ผลิตภัณฑ์
ผลิตภัณฑ์
SL17N06DN1 การเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel MOSFET TO-252

● การออกแบบเซลล์ความหนาแน่นสูงสำหรับ Rdson ที่ต่ำเป็นพิเศษ

● มีเสถียรภาพและความสม่ำเสมอที่ดีเยี่ยม พร้อมค่า EA สูง

● แพ็คเกจดีเยี่ยมเพื่อการระบายความร้อนได้ดี

คุณสมบัติทั่วไป

● V DS = 60V. I D = 17A

R DS(ON) <73 mΩ V GS =10V

R DS(ON) <88 m Ω @V GS =4.5V

●ปรับปรุงความสามารถในการวัด dv/dt

●การออกแบบเซลล์ความหนาแน่นสูงเพื่อลดค่า Rdson ให้ต่ำเป็นพิเศษ

●มีเสถียรภาพและความสม่ำเสมอที่ดีเยี่ยม พร้อมค่า EA สูง

● แพ็คเกจดีเยี่ยม ระบายความร้อนได้ดี

การใช้งาน

●การใช้งานสวิตช์พลังงาน

●วงจรแบบสวิตช์แข็งและความถี่สูง

● มอเตอร์ขับเคลื่อน


ชื่อ
ชื่อหนังสือ
รายละเอียด
แผ่นข้อมูล
Support

Support

 

หากคุณต้องการความช่วยเหลือด้านการออกแบบ/เทคนิค โปรดแจ้งให้เราทราบและกรอกแบบฟอร์มตอบกลับ เราจะติดต่อกลับคุณโดยเร็วที่สุด

ช่วงชีวิต

 

โปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้า (Longevity Program) มีจุดประสงค์เพื่อให้ข้อมูลแก่ลูกค้าของเราเป็นระยะๆ เกี่ยวกับระยะเวลาที่คาดว่าจะสามารถสั่งซื้อสินค้าของเราได้ โปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้าได้รับการตรวจสอบและปรับปรุงอย่างสม่ำเสมอโดยทีมผู้บริหารของเรา ดูรายละเอียดโปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้าได้ที่นี่

whatsapp

บริการสายด่วน

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950