Sản phẩm
Sản phẩm
MOSFET cải tiến kênh N SL17N06DN1 TO-252

● Thiết kế ô mật độ cao cho Rdson cực thấp

● Độ ổn định và tính đồng nhất tốt với EA cao

● Gói tuyệt vời giúp tản nhiệt tốt

Tính năng chung

V DS =60V. I D =17A

R DS(ON) <73 mΩ V GS =10V

R DS(ON) < 88 @V GS =4.5V

Cải thiện khả năng dv/dt

Thiết kế tế bào mật độ cao cho hệ số Rdson cực thấp

Độ ổn định và tính đồng nhất tốt với EA cao

● Gói tuyệt vời để tản nhiệt tốt

Ứng dụng

Ứng dụng chuyển mạch nguồn

Mạch chuyển mạch cứng và mạch tần số cao

● Ổ đĩa động cơ


Họ tên
Yêu sách
Mô tả Chi tiết
Bảng dữliệu
Trợ giúp

Trợ giúp

 

Nếu bạn cần hỗ trợ thiết kế/kỹ thuật, vui lòng cho chúng tôi biết và điền vào Mẫu phản hồi. Chúng tôi sẽ liên hệ lại với bạn trong thời gian sớm nhất.

Tuổi thọ

 

Chương trình Tuổi thọ nhằm mục đích cung cấp cho khách hàng thông tin định kỳ về thời gian dự kiến ​​có thể đặt hàng sản phẩm của chúng tôi. Chương trình Tuổi thọ được ban quản lý cấp cao xem xét và cập nhật thường xuyên. Xem chương trình tuổi thọ của chúng tôi tại đây.

whatsapp

Đường dây nóng dịch vụ

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950