Linha de Apoio
● Pacote de montagem em superfície
● Chave de canal N com RDS baixo (ligado)
● Operado em Gate Drive de baixo nível lógico
MOSFET de canal N de 20 V
sumario de produtos
| V(BR)DSS | RDS(ligado)MAX | ID |
| 20V | 110mΩ@4.5V | 1.2 |
| 150mΩ@2.5V | ||
Característica
● Pacote de montagem em superfície
● Chave de canal N com RDS baixo (ligado)
● Operado em Gate Drive de baixo nível lógico
● Protegido contra ESD
Aplicação
● Comutação de carga/energia
● Comutação de interface
● Gerenciamento de bateria para eletrônicos portáteis ultrapequenos
● Mudança de nível lógico
Suporte
Se precisar de suporte técnico/de design, informe-nos preenchendo o Formulário de Resposta. Entraremos em contato o mais breve possível.
Longevidade
O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.















