Ontem, o programa "Três Gerações e Meio Ventos" noticiou a expansão da produção e o financiamento de mais de 30 bilhões de yuans por nove empresas, incluindo Sanan, Luxiao e Star. No primeiro trimestre deste ano,Bosch,Roma,TSMCeSK SiltronOutras seis empresas também estão expandindo sua capacidade de produção de semicondutores de terceira geração.
 

Entre elas, a mais recente fábrica alemã construída pela Bosch, com um investimento de 7.7 bilhões de yuans, já iniciou a produção; a nova fábrica da Rohm também foi concluída.O montante total investido é de aproximadamente 3.6 bilhões de RMB.,A capacidade de produção de carboneto de silício aumentará cinco vezes.E recentemente surgiram rumores de que a TSMC teria adquirido 16 equipamentos de nitreto de gálio.A capacidade de produção ultrapassará 10,000 peças., enquanto seus clientes revelaram que a TSMCA capacidade de produção de nitreto de gálio deste ano será deMelhoria de 40 vezes.

Com a melhoria contínua da capacidade de produção, o preço dos semicondutores de terceira geração tem diminuído. Recentemente, uma empresa estrangeira revelou que o preço de seus transistores de nitreto de silício caiu para menos de US$ 1.

Novas fábricas da Bosch e da ROHM entrarão em produção.

Foi revelado que a TSMC aumentou sua capacidade de produção em 40 vezes.

Segundo a revista "Robotics & Automation", em 9 de março, a fábrica de chips do Grupo Bosch em Dresden, Alemanha, iniciou a produção do primeiro lote de wafers semicondutores. De acordo com informações, o investimento na fábrica é de aproximadamente 1 bilhão de euros (7.7 bilhões de yuans). A Bosch desenvolve produtos de carboneto de silício nessa fábrica desde 2019. Harald Kroeger, membro do conselho da Bosch, afirmou que a previsão é de que a fábrica de chips inicie suas operações até o final deste ano.  A ROHM também construiu uma nova fábrica de chips de carbeto de silício. Segundo o Nikkei Online, em janeiro de 2021, a Rohm Investment realizou uma cerimônia de conclusão da nova fábrica em Miyazaki. Os equipamentos de produção já foram instalados e a nova fábrica entrará oficialmente em operação em 2022. A Rohm declarou anteriormente que planeja investir um total de 60 bilhões de ienes (aproximadamente 3.58 bilhões de yuans) na fábrica de Miyazaki até o final de março de 2025 para expandir a capacidade de produção de chips de SiC em 16 vezes em relação a 2016, sendo que a capacidade de produção de semicondutores de potência de SiC para veículos de nova energia será cinco vezes maior que o nível atual.
  Em 23 de fevereiro, a Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. (TSMC) anunciou a aquisição de 16 unidades de equipamentos para a produção de semicondutores de nitreto de gálio (GaN). A TSMC possui atualmente seis unidades desse tipo de equipamento. Com esse investimento, o número de seus equipamentos para GaN mais que triplicará, e sua capacidade de produção aumentará para mais de 10,000 unidades.
  O anúncio da GaN Systems confirma os rumores de expansão da produção da TSMC. Em 8 de fevereiro, a GaN Systems afirmou que seus embarques de transistores GaN atingiram 20 milhões de unidades e também declarou que seus parceiros de fábrica aumentarão a capacidade de produção em 40 vezes em 2021. O CEO da GaN Systems, Jim Witham, disse que os enormes embarques da empresa se devem ao grande crescimento da demanda e ao compromisso da Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) em aumentar a capacidade de produção antes mesmo do aumento da demanda.
  O estudo "Tendência de Três Gerações e Meia" compilou notícias da mídia estrangeira e constatou que a expansão da produção de semicondutores de terceira geração se tornou um fenômeno global:
 

• A empresa sul-coreana SK Siltron iniciou a produção em pequena escala de wafers de carbeto de silício.
• A fábrica de Newport, no Reino Unido, planeja aplicar o processo GaN HEMT de 650V baseado em silício, em nível de fundição, à plataforma de wafers de 200 mm (8 polegadas) para expandir a capacidade atual de produção de wafers de 8,000 wafers/semana para 14,000 wafers/semana.
• A Cambridge GaN Devices anunciou que recebeu US$ 9.5 milhões em financiamento da Série A para expandir seu portfólio de produtos de dispositivos de potência.
• A Índia também está considerando construir fábricas de chips. Autoridades locais acreditam que a melhor oportunidade para a Índia construir fábricas de chips reside em semicondutores compostos, como nitreto de gálio e carbeto de silício.

   

Crescimento do volume de pedidos

Os preços começam a cair.

Impulsionado por mercados como carregadores, veículos elétricos e comunicações 5G, o volume de encomendas de semicondutores de terceira geração continua a crescer. Além do anúncio da GaN Systems de que já enviou mais de 20 milhões de unidades, a fornecedora de equipamentos de teste Aehr Test Systems também anunciou, em 22 de fevereiro, que recebeu uma encomenda de US$ 1.3 milhão para consumíveis WaferPak. Seus clientes já haviam instalado sistemas de equipamentos de teste multi-wafer FOX. Essas encomendas destinam-se a testes de produção em massa de semicondutores de potência de carbeto de silício e outros produtos para veículos de novas energias.

Com o aumento contínuo da produção, o preço dos semicondutores de terceira geração continua a cair. Recentemente, a GaN Systems anunciou que o preço de seus transistores GaN caiu para menos de US$ 1.

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