Prodotti
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SL17N06DN1 MOSFET di potenziamento a canale N TO-252

● Design delle celle ad alta densità per Rdson ultra basso

● Buona stabilità e uniformità con elevati valori di EA

● Pacchetto eccellente per una buona dissipazione del calore

Caratteristiche generali

● V DS =60V. I D =17A

R DS(ON) <73 mΩ V GS =10V

R DS(ON) <88 m Ω @V GS =4.5V

● Capacità dv/dt migliorata

● Design delle celle ad alta densità per un Rdson estremamente basso

● Buona stabilità e uniformità con elevati valori di EA

● Pacchetto eccellente per una buona dissipazione del calore

Applicazioni

● Applicazione di commutazione di potenza

● Circuiti ad alta frequenza e a commutazione rigida

● comando a motore


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Assistenza

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