華潤微電子、新能源、楊捷、傑捷這幾家公司的IGBT優勢是什麼？
 
功率半導體產業現況：預計2025年，國內功率半導體市場規模將達50億元，目前國產化滲透率很低。預測未來功率半導體的三大主要應用領域為：汽車、光電和工業控制。此外，白電、高壓電網和軌道運輸等領域也存在一些應用。  
（1）工業控制市場：2018年以前，國內功率半導體主要集中在工業控制領域，市場規模達10億元；（2）車載新能源汽車市場：預計到2025年，國內電動汽車市場規模將超過10-15億元；2019年至2020年新能源汽車銷量增長不明顯，但自2020年開始。單車功率半導體價值3,000元。預計2021年國內銷售量將達到2萬台（市場規模60億元），2025年國內目標銷售量將達到6萬台（市場規模5億元）；（3）光伏逆變器市場：去年從130GW增至180GW。光電逆變器發展迅速，1GW光電逆變器應用功率半導體產業價值達15萬元。因此，2020年180GW的光電產業規模也帶動了超過40億元人民幣的功率半導體產業。國內光伏逆變器廠商佔據了全球7%的市場份額（如固維、陽光電源、銀浪、華為等）。  
  Q：功率半導體市場繁榮現狀 答：今年IGBT功率半導體價格上漲主要來自以下幾個方面：(1)新能源汽車和光伏市場對IGBT的需求快速增長；(2)受疫情影響，目前大部分IGBT依賴進口，且許多封裝和測試環節都在東南亞（馬來西亞等地），這些地區目前處於停運，BT2BT2BTIG4037972年的工業交貨週期。 2022-2023年後，隨著疫情緩解和工廠復工，英飛凌的交貨週期可能會有所放寬；但是，對於IGBT模組而言，汽車和光伏市場增長迅速，供應短缺的情況可能還會持續。只有當英飛凌 12 吋晶片和幾條國內 12 吋晶片（思蘭微、華宏、吉塔、華潤微等）生產線投入運作後，這種情況才能得到緩解。  
Q：新能源汽車IGBT市場及國內主要企業的優點和缺點是什麼？答：比亞迪是國內首家開始生產IGBT的企業；（1）2008年，比亞迪收購了寧波中威IDM晶圓廠，開始自主生產IGBT。 2010年至2011年，比亞迪組成團隊開始研發車載IGBT；2012年，比亞迪進口自有品牌車，2015年，自主研發的IGBT開始量產。 （2）2015年以前，比亞迪80%的晶片都採購自英飛凌，然後封裝後用於自有品牌汽車，例如唐、松等；（3）2015年以後，比亞迪自主生產的2.5代IGBT晶片問世，其中80%的晶片為自用，20%為外購。 （4）2017-2018年IGBT 4.0晶片問世後，比亞迪基本上開始使用自家晶片。目前比亞迪IGBT裝置容量最大，累計使用自家晶片的產量已達100萬顆。 2017年，比亞迪開始推廣自家晶片和模組。然而，比亞迪IGBT 4.0只能與英飛凌IGBT相提並論。 2.5mm的IGBT採用的是平面+FS結構，性能不如國內廠商的溝槽式晶片（比星芯、宏碁、思蘭微的第四代IGBT落後一代，導致飽和壓降相差2V，而溝槽式晶片雖然厚度較薄，壓降相差1.4V，但平面結構的損耗效率較大，最終影響溝槽式晶片雖然厚度較薄，壓降相差1.4V，但平面結構的損耗效率較大，最終影響溝槽式晶片）。因此，目前比亞迪IGBT量產的外部客戶只有深圳藍海華騰，該公司生產商用物流車；其他乘用車廠商則沒有使用比亞迪IGBT。一是性能相對落後，二是比亞迪自主研發的模組採用客製化封裝，與目前A71、A72等模組的標準化封裝不同；（5）比亞迪最新的IGBT在2020年底推出5.0版本後，將能夠與國內同類溝槽式晶片（例如英飛凌星科、思蘭微星科、思蘭微槽。這取決於比亞迪今年在新產品推廣方面能否取得進展。  
第二星半導體：（1）公司於2008年開始生產IGBT，最初採用晶片採購和自行封裝的方式；（2）2015年，英飛凌收購了IR（國際整流器），並解散了IR原有的晶片團隊。星半導體接管了該團隊，並在I​​R第七代晶片（英飛凌第四代晶片）的基礎上迭代開發；（3）2016年，公司開始推廣自主研發的晶片，並得到了英偉達、英威通等客戶的推廣。該晶片是在他人晶片的基礎上進行改進和簡化，因此取得了成功，並迅速在國內OEM廠商中得到推廣；（4）2017年開始應用於電子控制和汽車製造商；（5）目前，星半導體自主研發的晶片在工廠的產量佔比已達70%，但在車輛規格方面，應用領域，包括公車和物流等車輛。然而，他的750V A級車用模組尚未達到車輛法規要求，壽命僅為4-5年（要求超過10年），且故障率不符合標準（年故障率為50ppm）；A級車OEM廠商更傾向於選擇IDM廠商來引進車載IGBT模組，因為對晶片壽命、可靠性和故障率的要求很高。 IDM廠商能夠控制晶圓廠的製程和參數。星辰科技的晶片是無晶圓廠生產的，無法證明其晶片材料是車用級的；（雖然工廠最終出貨的模組是車用級的，但晶片材料無法保證）。無晶圓廠生產車用級產品的限制在於：星辰科技向華虹下單。晶圓出貨後，晶片要經過多輪篩選、測試和品質檢驗，然後進行封裝。封裝後，還要進行老化測試、動態負載測試等，最終交付整機客戶。然而，IDM模式可以在晶圓廠實現許多品質控制。透過使參數保持一致，晶片可以達到汽車級標準，並且發布後無需經過多輪篩選；
第三，中車電氣：（1）2012年收購英國丹尼克斯公司，開始進行IGBT研發。 （2）2015年建立晶圓廠，初期研發用於軌道運輸的6500V/7500V高壓IGBT模組。 2017年，由於驗證過程，產能相對閒置，因此開始生產車規級650V/750V/1200V IGBT模組產品； （3）2018年，國內廠商開始有機會進口客車、物流車輛及A00級模組（當時國內主要進口方為中車、比亞迪和星辰，其中中車報價最低；但由於中車原本並非工業控制產品製造商，對車規IGBT及加速放大器的應用了解不深，因此存在一定的限制；例如：IGBT必須與FRD並聯使用。代模組的推廣當時並不順利。銷售量將會提升。  
第四家公司是思力微：(1) 2018年以前主要從事白色家電產品；(2) 2018年後開始涉足工業和汽車IGBT領域。在四家公司中，思力微是最新開始生產製造的；(3) 目前，思力微已發布了一些汽車IGBT樣品，部分A00級客戶已經開始使用。例如，Leapmotor和凌登都採用了思力微的模組。思力微希望走的是類似中車和星星的路線，先從物流、公車和A00級市場進入。雖然思力微起步較慢，但其優勢在於IDM（整合設計模組）。其6吋、8吋和12吋生產線的迭代非常便捷（產品迭代一個版本僅需3個月，而無晶圓廠則需要6個月）。在工業領域，思力微是星辰最大的競爭對手。汽車領域則主要取決於其能否從A00級汽車轉型為A級汽車。  
Q：國內幾家廠商的車用級晶片參數有哪些差異？答：比亞迪IGBT的4.0平面飽和壓降超過2V，而星芯、思蘭微和中車的溝槽工藝可以達到1.4V-1.6V，平面損耗較大，最終影響輸出功率的差異；以A級車的750V模組為例，思蘭微目前是國內最好的，可以與英飛凌160kW-180kW。中車也能達到160kW，但達不到180kW。星芯的產品推出較早，功率達到140-150kW。比亞迪採用平面製程實現了最高的140kW功率，最終也會反映在輸出功率上。比亞迪晶片技術落後的原因在於：收購寧波中威的工廠是台積電的二手工廠。這條生產線只能生產6吋平面晶片，無法生產溝槽晶片。因此，比亞迪新一代5.0溝槽晶片是在華虹代工的（包括那些標竿英飛凌第七代晶片的6.0晶片，可能也在尋找驅動程式）。  
Q：國內幾家廠商的封裝工藝有何不同？答：車規級封裝產品分為四代：（1）第一代是單側間接水冷：模組採用銅底板，模組下方和散熱器底板塗抹一層導熱矽脂。水從散熱器下方流過，模組不與水直接接觸。這種模組主要用於經濟型解決方案，例如A00、物流車輛等。國內比亞迪、星辰、宏碁等廠商可以大量生產這種封裝模組，從工業級封裝轉換過來也沒有技術難度。 （2）第二代是單側直接水冷：底板上設有散熱齒（針狀鰭片結構），散熱器上開槽，將模組插入槽內，水從下方直接流過，模組與水直接接觸，周圍密封。與上一代相比，散熱效率和功率密度將提升30%以上；此模組主要應用於A00級和A級車，且此方案主要應用於乘用車領域。國內所有廠商都能進行量產。細微的差別在於，星星和中車採用銅基板，而比亞迪則採用鋁矽鈦基板。比亞迪的基板可靠性更高，但散熱性能不如銅基板。他注重可靠性，犧牲了一些性能。 (3) 第三代是雙面散熱：模組的封裝製程由膠水填充改為塑膠密封，兩側均採用間接水冷。散熱方式類似抽屜，模組插入其中；這種模組最初由日本電裝（用於豐田普銳斯）製造。華為大力士等國產汽車也採用了這種雙面水冷方案。海外廠商，如安森美半導體、英飛凌和電堆等，也都採用了這種方案。在中國，比亞迪（始於2016年）和星辰汽車都在進行這項技術，但製程要求相對較高（散熱器模組封裝製程較為複雜，晶片也有特殊要求，需要晶片雙面焊接，因此晶片上表面仍需要電鍍）。國內的比亞迪和星辰汽車距離量產還有一段距離（約一年）；（4）第四代是雙面直冷式水冷：雙面銅底加長針鰭雙面散熱。目前只有日本日立公司能夠量產，並供應給奧迪etron和雷克薩斯等高階車型。中國尚未實現量產，仍處於技術研發階段。  
Q：國內企業現在也從英飛凌採購晶片嗎？ 這四家國內企業與英飛凌之間存在著怎樣的代溝？ 答：目前，Star、Acer 和比亞迪的部分產品仍然使用英飛凌晶片。 Star的外部晶片主要用於工業級IGBT產品。 例如，在電梯、起重機和工業冶金行業，客戶會指定模組可以在中國製造，但內部晶片必須進口（例如，Inovance的客戶蒂森克虜伯，一家德國電梯公司）；還有一些特殊的工業冶煉，這些晶片的頻率非常高，無法在國內生產，因此需要從國外採購晶片；如果英飛凌晶片用於汽車外部零件並自行封裝，價格上就無法與英飛凌競爭；（英飛凌的第七代晶片不向國內設備製造商銷售，只銷售第四代晶片）。國內方面，星辰、思蘭微、中車等廠商，無論主推哪一代產品，實際上都是以英飛凌第四代（溝槽+FS結構）為標桿，目前英飛凌最新的第七代、第五代（第四代的高功率版本）、第六代（第四代的高頻版本）都是在第四代基礎上進行「擠牙膏式」的升壓級迭代，並沒有質量上的飛躍；相較於第四代，第七代縮小了線徑（從5微米到3微米，面積減少了20%），晶片厚度也減薄了（從120微米到80微米，導通壓降會更好），性能也得到了提升（1200V產品的導通壓降從1.7V降至1.4V）。 此外，英飛凌第七代IGBT採用12吋尺寸，面積更小，成本可能只有第四代的一半。 然而，根據英飛凌的國內銷售策略，第七代處理器的價格與第四代處理器相近，大客戶的年降價幅度維持在5%（但第七代處理器的性能優於第四代）；國內的思蘭微電子、中車和星科電子可以量產英飛凌的第四代處理器，比亞迪4.0跑分優於英飛凌2.5代處理器，5.0跑分優於英飛凌第四代處理器；2018年底，英飛凌推出第七代處理器後，由於其良好的性能，國內的思蘭微電子、星科電子和宏碁等廠商都在開發第七代處理器產品。 目前，思蘭微和星辰都有第七代樣品，但距離量產還有很長的路要走。 第七代IGBT的關鍵設備是離子注入機等。 該設備受進口限制。 目前國內華宏、思蘭微電子和吉塔半導體都有這種產品。 除了英飛凌的第七代處理器之外，席蘭微電子也走了另一條路。 效仿日本富士電機，它採用 RC IGBT（將 IGBT 和二極管整合到一個 IC 中，用於汽車），但這種技術尚未實現量產。
問：星空IGBT和華虹之間的關係及進展如何？答：星空和華虹一直以來都是亦敵亦友。 2018年英飛凌缺貨時，這對星空來說是一個絕佳的國產替代機會。星空採取了切斷小客戶、獨家供應大客戶的策略，並在會川啟動了生產（緊急材料到貨迅速）。去年英飛凌的價格是200億元，今年可能達到300億元；缺貨導致的價格上漲非常重要。國產化是一個很好的機會，但華虹當時卻對星空做了壞事。它那一年三次提價，從每片2800元漲到了3500元。因此，2019年星空開始在國內外尋找代工廠，包括中芯國際紹興、日本晶圓廠等。所以星空和華虹的關係可謂既愛又恨。星空自主計畫的IDM產品是1700V高壓IGBT和SiC晶片。這項業務是華虹尚未量產的新產品，不會影響華虹的業務量（12吋晶片是星空半導體1200V以下IGBT晶片）。然而，從整個功率半導體產業的角度來看，大家都想轉向IDM模式。首先是為了控製成本、提高毛利率、擴大市場佔有率；其次是為了提升產品製程能力。星空半導體推廣A級車的策略並不奏效，主要是因為其受限於無晶圓廠模式，追求的是品質和可靠性。未來，星空半導體仍將採用IDM模式。  
Q：思創和星芯半導體的12吋IGBT在下游應用上有什麼不同？答：目前國內12吋產品主要是為了降低廠商成本，但產品本身其實是相同的。 12吋晶圓製程更難控制，晶圓翹曲和開裂的風險更高。特別是減薄後的離子注入工藝，更增加了控制難度。思創和星芯半導體生產的12吋IGBT主要針對英飛凌第四代產品，厚度為120微米。如果要以英飛凌第七代產品為標桿，則需要減薄至80微米，這樣更容易出現翹曲和開裂。思創和星芯半導體的12吋IGBT產品主要應用於工業場景。英飛凌的12吋IGBT產品於2016年和2017年推出，先進入工業生產線，再逐步進入車規應用領域。由於車輛法規不斷變化，生產線上的所有車輛法規都需要重新認證。  
Q：IGBT在電動車中的價值是什麼？答：IGBT在電動車中最有價值的部分是電子控制系統；（1）物流車：採用第一代封裝技術，一般使用1200V 450A的半橋模組。單一模組的價格為300元（中車報價為280元）。一輛車的電子控制系統需要三個模組，單車價值約1,000元；（2）客車：目前採用與物流車相同的封裝方案（第一代）；但不同檔次客車的功率不同。 8米客車使用1200V 600A；客車一般為四輪驅動，前後均有電子控制系統。每個電子控制系統使用3個模組，共使用6個模組。單一模組的價格為450-500元，單車價值約3,000元。功率等級較高的10公尺匯流排採用1200V、800A，單一模組價格為600元，若使用6個，整車價格約為3,600元。 (3) A00等級（小型車）：功率小於80KW，採用第二代封裝（HP1模組），英飛凌模組價格約900元（星牌報價600元）。 (4) A級以上：約15萬輛車型採用單一電控方案，使用第二代直冷式HP Drive模組，英飛凌價格在2,000-1,300元之間（星牌1,000元）；20萬-150,000萬輛一般為四驅，前後各一個電機，進口價格2,600元（國產2,000元）。高階型號：威來ES8（矽基電子控制單元，功率160-180kW，後驅需240kW），一個前驅模組和兩個後驅模組並聯；因此總共需要三個模組，總價3,000-3,900元。 （5）車用OBC：6.6kW慢充IGBT單管，20多個分立元件，總成本不到300元；（6）車用空調：約4kW，採用IPM第一代封裝，價值100元以內；（ 7）電子輔助轉向，功率200,000-20kW，主要採用75A模組，價值200元以內；（8）充電樁：採用半橋工業IGBT進行300,000kW以內的慢充，價值200元以內。未來將實現100kW以上的超快充。對於更高的功率，將採用碳化矽解決方案，成本將呈指數級增長，可能超過1,000元人民幣；
Q：國內主要SiC企業的優勢和劣勢是什麼？答：國內SiC產業鏈尚不完善。在晶圓製造領域，碳化矽二極體可以在國內實現量產。三安光電、瑞能光電和泰科天潤等公司已經實現了SiC二極體的量產。思蘭光電和華潤光電目前尚未實現量產（仍在建造生產線）；SiC MOS的IDM模式還需要更長時間才能實現量產，而發展相對迅速的是無晶圓廠（Fabless）企業，例如展鑫光電和翰鑫光電，它們正在尋求與台灣磊光電進行OEM合作。部分碳化矽MOS已開始在OBC和電源領域實現量產。這主要是因為國內晶圓廠技術尚未成熟（柵極氧化層和晶片減薄技術尚未成熟）。與海外廠商相比，國內廠商的工藝水準落後三年以上。在海外，羅姆公司已經生產第三代溝槽式SiC MOS，而意法半導體的SiC則在特斯拉汽車中大規模生產；就碳化矽（SiC）應用而言，全球市場規模約為6-7億美元。由於成本較高，其應用產業主要分為兩類：第一類是高頻高效率應用場景，例如光伏發電和高端通訊電源。使用SiC二極體取代SiC MOSFET可以降低成本；以SiC二極體取代與IGBT並聯的矽基二極體，既能提高效率又能兼顧成本；第二類是車載應用。 (1)車載充電寶（OBC）主要應用於充電功率較高的高階車型（12kW和22kW以上），並已開始批量使用SiC MOSFET，因為碳化矽具有較高的充電效率、快速充電和余熱回收能力；(2)車載主驅動逆變器主要應用於保時捷Taycan和蔚來ET7等高階車型。較高的效率可以延長電池壽命，且功率密度也較高。售價在20萬至30萬之間的中檔車型，主要是特斯拉Model 3和比亞迪漢，它們都採用了SiC MOS模組。由於特斯拉和比亞迪是垂直整合的汽車製造商（生產電子控制系統、電池和整車），它們能夠清楚地了解性能提升的程度；相對而言，其他汽車公司存在分工，模組製造商無法具體說明使用SiC的優勢（例如降低電池成本），而且IGBT模組的價格也在不斷下降。雖然SiC可以延長電池壽命，但其在散熱方面的優勢尚未充分發揮。散熱優勢可以縮小散熱系統的尺寸，進一步提升其性能。目前特斯拉SiC模組的成本為5,000元，是國內矽基IGBT（1,300-1,500元）的5-8倍，因此國內汽車公司仍在觀望。然而，預計到2023年，碳化矽的成本將降至矽基IGBT成本的三倍。在看到更多優勢後，原始設備製造商（OEM）將會大力推廣使用碳化矽。  
問：比亞迪從誰那裡採購SiC？答：比亞迪採購Cree的模組；英飛凌主要推廣IGBT7，並不積極推廣SiC；因為推廣SiC會縮短其矽基產品的壽命。目前，ROHM和Creat正積極推廣碳化矽（佔全球基板的80%-90%）；
Q：在工業控制和光電領域，國內IGBT廠商的發展如何？答：以創新科技為例，至少需要兩家供應商，工業控制方面一家是星科，另一家是宏碁（創新科技是宏碁的股東）；目前產量最大的是星科；（1）星科去年的IGBT產量為2億，今年的採用規模可能超過3億（整個IGBT採購量約1.5億）；（200）宏碁微的IGBT晶片和封裝在工廠發生重大事故，品質問題相對較大，導致產量無法增加，去年為300萬-30萬；伺服模組去年缺貨，低功耗IPM則引進了思力微。 （40）思力微將增加小批量產量，後續的工業控制模組也將有機會對思力微進行品質驗證；光伏IGBT與工業控制不同，但國內企業對此關注甚少，因為光伏晶片需要高頻，頻率可達50-100K（工業控制僅需10K）。英飛凌有專門針對高頻晶片的研發（國內尚無此類研發）。此外，光電元件對效率要求極高（98%效率），而能夠滿足此要求的海外廠商寥寥無幾。客製化需求高，電路拓樸結構也更為複雜（與傳統元件不同，為了提高效率，功率半導體必須連續堆疊，從而形成更複雜的電路拓樸結構）。客製化需求非常高。同時，也需要大量的電力模組（包括1200V和650V的IGBT以及SiC二極體）；海外廠商主要能供應英飛凌和安森美半導體的產品，而且海外廠商不超過5-6家。國內生產屬於藍海市場，基本無法供應。只有 Star 和 Acer 提供一些單管產品，模組無法大量供應；
Q：Inovance 使用 Silan Micro 的產品狀況如何？答：目前仍然可行。去年，我們曾使用 Silan Micro 的 IPM 模組進行掩模機生產。先前，我們使用的是 ST 的 IPM 模組。目前，Silan Micro 的故障率保持在 3/1000 以下，我們之後會考慮增加 Silan Micro 模組產品的採購量（因為我們的模組採購量一直在增加，而國內只有兩家公司能夠供貨）。 Inovance 內部設定了零件國產化率目標。工業產品 2022 年的國產化率目標為 60%，INVT 2022 年的國產化率目標為 80%。因此，國內電力公司在這方面仍有很大的提升空間。  
Q：Inovance會給Silan Micro多少份額？答：如果我們以在地化率目標為基準，並假設今年採購1.5億件產品，那麼60%的在地化率意味著需要在地化900億件產品，這些份額將分配給2-3家公司。 （可能高達400億件；Macro和Silan Micro各佔200-300億件；）這取決於它們的表現。
Q：SiC二極體在光電領域的應用現況如何？答：光電領域也存在IGBT模組。 IGBT與二極體並聯。目前，SiC二極體正被用來取代IGBT中的矽基FRD二極體。 SiC可顯著降低開關損耗，提高光電逆變器的效率。因此，改用SiC二極體只需略微增加成本，即可獲得巨大的收益；國內SiC二極體主要應用於通訊站點和大型UPS；目前光伏領域的IGBT組件仍由海外廠商壟斷，因此其內部的SiC二極體也主要來自海外。未來，如果星辰和宏碁等廠商開發碳化矽組件，也會考慮在地化生產。  Q：華潤微電子、新捷能源、陽捷和捷捷在IGBT領域的優勢是什麼？答：華潤微電子是這方面的領頭羊；（1）華潤微電子大約在2018年開始生產IGBT，今年營收約100億至2億元，主要來自單管產品，應該沒有模組；（200）新捷能源是純粹的無晶圓廠（Fabless）企業，沒有自己的晶圓廠和模組工廠，難以達到工業和汽車規格（Inovance不會考慮進口），可能主要面向消費級或白色家電應用；（3）捷捷和陽捷有一些SiC二極管樣品，但實際銷量不大，IGBT產品在市場上還不常見，主要應用於焊接機等相對低端的工業控制領域，在高端工業應用領域並不常見。實際上，比亞迪的情況也類似，其IGBT產品也主要集中在焊接機和電磁爐等領域。進入高端產業仍然需要一個累積過程。  
Q：比亞迪半導體其他產品的優點是什麼？答：過去，比亞迪晶片世代存在斷層，導致銷售無法提升，毛利率也相對較低。例如，工業領域的出口銷售額僅50萬（遠不及國內任何一家IGBT企業），主要用於可變焊機等設備。因此，關鍵在於比亞迪今年能否將溝槽型晶片推向逆變器工廠等高端工業領域，並取得汽車等外部客戶的突破。如果今年的出口銷售額仍然只有40萬-50萬，則意味著其晶片尚未實現升級。  
Q：吉利方面表示，思蘭微電子的產品迭代速度非常快，是國內最接近英飛凌的產品。您如何評價？答：確實如此。如果擁有自己的晶圓廠，三個月就能迭代出一個版本；如果沒有晶圓廠，則需要六個月。思蘭微電子的750V晶片可與英飛凌競爭，功率可達160-180kW，其飽和壓降確實是國內最低的。目前，它最大的缺點是整車規格數據相對較晚，基本上沒有數據。在過去兩年汽車市場爆炸式增長的背景下，需要先獲取A00級別的質量數據（例如，飛躍汽車使用的那種，但批量較小，功率在80kW以內，壽命要求也較低），並通過物流車輛運輸來獲取質量數據。國內汽車製造商未來可能會採用其產品。 （從中車的發展路徑中可以了解到，除了業績之外，還有品質的累積）。  
Q：思蘭微積體電路模組的最低起訂量是多少？答：國內市場主要針對白色家電的變頻器模組，年銷量約600-7億片，單價以12-13元計算，國內市場規模約700-800億元，價格和毛利率都相對較低。目前，國內主要由思蘭微和吉林華為兩家廠商生產。星芯科技也開始涉足這一領域，但產量不大，年產量僅數千萬片，因此思蘭微目前是最大的廠商。思蘭微目前主要進口格力、美的產品，進口量非常大，今年可能超過8億片。這是一個本土化、取代安森美半導體（一旦進口，銷量成長潛力巨大）的過程；但是，這類積體電路模組的毛利率不會太高。如果你想提高毛利率，你仍然需要做工業級和汽車級產品（St​​ar 的毛利率超過 40%，因為它只做工業控制級和汽車級產品、風力發電產品以及碳化矽產品，這些產品的毛利率都超過 50%）。
Q：Silan Micro 12吋機型的情況如何？

答：量產始於去年年底。思蘭微電子的12吋MOS產品尚處於早期階段。公司去年生產了1億顆工業級1200V IGBT，今年預計產量可達100億至200億顆。目前，MOS業務預計將實現300億元的營收。

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