Вчера в программе «Три поколения с половиной ветра» сообщалось о расширении производства и привлечении финансирования на сумму более 30 миллиардов юаней девятью компаниями, включая Sanan, Luxiao и Star, в первом квартале этого года.Bosch,РИМ,TSMC и СК СилтронЕще шесть компаний также расширяют свои мощности по производству полупроводников третьего поколения.
 

Среди них – запуск производства на новейшем немецком заводе Bosch, построенном с инвестициями в 7.7 миллиарда юаней; также завершено строительство нового завода Rohm.Общий объем инвестиций составляет приблизительно 3.6 миллиарда юаней.,Производственные мощности по выпуску карбида кремния увеличатся в пять раз.Кроме того, недавно появились слухи о том, что компания TSMC приобрела 16 единиц оборудования для производства нитрида галлия.Производственная мощность превысит 10 000 штук., в то время как ее клиенты сообщили, что TSMCВ этом году производственная мощность по выпуску нитрида галлия составитУлучшено в 40 раз.

Благодаря постоянному наращиванию производственных мощностей, цены на полупроводниковые изделия третьего поколения снижаются. Недавно одна иностранная компания сообщила, что цена ее транзисторов из нитрида кремния упала до менее чем 1 доллара США.

На новых заводах Bosch и ROHM будет налажено производство.

Сообщается, что компания TSMC увеличила производственные мощности в 40 раз.

9 марта, как сообщает издание "Robotics & Automaiton", завод Bosch Group в Дрездене, Германия, начал производство первой партии полупроводниковых пластин. По имеющимся данным, инвестиции в завод составляют приблизительно 1 миллиард евро (7.7 миллиарда юаней). Bosch разрабатывает на этом заводе продукцию из карбида кремния с 2019 года. Член совета директоров Bosch Харальд Крёгер заявил, что запуск завода ожидается к концу этого года.  Компания ROHM также построила новый завод по производству чипов из карбида кремния. По данным Nikkei Online, в январе 2021 года Rohm Investment провела церемонию завершения строительства нового завода в Миядзаки. Производственное оборудование уже установлено, и новый завод будет официально введен в эксплуатацию в 2022 году. Ранее Rohm заявляла, что планирует инвестировать в завод в Миядзаки в общей сложности 60 миллиардов иен (приблизительно 3.58 миллиарда юаней) к концу марта 2025 года, чтобы увеличить производственные мощности по выпуску чипов из карбида кремния в 16 раз по сравнению с 2016 годом, при этом мощность по производству силовых полупроводников из карбида кремния для электромобилей увеличится в пять раз по сравнению с текущим уровнем.
  23 февраля компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. сообщила о приобретении 16 единиц оборудования, связанного с производством нитрида галлия (GaN). В настоящее время у TSMC имеется шесть единиц оборудования для производства 6-дюймовых пластин. После завершения этой инвестиции количество оборудования для производства GaN увеличится более чем втрое, а производственная мощность возрастет до более чем 10 000 единиц.
  Заявление GaN Systems подтверждает слухи о расширении производства TSMC. 8 февраля GaN Systems сообщила, что объем поставок GaN-транзисторов достиг 20 миллионов единиц, а также заявила, что ее партнеры по производству увеличат производственные мощности в 40 раз в 2021 году. Генеральный директор GaN Systems Джим Уитем заявил, что огромные объемы поставок обусловлены значительным ростом спроса и стремлением Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) к увеличению производственных мощностей с опережением спроса.
  В исследовании "Тенденция трех с половиной поколений", основанном на анализе новостей из зарубежных СМИ, было установлено, что расширение производства полупроводников третьего поколения стало глобальным явлением:
 

• Южнокорейская компания SK Siltron начала мелкосерийное производство кремниево-карбидных пластин.
• Завод в Ньюпорте (Великобритания) планирует внедрить технологию производства GaN HEMT на основе кремния с напряжением 650 В на платформе 200-мм (8-дюймовых) пластин, чтобы увеличить текущую производственную мощность с 8,000 пластин в неделю до 14,000 пластин в неделю.
• Компания Cambridge GaN Devices объявила о привлечении 9.5 миллионов долларов в рамках финансирования серии А для расширения своего портфеля силовых полупроводниковых приборов.
• Индия также рассматривает возможность строительства заводов по производству микросхем. Местные чиновники считают, что наилучшие возможности для создания таких заводов в Индии связаны с полупроводниками на основе сложных соединений, такими как нитрид галлия и карбид кремния.

   

рост объема заказов

Цены начинают падать

Благодаря таким рынкам, как зарядные устройства, электромобили и сети связи 5G, объем заказов на полупроводники третьего поколения продолжает расти. Помимо объявления компании GaN Systems о поставке более 20 миллионов единиц продукции, поставщик испытательного оборудования Aehr Test Systems также сообщил 22 февраля о получении заказа на расходные материалы WaferPak на сумму 1.3 миллиона долларов США. Ранее его клиенты устанавливали многопластинчатые испытательные системы FOX. Эти заказы предназначены для массового тестирования силовых полупроводников из карбида кремния и другой продукции для электромобилей.

По мере роста производства цена полупроводников третьего поколения продолжает снижаться. Недавно компания GaN Systems объявила, что цена ее GaN-транзисторов упала ниже 1 доллара.

Предупреждение: Данная статья воспроизведена из издания "Third Generation Semiconductor Trend", которое поддерживает защиту прав интеллектуальной собственности. Пожалуйста, укажите первоисточник и автора перепечатки. В случае обнаружения каких-либо нарушений, пожалуйста, свяжитесь с нами для удаления публикации.

Номер телефона компании: +86-0755-83044319
Факс: +86-0755-83975897
Почта: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Менеджер Ли

QQ: 332496225 Менеджер Цю

Адрес: Комната 809, корпус C, технологический корпус Чжаньтао, проспект Миньчжи, 1079, новый район Лунхуа, Шэньчжэнь.