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TVS-Diode
TVS-Dioden werden zum Schutz elektronischer Bauelemente vor unerwarteten Überspannungen und Spannungsspitzen eingesetzt, die durch statische Elektrizität und Netzschwankungen verursacht werden. Während Gleichrichterdioden und Schottky-Dioden die Durchlasskennlinie der Diode nutzen, verwenden TVS-Dioden die Sperrkennlinie der Diode, ebenso wie die Zenerdiode (ZD). TVS-Dioden reagieren deutlich schneller als Zenerdioden und weisen wesentlich geringere Sperrschichtkapazitätswerte auf.
5.0 SMDJ18A TVS-Diode SMC
VRWM(V)：18V
VBR min(V)：20V
VBR max(V)：22.1V
IR(uA)：1μA
VC(V)：29.2V
Package：SMC
5.0 SMDJ24CA TVS-Diode SMC
VRWM(V)：24V
VBR min(V)：26.7V
VBR max(V)：29.5V
IR(uA)：1μA
VC(V)：38.9V
Package：SMC
5.0 SMDJ28A TVS-Diode SMC
VRWM(V)：28V
VBR min(V)：31.1V
VBR max(V)：34.4V
IR(uA)：1μA
VC(V)：45.4V
Package：SMC
5.0 SMDJ30CA TVS-Diode SMC
VRWM(V)：30V
VBR min(V)：33.3V
VBR max(V)：36.8V
IR(uA)：1μA
VC(V)：48.4V
Package：SMC
5.0 SMDJ33A TVS-Diode SMC
VRWM(V)：33V
VBR min(V)：36.7V
VBR max(V)：40.6V
IR(uA)：1μA
VC(V)：53.3V
Package：SMC
5.0 SMDJ33CA TVS-Diode SMC
VRWM(V)：33V
VBR min(V)：36.7V
VBR max(V)：40.6V
IR(uA)：1μA
VC(V)：53.3V
Package：SMC
5.0 SMDJ36CA TVS-Diode SMC
VRWM(V)：36V
VBR min(V)：40V
VBR max(V)：44.2V
IR(uA)：1μA
VC(V)：58.1V
Package：SMC
5.0 SMDJ43CA TVS-Diode SMC
VRWM(V)：43.0 V
VBR min(V)：47.80 V
VBR max(V)：52.80 V
IR(uA)：1μA
VC(V)：69.4 V
Package：SMC
5.0 SMDJ58A TVS-Diode SMC
VRWM(V)：58V
VBR min(V)：64.4V
VBR max(V)：71.2V
IR(uA)：1μA
VC(V)：93.6V
Package：SMC
5.0 SMDJ58CA TVS-Diode SMC
VRWM(V)：58V
VBR min(V)：64.4V
VBR max(V)：71.2V
IR(uA)：1μA
VC(V)：93.6V
Package：SMC
5.0 SMDJ64CA TVS-Diode SMC
VRWM(V)：64V
VBR min(V)：71.1V
VBR max(V)：78.6V
IR(uA)：1μA
VC(V)：103.0 V
Package：SMC
5.0 SMDJ70CA TVS-Diode SMC
VRWM(V)：70V
VBR min(V)：77.8V
VBR max(V)：86V
IR(uA)：1μA
VC(V)：113V
Package：SMC
GBLC03C-SL TVS-Diode SOD-323
VRWM(V)：3.3V
VBR min(V)：4.0 V
VBR max(V)：6.0 V
IR(uA)：0.1μA
VC(V)：18 V
Package：SOD-323
GBLC03C-SL TVS-Diode SOD-323
VRWM(V)：3.3V
VBR min(V)：4.0 V
VBR max(V)：6.0 V
IR(uA)：0.1μA
VC(V)：6.3 V
Package：SOD-323
GBLC05C-SL TVS-Diode SOD-323
VRWM(V)：5.0V
VBR min(V)：6V
VBR max(V)：8V
IR(uA)：100 nA
VC(V)：16.5 V
Package：SOD-323
GBLC12CB TVS-Diode SOD-323
VRWM(V)：12V
VBR min(V)：13 V
VBR max(V)：17 V
IR(uA)：100 nA
VC(V)：17.5 V
Package：SOD-323
GBLC24CB TVS-Diode SOD-323
VRWM(V)：12V
VBR min(V)：13 V
VBR max(V)：15.5 V
IR(uA)：100μA
VC(V)：18 V
Package：SOD-323
GBLC24CB TVS-Diode SOD-323
VRWM(V)：24V
VBR min(V)：27 V
VBR max(V)：31 V
IR(uA)：100μA
VC(V)：35V
Package：SOD-323
M4SMF12A TVS-Diode SOD-123FL
VRWM(V)：12V
VBR min(V)：13.3V
VBR max(V)：14.7V
IR(uA)：1μA
VC(V)：24 V
Package：SOD-123FL
M4SMF12CA TVS-Diode SOD-123FL
VRWM(V)：12V
VBR min(V)：13.3V
VBR max(V)：14.7V
IR(uA)：1μA
VC(V)：24 V
Package：SOD-123FL
| 18V | 20V | 22.1V | 1μA | 29.2V | SMC | |
| 24V | 26.7V | 29.5V | 1μA | 38.9V | SMC | |
| 28V | 31.1V | 34.4V | 1μA | 45.4V | SMC | |
| 30V | 33.3V | 36.8V | 1μA | 48.4V | SMC | |
| 33V | 36.7V | 40.6V | 1μA | 53.3V | SMC | |
| 33V | 36.7V | 40.6V | 1μA | 53.3V | SMC | |
| 36V | 40V | 44.2V | 1μA | 58.1V | SMC | |
| 43.0 V | 47.80 V | 52.80 V | 1μA | 69.4 V | SMC | |
| 58V | 64.4V | 71.2V | 1μA | 93.6V | SMC | |
| 58V | 64.4V | 71.2V | 1μA | 93.6V | SMC | |
| 64V | 71.1V | 78.6V | 1μA | 103.0 V | SMC | |
| 70V | 77.8V | 86V | 1μA | 113V | SMC | |
| 3.3V | 4.0 V | 6.0 V | 0.1μA | 18 V | SOD-323 | |
| 3.3V | 4.0 V | 6.0 V | 0.1μA | 6.3 V | SOD-323 | |
| 5.0V | 6V | 8V | 100 nA | 16.5 V | SOD-323 | |
| 12V | 13 V | 17 V | 100 nA | 17.5 V | SOD-323 | |
| 12V | 13 V | 15.5 V | 100μA | 18 V | SOD-323 | |
| 24V | 27 V | 31 V | 100μA | 35V | SOD-323 | |
| 12V | 13.3V | 14.7V | 1μA | 24 V | SOD-123FL | |
| 12V | 13.3V | 14.7V | 1μA | 24 V | SOD-123FL |
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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