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Slkor TIP122 NPN Darlington-Transistor: 100 V 5 A TO-220 Leistungsschalttransistor

I. Kernproduktparameter
Testbedingungen: Umgebungstemperatur bei 25℃
- Kollektor-Basis-Spannung: 100 V
- Kollektor-Emitter-Spannung: 100 V
- Emitter-Basis-Spannung: 5.0V
- Dauerkollektorstrom: 5.0A
- Maximaler Kollektorstrom: 8.0 A
- Basisstrom: 120 mA
- Verlustleistung: 65 W bei einer Gehäusetemperatur von 25 °C; 2.0 W bei einer Umgebungstemperatur von 25 °C
- Wärmewiderstand (Kontakt-Umgebung): 62.5 °C/W; Wärmewiderstand (Kontakt-Gehäuse): 1.92 °C/W
- Betriebstemperaturbereich für Sperrschicht und Lagerung: -65℃ ~ +150℃
- Gleichstromverstärkung: mindestens 1000 (Bedingungen: VCE=3V, IC=0.5A, 3A)
- Kollektor-Emitter-Erhaltungsspannung: 100 V
- Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: maximal 2.0 V (IC=3 A, IB=12 mA); maximal 4.0 V (IC=5 A, IB=20 mA)
- Basis-Emitter-Durchlassspannung: maximal 2.5 V
- Kollektor-Emitter-Abschaltstrom: maximal 0.5 mA
- Kollektor-Basis-Abschaltstrom: maximal 0.2 mA
- Emitter-Basis-Abschaltstrom: maximal 2 mA
- Ausgangskapazität: maximal 200 pF
- Typische Einschaltzeit: 0.4 μS; Typische Ausschaltzeit: 1.2 μS
- Gehäuse: TO-220. Pinbelegung: B – Basis, C – Kollektor, E – Emitter
II. Kernproduktfunktionen
- NPN-Darlington-Leistungstransistor mit einer minimalen Gleichstromverstärkung von 1000. Hohe Kollektorstromausgänge können bei niedrigem Basisstrom erzielt werden.
- Nennspannung 100 V, Dauerkollektorstrom bis zu 5.0 A und Spitzenkollektorstrom bis zu 8.0 A, geeignet für Stromkreise mittlerer Leistung.
- Das TO-220-Gehäuse ermöglicht die einfache Montage von Kühlkörpern zur Verbesserung der Belastbarkeit. Das Gerät erfüllt die RoHS-Konformitätsanforderungen.
- Definierte Ein- und Ausschaltzeitparameter, optimiert für langsame Schaltkreise.
- Breiter Betriebstemperaturbereich und Lagertemperaturbereich, unterstützt Lagerung und Betrieb von -65℃ bis +150℃.
- Vorgegebene Sättigungsspannungswerte. Der Spannungsabfall im Sättigungsbereich ist bei der Schaltungsentwicklung zu berücksichtigen.
III. Hauptanwendungsgebiete
- Universelle Leistungsverstärkerschaltungen zur Signalverstärkung.
- Diverse langsame Schaltkreise zur Last-Ein-/Ausschaltsteuerung.
- Ansteuerschaltungen für Relais und Magnetventile.
- Kleinmotorantriebs- und Steuerschaltungen.
- Leistungssteuergeräte für Industrieanlagen und Haushaltsgeräte.
IV. Empfehlungen für die Konstruktionsplanung
- Leistungsreduzierung: Die Nennleistung ist für Gehäusetemperatur und Umgebungstemperatur separat definiert. Ohne externen Kühlkörper gilt die Nennleistung von 2.0 W bei 25 °C Umgebungstemperatur. Mit Kühlkörper kann die Nennleistung von 65 W bei Gehäusetemperatur herangezogen werden. Bei Temperaturen über 25 °C wird die Leistung reduziert.
- Spannungs- und Stromreserve: Für die tatsächliche Betriebsspannung und den Dauerbetriebsstrom muss eine ausreichende Sicherheitsreserve vorhanden sein. Der Betrieb mit den absoluten Maximalwerten ist nicht zulässig. Spitzenströme sind nur bei kurzzeitigen Impulsen zulässig.
- Wärmemanagement: Für den Betrieb unter hoher Leistung mit dem TO-220-Gehäuse wird ein geeigneter Kühlkörper empfohlen. Die Sperrschichttemperatur sollte unter dem Grenzwert von 150 °C gehalten werden.
- Begrenzung der Schaltgeschwindigkeit: Dieses Gerät ist für Schaltvorgänge mit niedriger Geschwindigkeit ausgelegt und eignet sich nicht für Hochfrequenz- und Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen.
- Berücksichtigung von Abschaltleckströmen: Berücksichtigen Sie bei der Schaltungsentwicklung die Auswirkungen der Abschaltleckströme zwischen Kollektor und Emitter sowie zwischen Kollektor und Basis.
- Pinbelegung: Überprüfen Sie die Pinbelegung vor dem Löten. B steht für Basis, C für Kollektor und E für Emitter. Eine falsche Pinbelegung kann das Bauteil beschädigen.
V. Produktübersicht
Der TIP122 ist ein NPN-Darlington-Leistungstransistor im TO-220-Gehäuse. Er zeichnet sich durch eine Spannungsfestigkeit von 100 V und einen Dauerstrom von 5 A bei hoher Gleichstromverstärkung aus und kann relativ hohe Lasten mit geringem Basisstrom ansteuern. Er eignet sich für allgemeine Verstärker- und langsame Schaltkreise. Für den praktischen Einsatz sind eine geeignete Wärmebehandlung und eine Reduzierung der Leistungsaufnahme erforderlich. Er ist nicht für Hochfrequenzschaltungen ausgelegt. Durch die strikte Einhaltung der Spezifikationen im Datenblatt lässt sich ein langfristig stabiler Betrieb gewährleisten.
Über Slkor:
Slkor hat Forschungs- und Entwicklungsbüros in Busan, Südkorea, Peking, China und Suzhou, China. Die Herstellung, Verpackung und Prüfung der Wafer erfolgt größtenteils in China. Das Unternehmen beschäftigt und arbeitet mit Einzelpersonen und Organisationen weltweit zusammen. Es verfügt über ein Labor für Produktleistungs- und Zuverlässigkeitstests sowie ein zentrales Lager an seinem Hauptsitz in Shenzhen. Slkor hat über hundert Erfindungspatente angemeldet, bietet mehr als 2,000 Produktmodelle an und bedient über zehntausend Kunden weltweit. Seine Produkte werden in Länder und Regionen wie Europa, Amerika, Südostasien und den Nahen Osten exportiert, was es zu einem der am schnellsten wachsenden Halbleiterunternehmen der letzten Jahre macht. Mit gut etablierten Managementsystemen und rationalisierten Arbeitsabläufen hat Slkor die Markenbekanntheit und den Ruf seiner "SLKOR" durch herausragende Qualität und standardisierte Dienstleistungen. Die Produktpalette umfasst drei Hauptserien: Diodes, Transistoren und Leistungsbauelemente, mit der kürzlichen Einführung neuer Produkte wie Hall-Elemente und analoge Geräte, wodurch die Präsenz im Bereich Sensoren, Risc-v-Mikrocontroller und anderen Produktkategorien erweitert wird.




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