华润微电子、新能源、杨捷、杰捷这几家公司的IGBT优势是什么？
 
功率半导体行业现状：预计到2025年，国内功率半导体市场规模将达到50亿元，目前国产化渗透率很低。预测未来功率半导体的三大主要应用领域为：汽车、光伏和工业控制。此外，白电、高压电网和轨道交通等领域也存在一些应用。  
（1）工业控制市场：2018年以前，国内功率半导体主要集中在工业控制领域，市场规模达100亿元；（2）车载新能源汽车市场：预计到2025年，国内电动汽车市场规模将超过100-150亿元；2019年至2020年新能源汽车销量增长不明显，但自2020年10月起开始回升。单车功率半导体价值3,000元。预计2021年国内销量将达到200万台（市场规模60亿元），2025年国内目标销量将达到500万台（市场规模150亿元）；（3）光伏逆变器市场：去年从130GW增至180GW。光伏逆变器发展迅速，1GW光伏逆变器应用功率半导体产业价值达4000万元。因此，2020年180GW的光伏产业规模也带动了超过70亿元人民币的功率半导体产业。国内光伏逆变器厂商占据了全球60%的市场份额（如固维、阳光电源、银浪、华为等）。  
  问：功率半导体市场繁荣现状 答：今年IGBT功率半导体价格上涨主要来自以下几个方面：(1)新能源汽车和光伏市场对IGBT的需求快速增长；(2)受疫情影响，目前大部分IGBT依赖进口，且许多封装和测试环节都在东南亚（马来西亚等地），这些地区目前处于停工状态，加剧了供应短缺；(3)英飞凌工业控制IGBT目前的交货周期为半年，车规IGBT的交货周期为一年。2022-2023年后，随着疫情缓解和工厂复工，英飞凌的交货周期可能会有所放宽；但是，对于IGBT模块而言，汽车和光伏市场增长迅速，供应短缺的情况可能还会持续。只有当英飞凌 12 英寸芯片和几条国内 12 英寸芯片（思兰微、华宏、吉塔、华润微等）生产线投入运营后，这种情况才能得到缓解。  
问：新能源汽车IGBT市场及国内主要企业的优势和劣势是什么？答：比亚迪是国内首家开始生产IGBT的企业；（1）2008年，比亚迪收购了宁波中威IDM晶圆厂，开始自主生产IGBT。2010年至2011年，比亚迪组建团队开始研发车载IGBT；2012年，比亚迪进口自有品牌汽车，2015年，自主研发的IGBT开始量产。（2）2015年以前，比亚迪80%的芯片都采购自英飞凌，然后封装后用于自有品牌汽车，例如唐、松等；（3）2015年以后，比亚迪自主生产的2.5代IGBT芯片问世，其中80%的芯片为自用，20%为外购。 （4）2017-2018年IGBT 4.0芯片问世后，比亚迪基本开始使用自家芯片。目前比亚迪IGBT装机容量最大，累计使用自家芯片的产量已达100万颗。2017年，比亚迪开始推广自家芯片和模块。然而，比亚迪IGBT 4.0只能与英飞凌IGBT相媲美。2.5mm的IGBT采用的是平面+FS结构，性能不如国内厂商的沟槽式芯片（比星芯、宏碁、思兰微的第四代IGBT落后一代，导致饱和压降相差2V，而沟槽式芯片虽然厚度较薄，压降相差1.4V，但平面结构的损耗较大，最终影响输出功率效率）。因此，目前比亚迪IGBT量产的外部客户只有深圳蓝海华腾，该公司生产商用物流车；其他乘用车厂商则没有使用比亚迪IGBT。一是性能相对落后，二是比亚迪自主研发的模块采用定制封装，与目前A71、A72等模块的标准化封装不同；（5）比亚迪最新的IGBT在2020年底推出5.0版本后，将能够与国内同类沟槽式芯片（例如英飞凌4.0代IGBT以及星科、思兰微的沟槽式产品）进行对标。这取决于比亚迪今年在新产品推广方面能否取得进展。  
第二星半导体：（1）公司于2008年开始生产IGBT，最初采用芯片采购和自行封装的方式；（2）2015年，英飞凌收购了IR（国际整流器），并解散了IR原有的芯片团队。星半导体接管了该团队，并在IR第七代芯片（英飞凌第四代芯片）的基础上迭代开发；（3）2016年，公司开始推广自主研发的芯片，并得到了英伟达、英威通等客户的推广。该芯片是在他人芯片的基础上进行改进和简化，因此取得了成功，并迅速在国内OEM厂商中得到推广；（4）2017年开始应用于电子控制和汽车制造商；（5）目前，星半导体自主研发的芯片在工厂的产量占比已达70%，但在车辆规格方面，应用领域广泛，包括A00级车辆、公交车和物流车辆等。然而，他的750V A级车用模块尚未达到车辆法规要求，寿命仅为4-5年（要求超过10年），且故障率不符合标准（年故障率为50ppm）；A级车OEM厂商更倾向于选择IDM厂商来引进车载IGBT模块，因为对芯片寿命、可靠性和故障率的要求很高。IDM厂商能够控制晶圆厂的工艺和参数。星辰科技的芯片是无晶圆厂生产的，无法证明其芯片材料是车用级的；（虽然工厂最终出货的模块是车用级的，但芯片材料无法保证）。无晶圆厂生产车用级产品的局限性在于：星辰科技向华虹下单。晶圆出货后，芯片要经过多轮筛选、测试和质量检验，然后进行封装。封装后，还要进行老化测试、动态负载测试等，最终交付给整机客户。然而，IDM模式可以在晶圆厂实现很多质量控制。通过使参数保持一致，芯片可以达到汽车级标准，并且发布后无需经过多轮筛选；
第三，中车电气：（1）2012年收购英国丹尼克斯公司，开始进行IGBT研发。（2）2015年建立晶圆厂，初期研发用于轨道交通的6500V/7500V高压IGBT模块。2017年，由于验证过程，产能相对闲置，因此开始生产车规级650V/750V/1200V IGBT模块产品； （3）2018年，国内厂商开始有机会进口客车、物流车辆及A00级模块（当时国内主要进口方为中车、比亚迪和星辰，其中中车报价最低；但由于中车原本并非工业控制产品制造商，对车规IGBT及加速放大器的应用了解不深，因此存在一定的局限性；例如：IGBT必须与FRD并联使用。星辰和比亚迪采用1:1的IGBT芯片面积与FRD芯片面积比。中车当时对此了解不多，采用的是1:0.5。在特殊工况下，二极管电流会非常大，一旦发生故障会导致车辆崩溃。因此，中车第一代模块的推广当时并不顺利。2019年至2021年，中车对芯片进行了改进，并与一级客户紧密合作。目前，英诺华、小鹏汽车和理想电子都已对中车进行了两年的质量验证。今年，中车的IGBT将有机会应用于乘用车。我们认为中车的IGBT销量将会提升。目前，中车的产品质量符合车辆法规要求，优于毕斯达和比亚迪。中车的Fab工厂和封装工厂也已达到车辆规格水平。今年中车的整车量产之后，其市场份额将取决于故障率。如果今年的数据良好，中车将有机会占据更大的市场份额。  
第四家公司是思力微：(1) 2018年以前主要从事白色家电产品；(2) 2018年以后开始涉足工业和汽车IGBT领域。在四家公司中，思力微是最新开始生产制造的；(3) 目前，思力微已发布了一些汽车IGBT样品，部分A00级客户已经开始使用。例如，Leapmotor和凌登都采用了思力微的模块。思力微希望走的是类似中车和星辰的路线，先从物流、公交和A00级市场进入。虽然思力微起步较慢，但其优势在于IDM（集成设计模块）。其6英寸、8英寸和12英寸生产线的迭代非常便捷（产品迭代一个版本仅需3个月，而无晶圆厂则需要6个月）。在工业领域，思力微是星辰最大的竞争对手。汽车领域则主要取决于其能否从A00级汽车向A级汽车转型。  
问：国内几家厂商的车用级芯片参数有哪些差异？答：比亚迪IGBT的4.0平面饱和压降超过2V，而星芯、思兰微和中车的沟槽工艺可以达到1.4V-1.6V，平面损耗较大，最终影响输出功率的差异；以A级车的750V模块为例，思兰微目前是国内最好的，可以与英飞凌160kW-180kW的输出功率相媲美。中车也能达到160kW，但达不到180kW。星芯的产品推出较早，功率达到140-150kW。比亚迪采用平面工艺实现了最高的140kW功率，最终也会体现在输出功率上。比亚迪芯片技术落后的原因在于：收购宁波中威的工厂是台积电的二手工厂。这条生产线只能生产6英寸平面芯片，无法生产沟槽芯片。因此，比亚迪新一代5.0沟槽芯片是在华虹代工的（包括那些标杆英飞凌第七代芯片的6.0芯片，可能也在寻找驱动程序）。  
问：国内几家厂商的封装工艺有何不同？答：车规级封装产品分为四代：（1）第一代是单侧间接水冷：模块采用铜底板，模块下方和散热器底板涂抹一层导热硅脂。水从散热器下方流过，模块不与水直接接触。这种模块主要用于经济型解决方案，例如A00、物流车辆等。国内比亚迪、星辰、宏碁等厂商可以批量生产这种封装模块，从工业级封装转换过来也没有技术难度。（2）第二代是单侧直接水冷：底板上设有散热齿（针状鳍片结构），散热器上开槽，将模块插入槽内，水从下方直接流过，模块与水直接接触，周围密封。与上一代相比，散热效率和功率密度将提升30​​%以上；这种模块主要应用于A00级和A级车，并且这种方案主要应用于乘用车领域。国内所有厂商都能进行量产。细微的差别在于，星辰和中车采用铜基板，而比亚迪采用铝硅钛基板。比亚迪的基板可靠性更高，但散热性能不如铜基板。他注重可靠性，牺牲了一些性能。(3) 第三代是双面散热：模块的封装工艺由胶水填充改为塑料密封，两侧均采用间接水冷。散热方式类似于抽屉，模块插入其中；这种模块最初由日本电装（用于丰田普锐斯）制造。华为大力士等国产汽车也采用了这种双面水冷方案。海外厂商，如安森美半导体、英飞凌和电堆等，也都采用了这种方案。在中国，比亚迪（始于2016年）和星辰汽车都在进行这项技术，但工艺要求相对较高（散热器模块封装工艺较为复杂，芯片也有特殊要求，需要芯片双面焊接，因此芯片上表面还需要电镀）。国内的比亚迪和星辰汽车距离量产还有一段距离（大约一年）；（4）第四代是双面直冷式水冷：双面铜底加长针鳍双面散热。目前只有日本日立公司能够量产，并供应给奥迪etron和雷克萨斯等高端车型。中国尚未实现量产，仍处于技术研发阶段。  
问：国内企业现在还从英飞凌采购芯片吗？ 这四家国内企业与英飞凌之间存在怎样的代沟？ 答：目前，Star、Acer 和比亚迪的部分产品仍然使用英飞凌芯片。 Star的外部芯片主要用于工业级IGBT产品。 例如，在电梯、起重机和工业冶金行业，客户会指定模块可以在中国制造，但内部芯片必须进口（例如，Inovance 的客户蒂森克虏伯，一家德国电梯公司）；还有一些特殊的工业冶炼，这些芯片的频率非常高，无法在国内生产，因此需要从国外采购芯片；如果英飞凌芯片用于汽车外部零件并自行封装，价格上就无法与英飞凌竞争；（英飞凌的第七代芯片不向国内设备制造商销售，只销售第四代芯片）。国内方面，星辰、思兰微、中车等厂商，无论主推哪一代产品，实际上都是以英飞凌第四代（沟槽+FS结构）为标杆，目前英飞凌最新的第七代、第五代（第四代的高功率版本）、第六代（第四代的高频版本）都是在第四代基础上进行“挤牙膏式”的升级迭代，并没有质量上的飞跃；相比第四代，第七代缩小了线径（从5微米到3微米，面积减少了20%），芯片厚度也减薄了（从120微米到80微米，导通压降会更好），性能也得到了提升（1200V产品的导通压降从1.7V降至1.4V）。 此外，英飞凌第七代IGBT采用12英寸尺寸，面积更小，成本可能只有第四代的一半。 然而，根据英飞凌的国内销售策略，第七代处理器的价格与第四代处理器相近，大客户的年降价幅度维持在5%（但第七代处理器的性能优于第四代）；国内的思兰微电子、中车和星科电子可以量产英飞凌的第四代处理器，比亚迪4.0跑分优于英飞凌2.5代处理器，5.0跑分优于英飞凌第四代处理器；2018年底，英飞凌推出第七代处理器后，由于其良好的性能，国内的思兰微电子、星科电子和宏碁等厂商都在开发第七代处理器产品。 目前，思兰微和星辰都有第七代样品，但距离量产还有很长的路要走。 第七代IGBT的关键设备是离子注入机等。 该设备受进口限制。 目前国内华宏、思兰微电子和吉塔半导体都有这种产品。 除了英飞凌的第七代处理器之外，席兰微电子也走了另一条路。 效仿日本富士电机，它采用 RC IGBT（将 IGBT 和二极管集成到一个 IC 中，用于汽车），但这种技术尚未实现量产。
问：星空IGBT和华虹之间的关系及进展如何？答：星空和华虹一直以来都是亦敌亦友。2018年英飞凌缺货时，这对星空来说是一个绝佳的国产替代机会。星空采取了切断小客户、独家供应大客户的策略，并在会川启动了生产（紧急材料到货迅速）。去年英飞凌的价格是200亿元，今年可能达到300亿元；缺货导致的价格上涨非常重要。国产化是一个很好的机会，但华虹当时却对星空做了件坏事。它那一年三次提价，从每片2800元涨到了3500元。因此，2019年星空开始在国内外寻找代工厂，包括中芯国际绍兴、日本晶圆厂等。所以星空和华虹的关系可谓是既爱又恨。星空自主计划的IDM产品是1700V高压IGBT和SiC芯片。这项业务是华虹尚未量产的新产品，不会影响华虹的业务量（12英寸芯片是星空半导体1200V以下IGBT芯片）。然而，从整个功率半导体行业的角度来看，大家都想转向IDM模式。首先是为了控制成本、提高毛利率、扩大市场份额；其次是为了提升产品工艺能力。星空半导体推广A级车的策略并不奏效，主要是因为其受限于无晶圆厂模式，追求的是质量和可靠性。未来，星空半导体仍将采用IDM模式。  
问：思创和星芯半导体的12英寸IGBT在下游应用方面有什么区别？答：目前国内12英寸产品主要是为了降低厂商成本，但产品本身其实是相同的。12英寸晶圆工艺更难控制，晶圆翘曲和开裂的风险更高。特别是减薄后的离子注入工艺，更增加了控制难度。思创和星芯半导体生产的12英寸IGBT主要针对英飞凌第四代产品，厚度为120微米。如果要以英飞凌第七代产品为标杆，则需要减薄至80微米，这样更容易出现翘曲和开裂。思创和星芯半导体的12英寸IGBT产品主要应用于工业场景。英飞凌的12英寸IGBT产品于2016年和2017年推出，先进入工业生产线，然后逐步进入车规应用领域。由于车辆法规不断变化，生产线上的所有车辆法规都需要重新认证。  
问：IGBT在电动汽车中的价值是什么？答：IGBT在电动汽车中最有价值的部分是电子控制系统；（1）物流车：采用第一代封装技术，一般使用1200V 450A的半桥模块。单个模块的价格为300元（中车报价为280元）。一辆车的电子控制系统需要三个模块，单车价值约1,000元；（2）客车：目前采用与物流车相同的封装方案（第一代）；但不同档次客车的功率不同。8米客车使用1200V 600A；客车一般为四轮驱动，前后均有电子控制系统。每个电子控制系统使用3个模块，共使用6个模块。单个模块的价格为450-500元，单车价值约3,000元。功率等级较高的10米总线采用1200V、800A，单个模块价格为600元，如果使用6个，整车价格约为3,600元。(3) A00级（小型车）：功率小于80KW，采用第二代封装（HP1模块），英飞凌模块价格约为900元（星牌报价600元）。(4) A级及以上：约15万辆车型采用单一电控方案，使用第二代直冷式HP Drive模块，英飞凌价格在2,000-1,300元之间（星牌1,000元）；20万-150,000万辆一般为四驱，前后各一个电机，进口价格2,600元（国产2,000元）。高端型号：威来ES8（硅基电子控制单元，功率160-180kW，后驱需240kW），一个前驱模块和两个后驱模块并联；因此总共需要三个模块，总价3,000-3,900元。（5）车载OBC：6.6kW慢充IGBT单管，20多个分立器件，总成本不到300元；（6）车载空调：约4kW，采用IPM第一代封装，价值100元以内；（7）电子助力转向，功率200,000-20kW，主要采用75A模块，价值200元以内；（8）充电桩：采用半桥工业IGBT进行300,000kW以内的慢充，价值200元以内。未来将实现100kW以上的超快充。对于更高的功率，将采用碳化硅解决方案，成本将呈指数级增长，可能超过1,000元人民币；
问：国内主要SiC企业的优势和劣势是什么？答：国内SiC产业链尚不完善。在晶圆制造领域，碳化硅二极管可以在国内实现量产。三安光电、瑞能光电和泰科天润等公司已经实现了SiC二极管的量产。思兰光电和华润光电目前尚未实现量产（仍在建设生产线）；SiC MOS的IDM模式还需要更长时间才能实现量产，而发展相对迅速的是无晶圆厂（Fabless）企业，例如展鑫光电和翰鑫光电，它们正在寻求与台湾翰磊光电进行OEM合作。部分碳化硅MOS已开始在OBC和电源领域实现量产。这主要是因为国内晶圆厂技术尚不成熟（栅极氧化层和芯片减薄技术尚未成熟）。与海外厂商相比，国内厂商的工艺水平落后三年以上。在海外，罗姆公司已经生产第三代沟槽式SiC MOS，而意法半导体的SiC则在特斯拉汽车中大规模生产；就碳化硅（SiC）应用而言，全球市场规模约为6-7亿美元。由于成本较高，其应用行业主要分为两类：第一类是高频高效率应用场景，例如光伏发电和高端通信电源。使用SiC二极管替代SiC MOSFET可以降低成本；用SiC二极管替代与IGBT并联的硅基二极管，既能提高效率又能兼顾成本；第二类是车载应用。(1)车载充电宝（OBC）主要应用于充电功率较高的高端车型（12kW和22kW以上），并已开始批量使用SiC MOSFET，因为碳化硅具有较高的充电效率、快速充电和余热回收能力；(2)车载主驱动逆变器主要应用于保时捷Taycan和蔚来ET7等高端车型。较高的效率可以延长电池寿命，并且功率密度也较高。售价在20万至30万之间的中档车型，主要是特斯拉Model 3和比亚迪汉，它们都采用了SiC MOS模块。由于特斯拉和比亚迪是垂直整合的汽车制造商（生产电子控制系统、电池和整车），它们能够清晰地了解性能提升的程度；相对而言，其他汽车公司存在分工，模块制造商无法具体说明使用SiC的优势（例如降低电池成本），而且IGBT模块的价格也在不断下降。虽然SiC可以延长电池寿命，但其在散热方面的优势尚未得到充分发挥。散热优势可以缩小散热系统的尺寸，从而进一步提升其性能。目前特斯拉SiC模块的成本为5,000元，是国内硅基IGBT（1,300-1,500元）的5-8倍，因此国内汽车公司仍在观望。然而，预计到2023年，碳化硅的成本将降至硅基IGBT成本的三倍。在看到更多优势后，原始设备制造商（OEM）将会大力推广使用碳化硅。  
问：比亚迪从谁那里采购SiC？答：比亚迪采购Cree的模块；英飞凌主要推广IGBT7，并不积极推广SiC；因为推广SiC会缩短其硅基产品的寿命。目前，ROHM和Creat正在积极推广碳化硅（占全球基板的80%-90%）；
问：在工业控制和光伏领域，国内IGBT厂商的发展情况如何？答：以创新科技为例，至少需要两家供应商，工业控制方面一家是星科，另一家是宏碁（创新科技是宏碁的股东）；目前产量最大的是星科；（1）星科去年的IGBT产量为2亿，今年的采用规模可能超过3亿（整个IGBT采购量约为1.5亿）；（200）宏碁微的IGBT芯片和封装在工厂发生重大事故，质量问题相对较大，导致产量无法增加，去年为300万-30万；伺服模块去年缺货，低功耗IPM则引进了思力微。（40）思力微将增加小批量产量，后续的工业控制模块也将有机会对思力微进行质量验证；光伏IGBT与工业控制不同，但国内企业对此关注甚少，因为光伏芯片需要高频，频率可达50-100K（工业控制仅需10K）。英飞凌有专门针对高频芯片的研发（国内尚无此类研发）。此外，光伏器件对效率要求极高（98%效率），而能够满足这一要求的海外厂商寥寥无几。定制化需求高，电路拓扑结构也更为复杂（与传统器件不同，为了提高效率，功率半导体必须连续堆叠，从而形成更复杂的电路拓扑结构）。定制化需求非常高。同时，还需要大量的功率模块（包括1200V和650V的IGBT以及SiC二极管）；海外厂商主要能供应英飞凌和安森美半导体的产品，而且海外厂商不超过5-6家。国内生产属于蓝海市场，基本无法供应。只有 Star 和 Acer 提供一些单管产品，模块无法大量供应；
问：Inovance 使用 Silan Micro 的产品情况如何？答：目前仍然可行。去年，我们曾使用 Silan Micro 的 IPM 模块进行掩模机生产。此前，我们使用的是 ST 的 IPM 模块。目前，Silan Micro 的故障率保持在 3/1000 以下，我们之后会考虑增加 Silan Micro 模块产品的采购量（因为我们的模块采购量一直在增加，而国内只有两家公司能够供货）。Inovance 内部设定了零部件国产化率目标。工业产品 2022 年的国产化率目标为 60%，INVT 2022 年的国产化率目标为 80%。因此，国内电力公司在这方面还有很大的提升空间。  
问：Inovance会给Silan Micro多少份额？答：如果我们以本地化率目标为基准，并假设今年采购1.5亿件产品，那么60%的本地化率意味着需要本地化900亿件产品，这些份额将分配给2-3家公司。（可能高达400亿件；Macro和Silan Micro各占200-300亿件；）这取决于它们的业绩表现。
问：SiC二极管在光伏领域的应用现状如何？答：光伏领域也存在IGBT组件。IGBT与二极管并联。目前，SiC二极管正被用于替代IGBT中的硅基FRD二极管。SiC可以显著降低开关损耗，提高光伏逆变器的效率。因此，改用SiC二极管只需略微增加成本，即可获得巨大的收益；国内SiC二极管主要应用于通信站点和大型UPS；目前光伏领域的IGBT组件仍由海外厂商垄断，因此其内部的SiC二极管也主要来自海外。未来，如果星辰和宏碁等厂商开发碳化硅组件，也会考虑本地化生产。  问：华润微电子、新捷能源、阳捷和捷捷在IGBT领域的优势是什么？答：华润微电子是这方面的领头羊；（1）华润微电子大约在2018年开始生产IGBT，今年营收约100亿至2亿元，主要来自单管产品，应该没有模块；（200）新捷能源是纯粹的无晶圆厂（Fabless）企业，没有自己的晶圆厂和模块工厂，难以达到工业和汽车规格（Inovance不会考虑进口），可能主要面向消费级或白色家电应用；（3）捷捷和阳捷有一些SiC二极管样品，但实际销量不大，IGBT产品在市场上还不常见，主要应用于焊接机等相对低端的工业控制领域，在高端工业应用领域并不常见。实际上，比亚迪的情况也类似，其IGBT产品也主要集中在焊接机和电磁炉等领域。进入高端行业仍然需要一个积累过程。  
问：比亚迪半导体其他产品的优势是什么？答：过去，比亚迪芯片代际存在断层，导致销量无法提升，毛利率也相对较低。例如，工业领域的出口销售额仅为50万（远不及国内任何一家IGBT企业），主要用于可变焊机等设备。因此，关键在于比亚迪今年能否将沟槽型芯片推向逆变器工厂等高端工业领域，并取得汽车等外部客户的突破。如果今年的出口销售额仍然只有40万-50万，则意味着其芯片尚未实现升级。  
问：吉利方面表示，思兰微电子的产品迭代速度非常快，是国内最接近英飞凌的产品。您如何评价？答：确实如此。如果拥有自己的晶圆厂，三个月就能迭代出一个版本；如果没有晶圆厂，则需要六个月。思兰微电子的750V芯片可以与英飞凌竞争，功率可达160-180kW，其饱和压降确实是国内最低的。目前，它最大的劣势是整车规格数据相对较晚，基本没有数据。在过去两年汽车市场爆炸式增长的背景下，需要先获取A00级别的质量数据（例如，飞跃汽车使用的那种，但批量较小，功率在80kW以内，寿命要求也较低），并通过物流车辆运输来获取质量数据。国内汽车制造商未来可能会采用其产品。 （从中车的发展路径中可以了解到，除了业绩之外，还有质量的积累）。  
问：思兰微集成电路模块的最低起订量是多少？答：国内市场主要面向白色家电的变频器模块，年销量约为600-7亿片，单价按12-13元计算，国内市场规模约为700-800亿元，价格和毛利率都相对较低。目前，国内主要由思兰微和吉林华为两家厂商生产。星芯科技也开始涉足这一领域，但产量不大，年产量仅为数千万片，因此思兰微目前是最大的厂商。思兰微目前主要进口格力、美的的产品，进口量非常大，今年可能超过8亿片。这是一个本土化、替代安森美半导体（一旦进口，销量增长潜力巨大）的过程；但是，这类集成电路模块的毛利率不会太高。如果你想提高毛利率，你仍然需要做工业级和汽车级产品（Star 的毛利率超过 40%，因为它只做工业控制级和汽车级产品、风力发电产品以及碳化硅产品，这些产品的毛利率都超过 50%）。
问：Silan Micro 12英寸机型的情况如何？

答：量产始于去年年底。思兰微电子的12英寸MOS产品尚处于早期阶段。公司去年生产了1亿颗工业级1200V IGBT，今年预计产量可达100亿至200亿颗。目前，MOS业务有望实现300亿元的营收。

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