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SL17N06DN1 MOSFET de aprimoramento de canal N TO-252

● Design de célula de alta densidade para Rdson ultrabaixo

● Boa estabilidade e uniformidade com alta EAs

● Excelente pacote para boa dissipação de calor

Características gerais

● V DS = 60 V. I D = 17 A

R DS(ON) <73 mΩ V GS =10V

R DS(ON) <88 m Ω @V GS =4.5V

● Capacidade dv/dt aprimorada

● Design de células de alta densidade para Rdson ultrabaixo

● Boa estabilidade e uniformidade com alta EAs

● Excelente pacote para boa dissipação de calor

Aplicações

● Aplicação de comutação de energia

● Circuitos de comutação rígida e de alta frequência

● acionamento do motor


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Suporte

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Longevidade

 

O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.

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