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SiC-Bauelemente
Siliziumkarbid SiC ist ein Verbindungshalbleitermaterial, das aus Silizium Si und Kohlenstoff C besteht, üblicherweise in der 4H-SiC-Kristallstruktur. Seine Isolationsdurchbruchfeldstärke ist 10-mal so hoch wie die von Si, die Bandlücke ist 3-mal so groß wie die von Si, die Wärmeleitfähigkeit ist 3-mal so hoch wie die von Si und die Sättigungsdriftgeschwindigkeit ist 2-mal so hoch wie die von Si. Es ist ein gegenüber Si überlegenes Leistungshalbleitermaterial für elektronische Bauelemente.
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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