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SL17N06DN1 N チャネルエンハンスメント MOSFET TO-252

●超低Rdsonを実現する高密度セル設計

● 高いEA値で優れた安定性と均一性を実現

●放熱性に優れたパッケージです。

一般的な特徴

V DS =60V、I D =17A

R DS(ON) <73 mΩ V GS =10V

RDS(ON)<88 mΩ@VGS= 4.5V

dv/dt機能の向上

超低Rdsonを実現する高密度セル設計

高いEA値で優れた安定性と均一性を実現

● 放熱性に優れたパッケージ

用途

電源スイッチングアプリケーション

ハードスイッチング回路および高周波回路

● 電動機駆動


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耐用性アップ

 

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