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SL17N06DN1 N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET TO-252

● Zelldesign mit hoher Dichte für extrem niedrigen Rdson

● Gute Stabilität und Gleichmäßigkeit bei hohen EA-Werten

● Hervorragende Verpackung für gute Wärmeableitung

Allgemeine Merkmale

● V<sub> DS</sub> = 60 V, I <sub>D</sub> = 17 A

R DS(ON) <73 mΩ V GS =10V

R DS(ON) < 88 m Ω bei V GS = 4.5 V

● Verbesserte dv/dt-Fähigkeit

● Hochdichtes Zelldesign für extrem niedrige Rdson-Werte

● Gute Stabilität und Gleichmäßigkeit bei hohen EA-Werten

● Ausgezeichnetes Paket für gute Wärmeableitung

Anwendungen

● Anwendung zur Leistungsschaltung

● Hartgeschaltete und Hochfrequenzschaltungen

● Motorantrieb


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Titel
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Unterstützung

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Langlebigkeit

 

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