foto do produto Diodo de Descarga Eletrostática Slkor SLPESD3V3S1BA-N

1. Parâmetros-chave do produto

1. Especificações de embalagem e mecânicasPacote de montagem em superfície SOD-523, livre de halogênio; fita e carretel de 7 polegadas, 3000 peças por carretel; classificação de inflamabilidade UL94V-0; suporta soldagem por refluxo de alta temperatura de 260℃ / 10s.
2. Parâmetros de tensão elétrica (Tamb=25℃)Tensão máxima de operação reversa \(V_{RWM}\): 3.3V; tensão mínima de ruptura reversa \(V_{BR}\): 3.6V em \(I_T=1\mathrm{mA}\); corrente máxima de fuga reversa: 1.0μA sob tensão nominal de 3.3V.
3. Potência de picoPotência de pico do pulso de 60 W para uma forma de onda de pulso de 8/20 μs.
4. Classificação ESD (IEC61000-4-2)Descarga por contato de ±30kV, descarga por entreferro de ±30kV.
5. Desempenho EFT (IEC61000-4-4): 40A (5/50ns).
6. Tensão de apertoTensão máxima de 6.5 V em pulsos de 8/20 μs com corrente de pulso de 1 A; tensão máxima de 12.0 V em pulsos de 8/20 μs com corrente de pulso de 5 A; tensão de fixação típica do TLP: 9 V em condições equivalentes ao nível 4 da norma IEC61000-4-2.
7. Capacitância de Junção: Máximo de 16.5pF com polarização zero e frequência de teste de 1 MHz.
8. Parâmetros de temperaturaTemperatura de operação: -40℃ ~ +150℃; temperatura de armazenamento: -40℃ ~ +150℃.
9. Canal de proteçãoUm único dispositivo protege uma linha de sinal de E/S.

2. Principais características do produto

1. Resistência ESD de alta qualidadeEm conformidade com a norma IEC61000-4-2, oferece proteção de ±30kV contra descargas por contato e no ar, além de supressão de transientes elétricos rápidos conforme a norma IEC61000-4-4.
2. Bom desempenho de fixaçãoEle limita rapidamente a tensão de surto a um nível baixo quando ocorrem surtos transitórios, protegendo eficazmente os chips sensíveis subsequentes.
3. Corrente de fuga baixaA corrente de fuga é limitada a 1.0 μA na tensão operacional nominal, com baixo consumo de energia estática, ideal para equipamentos alimentados por bateria.
4. Baixa capacitância de junção: Capacitância máxima de 16.5pF com interferência mínima em sinais de alta velocidade, aplicável a interfaces de transmissão de dados e de alta velocidade.
5. Pacote miniatura para montagem em superfícieO formato compacto do SOD-523 economiza espaço na placa de circuito impresso para produtos eletrônicos miniaturizados.
6. Ecológico e compatível com o processo.O material livre de halogênio atende aos requisitos ambientais e é compatível com os processos padrão de soldagem por refluxo SMT.
7. Proteção de canal únicoUm único dispositivo oferece proteção contra ESD e sobretensão para uma porta de E/S.

3. Principais campos de aplicação

• Celulares e acessórios
• Equipamentos eletrônicos baseados em microprocessadores
• Assistentes Digitais Pessoais (PDAs)
• Notebooks, computadores de mesa e servidores
• Instrumentação portátil
• Equipamentos de rede e telecomunicações
• Portas seriais e portas paralelas
• Proteção para diversas interfaces periféricas

4. Recomendações de Projeto de Engenharia

1. Layout e roteamento de PCBPosicione o dispositivo o mais próximo possível do conector de E/S protegido para encurtar os caminhos de sinal. Mantenha as trilhas de retorno de terra curtas e largas para reduzir a indutância parasita, garantindo o rápido desvio da energia de surto para o terra e evitando a degradação do desempenho de proteção.
2. Avaliação de sinais de alta velocidadeDevido à capacitância intrínseca da junção, avalie o impacto de uma capacitância máxima de 16.5 pF na integridade do sinal em linhas de sinal de alta velocidade, a fim de evitar atenuação do sinal e distorção da forma de onda.
3. Redução de potênciaQuando a temperatura ambiente exceder 25 °C, reduza a potência de pico do pulso de acordo com a curva de redução de potência indicada na folha de dados. A operação em potência máxima é proibida em condições de alta temperatura.
4. Correspondência de tensão operacionalA tensão de operação reversa (V_RWM) deste dispositivo é de 3.3 V, sendo adequada apenas para circuitos de sinal ou alimentação de 3.3 V. A tensão CC contínua não deve exceder a tensão reversa máxima de operação; caso contrário, a fuga de corrente aumentará e poderá ocorrer dano permanente ao dispositivo.
5. Nota sobre condições de surtoO dispositivo foi projetado apenas para pulsos transitórios de curta duração, como ESD, CDE e EFT. Ele não suporta sobretensão contínua, que causaria falha direta do dispositivo.
6. Controle do Processo de SoldagemA temperatura máxima de refluxo não deve exceder 260°C e o tempo de soldagem deve ser limitado a 10 segundos para evitar danos térmicos.

5. sumario de produtos

O SLPESD3V3S1BA-N é um supressor de tensão transiente de 3.3 V de canal único em encapsulamento SOD-523. Ele oferece proteção ESD de ±30 kV com as vantagens de baixa corrente de fuga, baixa capacitância de junção e resposta de fixação rápida. Seu tamanho compacto o torna ideal para layouts de PCB de alta densidade.

Este componente é usado principalmente para proteção contra ESD e sobretensão transitória em interfaces de 3.3 V/S e linhas de transmissão de dados, sendo amplamente adotado em eletrônicos de consumo, computadores, telecomunicações e instrumentos portáteis. Na prática de engenharia, é necessário o posicionamento correto do componente, roteamento de aterramento, casamento de tensão e redução da potência em altas temperaturas para obter o desempenho de proteção ideal.

Sobre Slkor:

A Slkor tem escritórios de pesquisa e desenvolvimento em Busan, Coreia do Sul, Pequim, China e Suzhou, China. A maior parte da fabricação, embalagem e testes de wafers são realizados na China. A empresa emprega e colabora com indivíduos e organizações em todo o mundo, com um laboratório para testes de desempenho e confiabilidade de produtos e um depósito central localizado em sua sede em Shenzhen. A Slkor entrou com mais de cem patentes de invenção, oferece mais de 2,000 modelos de produtos e atende a mais de dez mil clientes globalmente. Seus produtos são exportados para países e regiões, incluindo Europa, Américas, Sudeste Asiático e Oriente Médio, tornando-a uma das empresas de semicondutores de rápido crescimento nos últimos anos. Com sistemas de gerenciamento bem estabelecidos e fluxos de trabalho simplificados, a Slkor aumentou rapidamente o reconhecimento da marca e a reputação de seus "SLKOR"marca através de sua excelente qualidade e serviços padronizados. Sua gama de produtos inclui três séries principais: diodos, transistores e dispositivos de potência, com lançamentos recentes de novos produtos, como elementos Hall e dispositivos analógicos, expandindo sua presença em sensores, microcontroladores Risc-v e outras categorias de produtos.