Горячая линия обслуживания
Новости
Новости
Почему мне следует выбирать напряжение 1200 В в качестве рабочего напряжения IGBT в индукционной плите?
2022-03-17
311
Почему вы выбрали напряжение 1200 В для рабочего напряжения IGBT в индукционной плите?
Диапазон колебаний коммерческой мощности 20 В составляет 5% плюс 10% страховой коэффициент, что составляет 15%. 220 X115% = 253 В, обычно используется напряжение 265 В переменного тока. После выпрямления и фильтрации напряжение постоянного тока представляет собой формулу × 265 = 374 В.
В индукционной плите нагрузкой IGBT является катушка индуктивности, расположенная в нижней части кастрюли. При выключении IGBT на катушке возникает индуцированное напряжение, равное напряжению источника питания и наложенное на него. В этом случае выдерживаемое напряжение IGBT составляет 374 × 2 = 748 В.
Хотя внутренний диод находится в IGBT, благодаря эффекту свободного хода индуцированное напряжение быстро истощится, но это займёт время, хотя и очень короткое. Учитывая ненормальную ситуацию с индуктивным контуром и коэффициентом страхования 20%, получаем 748 × (10 20%) = 898 В. То есть, 809% от VCES составляет 898 В. Тогда значение VCES, которое следует выбрать, составляет 898 ÷ 80% = 1123 В, поэтому естественно выбрать напряжение 1200 В.
Выше представлен однотрубный ключ. В полумостовой или мостовой схеме IGBT обычно выдерживает только половину пикового напряжения, поэтому можно выбрать IGBT с номинальным напряжением 600 В. Однако, учитывая, что отказ одного плеча моста (один IGBT в полумостовой или мостовой схеме является одним из плеч моста) может привести к тому, что всё пиковое напряжение будет приходиться на другое плечо моста, номинальная мощность мало влияет на падение напряжения при включении/выключении IGBT, и если требования к стоимости невелики, безопаснее выбрать напряжение 1200 В. При использовании VMOS-транзистора (VMOS) определённо будет выбрано напряжение 600 В.
Диапазон колебаний коммерческой мощности 20 В составляет 5% плюс 10% страховой коэффициент, что составляет 15%. 220 X115% = 253 В, обычно используется напряжение 265 В переменного тока. После выпрямления и фильтрации напряжение постоянного тока представляет собой формулу × 265 = 374 В.
В индукционной плите нагрузкой IGBT является катушка индуктивности, расположенная в нижней части кастрюли. При выключении IGBT на катушке возникает индуцированное напряжение, равное напряжению источника питания и наложенное на него. В этом случае выдерживаемое напряжение IGBT составляет 374 × 2 = 748 В.
Хотя внутренний диод находится в IGBT, благодаря эффекту свободного хода индуцированное напряжение быстро истощится, но это займёт время, хотя и очень короткое. Учитывая ненормальную ситуацию с индуктивным контуром и коэффициентом страхования 20%, получаем 748 × (10 20%) = 898 В. То есть, 809% от VCES составляет 898 В. Тогда значение VCES, которое следует выбрать, составляет 898 ÷ 80% = 1123 В, поэтому естественно выбрать напряжение 1200 В.
Выше представлен однотрубный ключ. В полумостовой или мостовой схеме IGBT обычно выдерживает только половину пикового напряжения, поэтому можно выбрать IGBT с номинальным напряжением 600 В. Однако, учитывая, что отказ одного плеча моста (один IGBT в полумостовой или мостовой схеме является одним из плеч моста) может привести к тому, что всё пиковое напряжение будет приходиться на другое плечо моста, номинальная мощность мало влияет на падение напряжения при включении/выключении IGBT, и если требования к стоимости невелики, безопаснее выбрать напряжение 1200 В. При использовании VMOS-транзистора (VMOS) определённо будет выбрано напряжение 600 В.
粤公网安备44030002007346号