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SL17N06DN1 MOSFET de aprimoramento de canal N TO-252

● Design de célula de alta densidade para Rdson ultrabaixo

● Boa estabilidade e uniformidade com alta EAs

● Excelente pacote para boa dissipação de calor

Características gerais

V DS = 60 V. I D = 17 A

R DS(ON) <73 mΩ V GS =10V

RDS (ON)<88 mΩ@VGS= 4.5V

Capacidade dv/dt aprimorada

Design de células de alta densidade para Rdson ultrabaixo

Boa estabilidade e uniformidade com alta EAs

● Excelente pacote para boa dissipação de calor

Aplicações

Aplicação de comutação de energia

Circuitos de comutação rígida e de alta frequência

● acionamento do motor


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