Bei batteriebetriebenen Geräten wie tragbaren Unterhaltungselektronikgeräten und kleinen intelligenten Endgeräten bestimmen Integrationsgrad, Ladegenauigkeit, Stromverbrauch und Gehäusegröße der Lademanagement-ICs direkt die Ladesicherheit, die Akkulaufzeit und den Miniaturisierungsgrad der Endgeräte. Herkömmliche lineare Ladelösungen benötigen zahlreiche externe Bauteile, weisen eine geringe Integration auf und beanspruchen viel Platz auf der Leiterplatte, wodurch sie sich nur schwer in kompakte Designs für tragbare Produkte integrieren lassen. Der Slkor SL4057 ist ein lineares Ladegerät mit Konstantstrom-/Konstantspannungs-Ladefunktion (CC/CV), das speziell für Lithium-Ionen-Akkus mit einer Zelle entwickelt wurde. Untergebracht in einem miniaturisierten SOT23-6-Gehäuse, integriert er einen On-Chip-Leistungs-MOSFET und eine Sperrschaltung, wodurch externe Messwiderstände und Sperrdioden überflüssig werden. Er unterstützt einen programmierbaren Ladestrom von bis zu 500 mA und verfügt über Temperaturregelung, automatische Wiederaufladung und vielfältige Schutzfunktionen. Dank minimaler externer Bauteile und Kompatibilität mit USB- und Netzteilen ist er eine hochintegrierte Ladelösung für Lithium-Akkus in tragbaren elektronischen Geräten. 1. Kernproduktparameter Gerätetyp: Lineares Ladegerät für Einzelzellen-Lithium-Ionen-Akkus Eingangsspannung (VCC): 4.0 V ~ 6.5 V Ladeschlussspannung: 4.24 V mit ±1 % Genauigkeit Maximal programmierbarer Ladestrom: 500 mA Schwellenspannung für Erhaltungsladung: 2.9 V Ruhestrom im Standby-Modus: 25 μA (typisch) Leckstrom der Batterie im Schlafmodus: ≤1μA Betriebsumgebungstemperaturbereich: -40℃ ~ 85℃ Thermische Regelungsauslöser-Sperrschichttemperatur: 135℃ Gehäuse: SOT23-6 2. Kernproduktvorteile 2.1 Hochintegriertes Design mit minimalen externen Komponenten Der Chip integriert einen Leistungs-MOSFET, eine Strommessschaltung und eine Sperrdiode auf einem Chip, wodurch externe Messwiderstände, Leistungstransistoren und Trennbauelemente überflüssig werden. Dies reduziert die Anzahl externer Bauteile erheblich, spart Platz auf der Leiterplatte und senkt die Gesamtkosten der Lösung. Dadurch eignet er sich besonders für platzsparende, tragbare Elektronik. 2.2 Vollständiges Ladeprofil mit intelligenter Temperaturregelung Es unterstützt einen vollständigen dreistufigen Ladevorgang: Erhaltungsladung, Konstantstromladung und Konstantspannungsladung. Liegt die Batteriespannung unter 2.9 V, wird die Batterie mit niedrigem Strom vorgeladen. Sobald die Spannung den Schwellenwert überschreitet, schaltet das Gerät auf Konstantstrom-Schnellladung um. Bei nahezu vollständiger Ladung wechselt es in den Konstantspannungs-Erhaltungslademodus und beendet den Ladevorgang automatisch, sobald der Strom auf ein Zehntel des eingestellten Wertes abfällt. Ein integrierter thermischer Regelkreis reduziert den Ladestrom automatisch, wenn die Chip-Sperrschichttemperatur 135 °C übersteigt. Dies verhindert Überhitzungsschäden und maximiert gleichzeitig die Laderate – ideal für Anwendungen mit hohem Ladebedarf. 2.3 Hochpräzise Ladespannung mit programmierbarem Ladestrom Dank einer integrierten, hochpräzisen Spannungsreferenz und eines Spannungsteilers erreicht die Ladespannung von 4.24 V eine Genauigkeit von ±1 % und erfüllt somit die Ladeanforderungen von Lithium-Ionen- und Lithium-Polymer-Akkus. Der Ladestrom lässt sich flexibel über einen externen Widerstand am PROG-Pin einstellen und unterstützt bis zu 500 mA. Er kann an verschiedene Akkukapazitäten angepasst werden, um die Ladegeschwindigkeit zu optimieren und bietet somit eine hohe Flexibilität. 2.4 Energiesparender Standby-Modus mit mehreren Schutzmechanismen Der Ruhestrom im Standby-Modus beträgt lediglich 25 µA. Nach dem Abschalten der Eingangsspannung wechselt das Gerät in den Schlafmodus mit einem Batterieleckstrom von unter 1 µA. Dadurch werden Standby-Leistungsverluste effektiv reduziert und die Batterielebensdauer verlängert. Zudem sind mehrere Schutzmechanismen integriert, darunter Unterspannungssperre (UVLO), Begrenzung des Einschaltstroms beim Sanftanlauf, Verpolungsschutz und Unterspannungsschutz. Dies erhöht die Betriebssicherheit des Ladesystems. 2.5 Duale Statusanzeigen mit automatischer Aufladefunktion Ausgestattet mit zwei Open-Drain-Statusausgängen (CHRG und STDBY) zeigt das Gerät verschiedene Betriebszustände wie Ladevorgang, abgeschlossener Ladevorgang und Akkufehler visuell an. Es unterstützt externe LED-Anzeigen oder den Anschluss an einen Host-Controller zur Statusüberwachung. Die integrierte automatische Wiederaufladefunktion überwacht kontinuierlich die Akkuspannung nach dem Ladevorgang und startet automatisch einen neuen Ladezyklus, sobald die Spannung unter den Ladeschwellenwert fällt. So wird der Akku ohne zusätzliche Steuerung nahezu voll geladen gehalten. 2.6 Kompaktes SMD-Gehäuse für tragbare Anwendungen Das Bauteil verwendet das ultrakompakte SOT23-6-Oberflächenmontagegehäuse, zeichnet sich durch eine geringe Stellfläche aus, unterstützt die standardmäßige automatisierte SMT-Bestückung mit gleichbleibender Lötqualität und eignet sich für hochdichte, kompakte Leiterplattenlayouts. Es ist mit den strukturellen Anforderungen verschiedener kleiner tragbarer Elektronikgeräte weitgehend kompatibel. 3. Hauptanwendungsgebiete Dank seiner hohen Integration, minimalen externen Komponenten, hochpräzisen Ladefunktion und umfassenden Schutzfunktionen findet der SL4057 breite Anwendung in verschiedenen tragbaren Produkten, die mit Einzelzellen-Lithiumbatterien betrieben werden: Mobiltelefone, PDAs, MP3/MP4-Player, Digitalkameras, elektronische Wörterbücher, Bluetooth-Headsets, GPS-Navigationsgeräte, tragbare intelligente Terminals und kleine Lithium-Batterieladegeräte. 4. Richtlinien für die Konstruktionsplanung Ladestromkonfiguration : Der Ladestrom wird über einen externen Widerstand zwischen dem PROG-Pin und Masse eingestellt. Der Widerstandswert ist abhängig von der Akkukapazität: 2 kΩ entsprechen 500 mA, 5 kΩ entsprechen 200 mA. Die Parameter für die Modellauswahl entnehmen Sie bitte dem Datenblatt. Auswahl externer Komponenten : Es wird empfohlen, Keramikkondensatoren von 1 μF bis 10 μF am VCC-Eingang und am BAT-Anschluss zu platzieren, um die Versorgungsspannungswelligkeit zu filtern und Ladespannung und -strom zu stabilisieren. Thermische Optimierung : Bei hohen Ladeströmen kann die Wärmeableitungsfläche des Chips durch Kupferflächen auf der Leiterplatte vergrößert werden, um die Dauerladefähigkeit zu verbessern und die Leistungsfähigkeit der Wärmeregelung optimal auszunutzen. Statusanzeige : CHRG und STDBY sind Open-Drain-Ausgänge. Externe Pull-up-Widerstände sind erforderlich. Diese können direkt LEDs ansteuern oder zur Statusabfrage an die I/O-Ports des Mikrocontrollers angeschlossen werden. Schutzfunktionen : Der Chip verfügt über einen integrierten Verpolungsschutz. Die Eingangsspannung darf 6.5 V nicht überschreiten, um Schäden durch Überspannung zu vermeiden. Es wird empfohlen, die Eingangsstromleitungen zu verbreitern, um den Einfluss von Leitungsverlusten auf die Ladegenauigkeit zu verringern. 5. Produktübersicht Der Slkor SL4057 ist ein hochintegrierter, linearer Lade-IC für Lithium-Ionen-Einzelzellen im Miniatur-SOT23-6-Gehäuse. Er integriert Leistungstransistoren und Sensorschaltungen, benötigt nur wenige externe Bauteile und bietet eine Ladespannungsgenauigkeit von ±1 %, einen programmierbaren Ladestrom von 500 mA sowie einen vollständigen dreistufigen Ladevorgang. Dank Temperaturregelung, automatischer Wiederaufladung, zweier Statusanzeigen und umfassender Schutzfunktionen bietet er ein optimales Verhältnis von Ladeleistung, Stromverbrauch und Benutzerfreundlichkeit und eignet sich somit als kostengünstige Ladelösung für diverse tragbare Unterhaltungselektronikgeräte mit Lithium-Ionen-Akkus. Slkor EinführungLaut Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.com) eröffnete am 14. August 2026 feierlich ihren dritten Franchise-Store in Huaqiangbei. Der Store bietet hauptsächlich MOSFETs, Power-Management-ICs, Hall-Elemente, Optokoppler, IGBTs, SiC-Siliziumkarbid-Bauteile, AC/DC-Bauteile, TVS-Dioden, Schottky-Dioden, Thyristoren und andere elektronische Bauteile an.SL4057 Zur Produktseite

In Hochleistungselektroniksystemen wie Industriewechselrichtern, Schweißgeräten, USV-Anlagen, Photovoltaik-Energiespeichern und Induktionsheizgeräten bestimmen Spannungsfestigkeit, Strombelastbarkeit, Wärmeableitung und Zuverlässigkeit über einen weiten Temperaturbereich der Leistungshalbleiter direkt die Gesamteffizienz und Betriebssicherheit der gesamten Anlage. Der Slkor SL50T120FZ ist ein diskreter Hochleistungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) im TO-264-Gehäuse. Er zeichnet sich durch eine hohe Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, einen Dauerstrom von 50 A bei 100 °C Gehäusetemperatur, eine hohe Verlustleistung von 535 W und einen weiten Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C aus. Dank seiner hervorragenden Ausgangsleistung unter hoher Last, geringen Verlusten und überlegenen thermischen Stabilität eignet er sich als hochwertige Alternative für industrielle Hochleistungswandler. 1. Elektrische Kernparameter Gerätetyp: Einzelner IGBT (diskret) Kollektor-Emitter-Spannung (VCE): 1200 V Kollektorstrom (IC bei TC = 100 °C): 50 A Verlustleistung (PD bei TC = 25 °C): 535 W Betriebstemperatur (TJ): -55 °C bis 175 °C Gehäuse: TO-264 2. Kernproduktvorteile 2.1 Hochspannungsfestigkeit bei 1200 V mit ausreichendem Sicherheitsabstand Ausgestattet mit einer hohen Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit von 1200 V unterdrückt der SL50T120FZ effektiv Überspannungen und Spannungsspitzen und reduziert so das Risiko von Geräteausfällen erheblich. Er eignet sich optimal für industrielle Hochleistungsanwendungen mit 380 V AC-Eingangsspannung, erfüllt die strengen Sicherheitsanforderungen von Hochspannungs-Wechselrichtersystemen und bietet eine hervorragende Stoßfestigkeit. 2.2 50A Hoher Dauerstrom für stabilen Schwerlastbetrieb Das Gerät gewährleistet einen kontinuierlichen Kollektorstrom von 50 A selbst bei einer hohen Gehäusetemperatur von 100 °C und zeigt damit ein hervorragendes Hochtemperatur-Stromtragvermögen. Es gewährleistet eine stabile Stromabgabe im Langzeitbetrieb unter Volllast ohne Leistungsreduzierung oder unzureichende Ausgangsleistung und eignet sich somit ideal für den Dauerbetrieb unter hoher Last, beispielsweise in Schweißmaschinen, Frequenzumrichtern und anderen Industrieanlagen. 2.3 TO-264 Hochleistungsgehäuse für hervorragende Wärmeableitung Das Bauteil verwendet das Standard-TO-264-Durchsteck-Leistungsgehäuse mit großflächiger Metall-Kühlplatte, zeichnet sich durch einen geringen Wärmewiderstand aus und kann für eine effiziente Wärmeableitung eng mit externen Kühlkörpern verbunden werden. Mit einer hohen Verlustleistung von 535 W hält es extremen Leistungsverlusten stand, verhindert Wärmestau unter Volllast und verbessert die langfristige Betriebssicherheit des Gesamtsystems deutlich. 2.4 Extrem breiter Temperaturbereich für raue industrielle Umgebungen Mit einem extrem breiten Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C arbeitet die SL50T120FZ sowohl bei extrem niedrigen Außentemperaturen als auch in geschlossenen Gehäusen bei hohen Temperaturen stabil. Sie ist beständig gegen starke Kälte und Temperaturschocks und eignet sich daher optimal für komplexe und raue industrielle Arbeitsumgebungen. 2.5 Optimierte Verlustcharakteristika für höhere Systemeffizienz Durch die Verwendung ausgereifter Trench-Gate-Feldstopptechnologie bietet das Bauelement ein ausgewogenes Verhältnis von geringen Leitungs- und Schaltverlusten und liefert so ein exzellentes Hochgeschwindigkeitsschaltverhalten. Es reduziert effektiv die Wärmeverluste bei der Leistungsumwandlung, verbessert den Gesamtwirkungsgrad der Energieumwandlung und senkt die Kosten für die Wärmeabfuhr im System. 2.6 Zuverlässiger inländischer Ersatz mit stabiler Serienfertigungsqualität Dank Slkors ausgereiftem Massenproduktionsprozess für Leistungshalbleiter zeichnet sich der SL50T120FZ durch gleichbleibende elektrische Parameter und eine hohe Kurzschlussfestigkeit aus. Er bietet Pin-zu-Pin-Kompatibilität mit importierten IGBT-Bauteilen und löst damit effektiv branchenübliche Probleme wie lange Lieferzeiten, unzureichende Verfügbarkeit und hohe Kosten importierter Komponenten. Dadurch eignet er sich ideal für die industrielle Massenproduktion. 3. Hauptanwendungsgebiete Dank der integrierten Vorteile von hoher Spannungsfestigkeit, großer Strombelastbarkeit, ausgezeichneter Wärmeableitung und Stabilität über einen weiten Temperaturbereich findet der Slkor SL50T120FZ breite Anwendung in verschiedenen Hochleistungs-Leistungselektronikgeräten, darunter industrielle Frequenzumrichter, Servoantriebsnetzteile, Inverter-Schweißgeräte, Plasmaschneidanlagen, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Photovoltaik-Wechselrichter, Energiespeicherumrichter, Induktionsheizgeräte, Hochleistungs-Schaltnetzteile, industrielle Motorantriebe und Hochleistungs-Ladesäulen-Netzteile. 4. Richtlinien für die Konstruktionsplanung Spannungsreserve-DesignIn der Praxis sollte ausreichend Spannungsreserve eingeplant werden. Ein dauerhafter Betrieb nahe der maximalen Nennspannung von 1200 V ist zu vermeiden, um Geräteschäden durch Spannungsspitzen zu verhindern. WärmemanagementStatten Sie das TO-264-Gehäuse mit einem ausreichend dimensionierten Kühlkörper aus und tragen Sie Wärmeleitpaste gleichmäßig auf. Überwachen Sie die Gehäuse- und Sperrschichttemperatur während des Langzeitbetriebs unter hoher Leistung, um Überhitzungsschäden zu vermeiden. Torantrieb passendAls spannungsgesteuertes IGBT-Bauelement benötigt es eine angepasste Gate-Ansteuerspannung und einen angepassten Gate-Widerstand, um die Schaltgeschwindigkeit zu optimieren, Schwingungen zu unterdrücken und Schaltverluste sowie elektromagnetische Störungen zu reduzieren. Vorschlag für ParallelbetriebZur Kapazitätserweiterung durch Parallelschaltung sollten Bauteile mit übereinstimmenden Parametern verwendet und eine Stromverteilung implementiert werden. Der positive Temperaturkoeffizient des Sättigungsspannungsabfalls wird genutzt, um eine gleichmäßige Stromverteilung zu gewährleisten. BetriebsgrenzeDie zulässigen Bereiche für Stromstärke, Verlustleistung und Sperrschichttemperatur dürfen nicht überschritten werden. Bei gepulsten Betriebszuständen sind die Pulsbreite und die Wärmeabfuhrbedingungen genau zu beachten. 5. Produktübersicht Der Slkor SL50T120FZ ist ein industrietauglicher, diskreter Hochleistungs-IGBT im TO-264-Gehäuse. Mit einer Spannungsfestigkeit von 1200 V, einer Strombelastbarkeit von 50 A bei hohen Temperaturen, einer Verlustleistung von 535 W und einem extrem breiten Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C vereint er hohe Spannungsfestigkeit, hohe Leistungsfähigkeit bei hohen Temperaturen und unter Volllast, hervorragende Wärmeableitung und geringe Verluste. Er eignet sich ideal für industrielle Wechselrichter, Schweißanwendungen, Energiespeicher und Hochleistungsnetzteile und stellt eine kostengünstige und zuverlässige Alternative für den heimischen Markt dar.Slkor EinführungLaut Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.com) eröffnete am 14. August 2026 feierlich ihren dritten Franchise-Store in Huaqiangbei. Der Store bietet hauptsächlich MOSFETs, Power-Management-ICs, Hall-Elemente, Optokoppler, IGBTs, SiC-Siliziumkarbid-Bauteile, AC/DC-Bauteile, TVS-Dioden, Schottky-Dioden, Thyristoren und andere elektronische Bauteile an.SL50T120FZ Zur Produktseite

Für batteriebetriebene tragbare Elektronikgeräte, IoT-Endgeräte und kleine Haushaltsgeräte stellen berührungslose Magnetschalter hohe Anforderungen an den Standby-Stromverbrauch, die Störfestigkeit der Magnetpole und die Batterielebensdauer. Mechanische Kontaktschalter unterliegen Verschleiß und Oxidation, was zu kurzer Lebensdauer und Fehlauslösungen führt. Der Slkor SL1719SH ist ein S-Pol-sensitiver Mikro-Leistungs-Hallschalter-Sensor im TO-92S-Gehäuse. Er reagiert ausschließlich auf S-Pol-Magnetfelder, zeichnet sich durch einen extrem niedrigen durchschnittlichen Betriebsstrom von 0.9 μA bei intermittierender Abtastung mit 25 Hz und einer maximalen Versorgungsspannung von 5.5 V aus. Dank seines extrem niedrigen Standby-Stromverbrauchs, der gerichteten Magnetpolerkennung und des stabilen Schaltausgangs eignet er sich als kostengünstiger Sensorchip für die berührungslose Positionserfassung und die Öffnungs-/Schließerkennung in batteriebetriebenen Produkten. 1. Elektrische Kernparameter Gerätetyp: Hall-Schalter mit einem S-Pol; Sensorpolarität: Nur S-Pol (wird ausschließlich durch das Magnetfeld des S-Pols ausgelöst); Versorgungsspannung (VDD): 5.5 V; Mittlerer Betriebsstrom (IDD): 0.9 μA; Abtastfrequenz: 25 Hz; Gehäuse: TO-92S 2. Kernproduktvorteile 2.1 Richtungsabhängige S-Pol-Erfassung mit hoher Störfestigkeit Der Chip reagiert ausschließlich auf Magnetfeldsignale mit Südpol; Magnetfelder mit Nordpol lösen keine Aktion aus. Dadurch werden Fehlauslösungen durch Streufelder oder falsch herum eingebaute Magnete effektiv vermieden. Ideal für Systeme mit fester Magnetpolarität, verbessert er die Zuverlässigkeit der Systemerkennung insgesamt. 2.2 Nanoampere-Niveau: Extrem niedriger Stromverbrauch verlängert die Akkulaufzeit Durch den Einsatz eines intermittierenden Schlaf-Wach-Scanmechanismus beträgt der durchschnittliche Betriebsstrom lediglich 0.9 μA. Der extrem niedrige statische Stromverbrauch reduziert den Energieverbrauch batteriebetriebener Geräte erheblich und verlängert die Lebensdauer von Endprodukten mit Trockenbatterien und Lithiumbatterien signifikant. 2.3 25 Hz Langsame Abtastung, optimiert für die Positionserkennung (Öffnen/Schließen) Die Abtastrate von 25 Hz ist für die Statuserkennung bei niedrigen Geschwindigkeiten ausgelegt und erfüllt die Anforderungen für die Erkennung von Öffnungs-/Schließzuständen, Endlagen und Magnetpräsenz. Sie eignet sich nicht für Szenarien mit schnell wechselnden Magnetfeldern und bietet hervorragende Leistung bei Anwendungen mit geringem Stromverbrauch. 2.4 TO-92S Durchsteckgehäuse für einfache Montage und Fehlersuche Das standardmäßige 3-polige TO-92S-Gehäuse mit Durchsteckmontage zeichnet sich durch ausgereifte Lötverfahren, einfaches manuelles Löten und die Massenproduktion von Leiterplatten mit Durchsteckmontage aus. Es kann herkömmliche Reed-Schalter und mechanische Kontaktschalter direkt ersetzen. 2.5 Weitspannungskompatibilität und stabile Ausgangsleistung Die maximale Versorgungsspannung beträgt 5.5 V und ist kompatibel mit Lithium-Akkus sowie 3.3-V- und 5-V-Mikrocontrollersystemen. Die integrierte Temperaturkompensation minimiert die Schaltpunktdrift bei schwankenden Temperaturen. Der CMOS-Push-Pull-Ausgang kann ohne zusätzliche Pull-up-Widerstände direkt an die I/O-Pins des Mikrocontrollers angeschlossen werden. 2.6 Ausgereifte inländische Lösung mit stabiler Versorgung Der in der Serienproduktion erprobte Slkor SL1719SH garantiert gleichbleibende Parameter und exzellenten ESD-Schutz. Er bietet Pin-zu-Pin-Kompatibilität mit vergleichbaren einpoligen S-förmigen Niedrigstrom-Hall-Sensoren aus dem Ausland und reduziert so Probleme wie lange Lieferzeiten und hohe Kosten importierter Komponenten für großvolumige Projekte im Konsumbereich. 3. Hauptanwendungsgebiete Dank seiner Ein-S-Pol-Sensorik, des geringen Stromverbrauchs und der Durchsteckmontage findet der SL1719SH breite Anwendung in batteriebetriebenen Geräten: Öffnungs- und Schließerkennung von Ladecases, magnetisch betätigte Schalter für kleine Haushaltsgeräte, intelligente Türschlösser, Ventilpositionsüberwachung, Wasser-/Gasdurchflussmesser, drahtlose Türmagnetdetektoren, stromsparende IoT-Sensorknoten, Spielzeug-Endpunkterkennung, tragbare Testinstrumente und verschiedene berührungslose Näherungsschalter. 4. Richtlinien für die Konstruktionsplanung Magnet-Pol-AnpassungDieses Gerät reagiert nur auf den Südpol. Stellen Sie sicher, dass der Südpol in der Hardware-Auslegung zur Sensorfläche des Chips zeigt; der Nordpol kann keinen Ausgang auslösen. Überprüfen Sie die Ausrichtung der Magnetbefestigung. Leistungs- und FrequenzmitteilungDer Sensor arbeitet mit intermittierender Abtastung (25 Hz) und dient ausschließlich der Statuserkennung bei niedrigen Geschwindigkeiten. Verwenden Sie ihn nicht bei sich schnell ändernden Magnetfeldern. Netzteil-DesignDie Versorgungsspannung darf 5.5 V nicht überschreiten. Um Störungen im Versorgungsnetz zu unterdrücken, sollte ein Entkopplungskondensator in der Nähe des Versorgungsspannungsanschlusses platziert werden. AusgangsverbindungPush-Pull-Ausgang; ein externer Pull-up-Widerstand ist nicht erforderlich. Zum Auslesen des Pegels direkt an die I/O-Ports des Mikrocontrollers anschließen. Abstand zwischen Magnet und Chip: Stellen Sie den Abstand zwischen Magnet und Sensor so ein, dass eine ausreichende Magnetfeldstärke für eine zuverlässige Auslösung gewährleistet ist. TemperaturbereichBetriebstemperatur: -40 ℃ ~ +85 ℃. Betrieb außerhalb dieses Temperaturbereichs vermeiden. 5. Produktübersicht Der Slkor SL1719SH ist ein einpoliger, energiesparender Hall-Effekt-Schalter im TO-92S-Gehäuse. Er unterstützt eine maximale Versorgungsspannung von 5.5 V, einen extrem niedrigen Betriebsstrom von 0.9 μA und eine Abtastfrequenz von 25 Hz. Da er ausschließlich durch das Magnetfeld des S-Pols ausgelöst wird, zeichnet er sich durch eine hohe Unempfindlichkeit gegenüber Streufeldern und einen extrem niedrigen Stromverbrauch aus. Er eignet sich hervorragend für die berührungslose Öffnungs- und Schließerkennung sowie die Positionserkennung in batteriebetriebenen Geräten und ist ein idealer Ersatz für mechanische Schalter und Reed-Kontakte im Haushalt.Slkor EinführungLaut Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.com) eröffnete am 14. August 2026 feierlich ihren dritten Franchise-Store in Huaqiangbei. Der Store bietet hauptsächlich MOSFETs, Power-Management-ICs, Hall-Elemente, Optokoppler, IGBTs, SiC-Siliziumkarbid-Bauteile, AC/DC-Bauteile, TVS-Dioden, Schottky-Dioden, Thyristoren und andere elektronische Bauteile an.SL1719SH Zur Produktseite

Bei Audiogeräten für Endverbraucher wie Bluetooth-Lautsprechern, tragbaren Abspielgeräten, Laptops und kleinen Haushaltsgeräten mit Sprachausgabe bestimmen Wirkungsgrad, Wärmeentwicklung, Komplexität der Peripherieschaltungen und Spannungsanpassungsfähigkeit der Leistungsverstärkerchips direkt die Klangqualität, die Akkulaufzeit und den Aufwand für das Leiterplattenlayout. Herkömmliche Class-AB-Leistungsverstärker weisen eine hohe Wärmeentwicklung und einen geringen Wirkungsgrad auf, was zahlreiche Peripheriekomponenten erfordert und die Miniaturisierung von Produkten erschwert. Der Slkor PAM8403 ist ein filterloser Class-D-Stereo-Audio-Leistungsverstärker im SOP-16-Gehäuse. Er liefert bis zu 3 W Ausgangsleistung pro Kanal, unterstützt einen weiten Versorgungsspannungsbereich von -0.3 V bis 5.5 V und zeichnet sich durch einen niedrigen Betriebsstrom und einen extrem niedrigen Standby-Strom aus. Dank seines hohen Wirkungsgrads, der geringen Wärmeentwicklung und der minimalen Anzahl an Peripheriekomponenten ist er eine kostengünstige Verstärkerlösung für batteriebetriebene Audiogeräte. 1. Kernproduktparameter Gerätetyp: Stereo-Audio-Leistungsverstärker der Klasse D; Versorgungsspannung (VDD): -0.3 V ~ 5.5 V; Betriebstemperatur (TA): -40 °C ~ 85 °C; Ausgangsleistung (Po) pro Kanal: 3 W; Ruhestrom (IDD): 6.3 mA; Standby-Strom (ISD): 16 μA; Gehäuse: SOP-16 2. Kernproduktvorteile 2.1 Filterfreie Class-D-Architektur vereinfacht Hardware-Design Dank seines proprietären, filterlosen Designs kann der PAM8403 Lautsprecher direkt ansteuern, ohne dass herkömmliche Tiefpassfilter am Ausgang erforderlich sind. Dies reduziert die Anzahl der peripheren Bauteile erheblich, spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte, senkt die Materialkosten und verkürzt die Produktentwicklungszyklen – ideal für den Trend zu leichten und miniaturisierten Audioprodukten. 2.2 Hohe Umwandlungseffizienz und geringe Wärmeentwicklung verlängern die Batterielebensdauer Mit einem maximalen Wirkungsgrad von 90 % reduziert der Chip die Leistungsverluste im Vergleich zu herkömmlichen Class-AB-Verstärkern deutlich. Er erzeugt im Betrieb nur sehr wenig Wärme und benötigt unter den meisten Bedingungen keinen zusätzlichen Kühlkörper. Ideal für tragbare Geräte mit 3.7-V-Lithium-Akkus und 5-V-USB-Anschluss, verbessert er die Akkulaufzeit und die Akkunutzungseffizienz erheblich. 2.3 Breiter Spannungsbereich, kompatibel mit gängigen Stromversorgungssystemen Der Chip unterstützt einen breiten Spannungsbereich von -0.3 V bis 5.5 V und ist somit vollständig kompatibel mit gängigen Stromversorgungsarten wie Lithium-Batterien und USB-5-V-Netzteilen. Dank eines separaten Abschalt-Steuerpins reduziert er den Standby-Strom im Schlafmodus auf nur 16 μA, wodurch der Stromverbrauch im Leerlauf effektiv gesenkt und die Anforderungen an einen geringen Stromverbrauch tragbarer Elektronikgeräte erfüllt werden. 2.4 Geringe Verzerrung und geringes Rauschen für klare Klangqualität Der PAM8403 erzielt extrem niedrige Klirrfaktoren (THD+N) und minimales Rauschen und liefert so einen reinen Stereoklang. Integrierter Kurzschluss- und Überhitzungsschutz verhindern effektiv Schäden am Chip durch anormale Betriebsbedingungen und verbessern dadurch die Stabilität und Lebensdauer von Audiogeräten erheblich. 2.5 Standard SOP-16 Verpackung für die Massenproduktion Das im Standard-SOP-16-SMD-Formfaktor gefertigte Bauteil unterstützt die automatisierte SMT-Bestückung dank ausgereifter Löttechnologie und kompakter Bauweise und eignet sich daher ideal für hochdichte Leiterplattenlayouts. Der Slkor PAM8403 wurde in der Serienproduktion erfolgreich getestet und zeichnet sich durch stabile Parameterkonsistenz und Pin-Kompatibilität mit importierten Chips aus. Er löst die branchenüblichen Probleme langer Lieferzeiten und hoher Kosten importierter Bauteile und gewährleistet eine stabile Versorgung in der Serienproduktion. 3. Hauptanwendungsgebiete Dank seiner umfassenden Stärken wie hoher Effizienz, geringem Stromverbrauch, niedrigem Rauschen und einfachen Peripherieschaltungen findet der Slkor PAM8403 breite Anwendung in verschiedenen Stereo-Audioanwendungen mit geringem Stromverbrauch: tragbare Bluetooth-Lautsprecher, Audioausgabe von Laptops, Soundsysteme für Displays und Fernseher, tragbare DVD-Player, Spielekonsolen, Walkie-Talkie-Freisprecheinrichtungen, Sprachausgabe für kleine Haushaltsgeräte, intelligentes Spielzeug, DIY-Audiomodule, USB-betriebene Mini-Lautsprecher und IoT-Sprachausgabeterminals. 4. Richtlinien für die Konstruktionsplanung StromversorgungsdesignDie maximale Versorgungsspannung von 5.5 V darf nicht überschritten werden. Um Netzstörungen zu unterdrücken und die Audio-Hintergrundrauschensleistung zu optimieren, sollten Entkopplungskondensatoren in der Nähe der Stromversorgungsanschlüsse platziert werden. LastabgleichEmpfohlen für Lautsprecher mit 4 Ω bis 8 Ω. Bei einer Versorgungsspannung von 5 V und einer Last von 4 Ω erreicht es eine stabile Ausgangsleistung von 3 W. AbschaltpinsteuerungDer Shutdown-Pin kann vom Mikrocontroller gesteuert werden, um den Schlafmodus zu aktivieren und so den Standby-Stromverbrauch des Systems im Leerlaufzustand effektiv zu reduzieren. PCB-Layout: Halten Sie die Stromausgangsleitungen kurz und dick. Trennen Sie die Audioeingangsleitungen von den Stromschleifen, um elektromagnetische Störungen und Audiorauschen zu vermeiden. SchutzhinweiseDie integrierten Kurzschluss- und Überhitzungsschutzmechanismen dienen ausschließlich dem Schutz vor Fehlern. Betreiben Sie den Chip nicht unter dauerhaften Kurzschlussbedingungen. TemperaturbereichDer normale Betriebstemperaturbereich liegt zwischen -40℃ und 85℃. Um einen stabilen Betrieb zu gewährleisten, ist ein Betrieb außerhalb des angegebenen Bereichs untersagt. 5. Produktübersicht Der Slkor PAM8403 ist ein im SOP-16-Gehäuse untergebrachter 3-Watt-Zweikanal-Class-D-Audio-Leistungsverstärkerchip mit einem breiten Spannungsbereich (-0.3 V bis 5.5 V), niedrigem Betriebsstrom (6.3 mA), extrem niedrigem Abschaltstrom (16 μA) und einem breiten Temperaturbereich (-40 °C bis 85 °C). Dank seiner filterlosen Architektur, des hohen Wirkungsgrads, der geringen Wärmeentwicklung und der minimalen Anzahl an Peripheriekomponenten bietet er ein optimales Verhältnis von exzellenter Klangqualität und niedrigem Stromverbrauch. Er ist die bevorzugte kostengünstige Alternative für diverse USB- und batteriebetriebene Mini-Stereo-Audiogeräte in der Unterhaltungselektronikbranche.

In Hochfrequenzschaltungen wie drahtloser Kommunikation, Mikrowellenoszillation, HF-Empfang und Kabelfernsehsignalverarbeitung beeinflussen Rauschverhalten, Frequenzbandanpassungsfähigkeit, Signallinearität und parasitäre Parameter der Bauelemente maßgeblich die Signalübertragungsqualität und Betriebsstabilität der gesamten Anlage. Herkömmliche Allzwecktransistoren weisen aufgrund ihres relativ hohen Rauschens und ihrer großen parasitären Sperrschichtparameter eine begrenzte Hochfrequenzleistung auf und sind daher für die Verstärkung schwacher Signale in GHz-Schaltungen ungeeignet. Der Slkor BFR360F ist ein NPN-Silizium-Mikrowellen-HF-Transistor im kompakten SOT-323-SMD-Gehäuse. Optimiert für den Betrieb mit niedrigem Strom bei hohen Frequenzen und kompatibel mit gängigen Gleichstromversorgungen von 3.3 V bis 5 V, findet er breite Anwendung in Hochfrequenzverstärkungs- und Mikrowellenoszillationsschaltungen und eignet sich hervorragend für zivile Hochfrequenz-HF-Schaltungsdesigns. 1. Kernproduktparameter Gerätetyp: NPN-Hochfrequenz-HF-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO): 6 V Kollektorstrom (IC): 35 mA Verlustleistung (PD): 300 mW Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)): 6 V Grenzfrequenz (fT): 12 GHz Gehäuse: SOT-323 2. Kernmerkmale des Produkts 2.1 Hervorragende rauscharme HF-Leistung Das Gerät weist ein Rauschmaß von ca. 1.0 dB bei 1.8 GHz auf und bietet somit eine zuverlässige Rauschunterdrückung. Es reduziert effektiv Hintergrundstörungen in HF-Schaltungen, verstärkt schwache Hochfrequenzsignale deutlich und verbessert die Signalqualität und Empfangsempfindlichkeit von HF-Empfangsschaltungen. Es eignet sich für diverse Anwendungen der präzisen Hochfrequenzsignalverarbeitung. 2.2 Breitbandige Hochfrequenzanpassungsfähigkeit Mit einer Grenzfrequenz von 12 GHz zeichnet sich das Gerät durch ein stabiles Hochfrequenzverhalten aus. Es unterstützt die Signalverstärkung für Schwingkreise bis 4.0 GHz und deckt damit die gängigen zivilen HF- und Mikrowellenfrequenzbänder ab. Es erfüllt vielfältige Schaltungsfunktionen wie Signalverstärkung, Schwingkreisbetrieb und Signalmischung und ist somit für unterschiedlichste Anwendungsszenarien geeignet. 2.3 Stabiles Ausgangssignal mit optimierten elektrischen Eigenschaften Dank geringem Leckstrom und kleiner Sperrschichtkapazität minimiert das Bauteil Signaldämpfung und Phasenabweichung im Hochfrequenzbetrieb. Mit seinem moderaten Dynamikbereich und der guten Stromlinearität gewährleistet es geringe Signalverzerrungen und glatte Ausgangssignale und somit einen stabilen Betrieb von Hochfrequenzschaltungen. 2.4 Kompatibilität mit herkömmlichen Niederspannungssystemen Das Gerät ist für Gleichstromversorgungen mit 3.3 V bis 5 V ausgelegt und entspricht der gängigen Stromversorgungsarchitektur von Unterhaltungselektronik, miniaturisierten drahtlosen Geräten und IoT-Modulen. Mit einem Nennbetriebsstrom von 35 mA eignet es sich für den Dauerbetrieb mit niedrigem Stromverbrauch und unterstützt leichte, energieeffiziente Hochfrequenzschaltungen. 2.5 Miniaturverpackung für die miniaturisierte Massenproduktion Das Bauteil im kompakten SOT-323 SMD-Gehäuse benötigt nur minimalen Platz auf der Leiterplatte und unterstützt die automatisierte SMT-Bestückung mit stabiler Lötleistung für die Massenproduktion. Dank Slkors ausgereiftem Fertigungsprozess bietet es gleichbleibende Parameterwerte und volle Pin-Kompatibilität mit vergleichbaren importierten Bauteilen. Es zeichnet sich durch eine stabile Stromversorgung und ein attraktives Preis-Leistungs-Verhältnis aus. 3. Hauptanwendungsgebiete Dank zuverlässiger Hochfrequenzleistung, geringem Rauschen und stabilem linearem Ausgangssignal findet der Slkor BFR360F breite Anwendung in zivilen Hochfrequenz-Mikrowellenschaltungen. Dazu gehören Signalverstärkungsmodule für Kabelfernsehen, Satellitenfernseh-Empfangs- und -Abstimmungsschaltungen, HF-Einheiten für drahtlose Gegensprechanlagen, Kommunikationsmodule für schnurlose Telefone, Radar-Induktionsschaltungen, Module für drahtlose Fernbedienung und Datenübertragung, RFID-Systeme (Radio Frequency Identification), Signalverstärkungsschaltungen für Glasfaserkommunikation sowie Verstärker, Oszillatoren, Mischer und Detektoren für VHF- und UHF-Bänder. Er eignet sich besonders für kleine, drahtlose Hochfrequenzgeräte mit einer Versorgungsspannung von 3.3 V bis 5 V. 4. Richtlinien für die Konstruktionsplanung Anpassung der BetriebsbedingungenOptimiert für Niederspannungs- und Niedrigstrom-Hochfrequenzanwendungen. Die Auslegung erfolgte strikt gemäß den Nennspannungs-, Strom- und Leistungsspezifikationen, um eine langfristige Betriebsstabilität zu gewährleisten. PCB-Layout-OptimierungHochfrequenzschaltungen reagieren empfindlich auf die Verkabelung. Halten Sie die HF-Ein- und Ausgangsleitungen kurz und übersichtlich und achten Sie auf eine korrekte Impedanzanpassung, um parasitäre Störungen der Hochfrequenzsignale zu minimieren. Netzteil-Rauschunterdrückung: Hochfrequenz-Entkopplungskondensatoren werden in der Nähe der Stromversorgungsanschlüsse eingesetzt, um Störungen der Stromversorgung zu filtern, Übersprechen von digitalen Schaltungen zu unterdrücken und eine reine HF-Signalqualität zu gewährleisten. ESD-SchutzHochfrequente Halbleiterbauelemente sind empfindlich gegenüber statischer Elektrizität. Standardmäßige ESD-Schutzmaßnahmen sind beim Schweißen und Montieren erforderlich, um Funktionsbeeinträchtigungen durch elektrostatische Entladungen zu vermeiden. 5. Produktübersicht Der Slkor BFR360F ist ein NPN-HF-Transistor, der speziell für zivile Hochfrequenzanwendungen entwickelt wurde. Dank seiner Grenzfrequenz von 12 GHz, des geringen Rauschens von 1.0 dB bei 1.8 GHz, der stabilen Stromlinearität und der kleinen Sperrschichtkapazität unterstützt er die Verstärkung und Oszillation von Mikrowellensignalen im 4-GHz-Bereich. Er ist mit Niederspannungsversorgungen von 3.3 V bis 5 V kompatibel und im Miniatur-SOT-323-Gehäuse erhältlich. Dadurch vereint er hervorragende Leistung, kompakte Bauweise und hohe Praktikabilität. Als zuverlässiger Ersatz für herkömmliche HF-Geräte bietet er optimale Anpassungsfähigkeit für miniaturisierte drahtlose Hochfrequenzgeräte und zivile HF-Kleinsignal-Schaltungen.Slkor EinführungLaut Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.com) eröffnete am 14. August 2026 feierlich ihren dritten Franchise-Store in Huaqiangbei. Der Store bietet hauptsächlich MOSFETs, Power-Management-ICs, Hall-Elemente, Optokoppler, IGBTs, SiC-Siliziumkarbid-Bauteile, AC/DC-Bauteile, TVS-Dioden, Schottky-Dioden, Thyristoren und andere elektronische Bauteile an.BFR360F Zur Produktseite

In leistungselektronischen Systemen wie industriellen Motorantrieben, Frequenzumrichtern und kleinen Wechselrichtern beeinflussen die Langlebigkeit, das Schaltverhalten, das Temperaturanstiegsverhalten und die Störfestigkeit von IGBT-Bauelementen direkt die Betriebsstabilität und Lebensdauer der gesamten Anlage. Der Slkor SL15T65FK ist ein diskretes IGBT-Bauelement, das speziell für industrielle Steuerungsanwendungen entwickelt wurde. Im TO-263-Gehäuse bietet er eine Kollektor-Emitter-Spannung von 650 V, einen Dauerkollektorstrom von 15 A bei 100 °C Gehäusetemperatur, eine Nennverlustleistung von 182 W bei 25 °C Umgebungstemperatur und einen weiten Sperrschichttemperaturbereich von -40 °C bis 175 °C. Dank seines positiven Temperaturkoeffizienten der Sättigungsspannung, seiner weichen, schnell rücklaufenden antiparallelen Diode und seiner geringen elektromagnetischen Störfestigkeit eignet er sich für industrielle Anwendungen wie Motorumrichter und stellt eine kostengünstige Lösung für die Leistungsschaltung in industriellen Antriebssystemen mit niedriger und mittlerer Leistung dar. 1. Kernproduktparameter Gerätetyp: Diskretes IGBT-Bauelement (mit eingebauter antiparalleler Diode)Kollektor-Emitter-Spannung (VCE): 650 VKollektorstrom (IC bei TC=100℃): 15 AGesamtverlustleistung (PD bei TC=25℃): 182WBetriebstemperaturbereich der Sperrschicht (TJ): -40℃ ~ 175℃Verpackung: TO-263 2. Kernproduktvorteile 2.1 Hochbelastbares Design für den industriellen Langzeitbetrieb Die Gerätestruktur und der Fertigungsprozess sind für den Dauerbetrieb, beispielsweise in der industriellen Motorsteuerung, optimiert und verbessern die Stoßfestigkeit und die langfristige Betriebssicherheit des Geräts. Es ist für industrielle Arbeitsbedingungen mit häufigen Start-Stopp-Zyklen und Lastschwankungen ausgelegt und gewährleistet so einen dauerhaft stabilen Betrieb der Anlagen. 2.2 Positiver Temperaturkoeffizient von VCE(sat) bei symmetrischer paralleler Stromverteilung Der Sättigungsspannungsabfall weist einen positiven Temperaturkoeffizienten auf, der mit steigender Gerätetemperatur zunimmt. Bei Parallelschaltung mehrerer Geräte kann der Strom jedes einzelnen Geräts automatisch ausgeglichen werden, das Risiko lokaler Überhitzung durch Stromvorspannung reduziert und die Betriebsstabilität von Systemen mit mehreren parallelgeschalteten Geräten verbessert werden. 2.3 Antiparalleldiode mit weicher und schneller Erholung zur Reduzierung der Schaltbelastung Die integrierte antiparallele Diode zeichnet sich durch sanftes Erholungsverhalten und schnelle Erholungsgeschwindigkeit aus. Sie unterdrückt effektiv Spannungsspitzen und Stromstöße während der Sperrerholung, reduziert die Schaltbelastung des Bauelements und minimiert die Verluste im Dioden-Erholungsprozess, wodurch der Gesamtwirkungsgrad der Energieumwandlung verbessert wird. 2.4 Geringe elektromagnetische Störungen für optimierte EMV-Leistung des Systems Durch den schonenden Schaltvorgang lassen sich die di/dt- und dv/dt-Werte im Schaltkreis effektiv reduzieren, die Entstehung elektromagnetischer Störungen verringern, die Schwierigkeit der EMV-Filterung des Systems senken und sich an industrielle Steuerungsszenarien mit hohen Anforderungen an die elektromagnetische Verträglichkeit anpassen. 2.5 Breiter Sperrschichttemperaturbereich für hohe Umweltverträglichkeit Durch die Unterstützung eines Sperrschichttemperaturbereichs von -40℃ bis 175℃ kann es sich an Temperaturschwankungen unter verschiedenen Arbeitsbedingungen anpassen, auch in Umgebungen mit hohem Temperaturanstieg im Inneren des Gehäuses stabil arbeiten und die Anforderungen sowohl des Kaltstarts als auch des Betriebs unter hoher Last bei hohen Temperaturen erfüllen. 2.6 TO-263 SMD-Gehäuse mit hervorragender Wärmeableitung und Montagekompatibilität Durch die Verwendung des TO-263-Oberflächenmontagegehäuses kann die metallische Kühlkörperbasis direkt an der Kühlfläche der Leiterplatte oder einem externen Kühlkörper befestigt werden. Dies gewährleistet kurze Wärmeleitungswege und eine hervorragende Wärmeableitungseffizienz. Gleichzeitig ist das System mit automatisierten SMT-Bestückungsprozessen kompatibel und eignet sich daher für die industrielle Serienfertigung. 3. Hauptanwendungsgebiete Dank seiner Langlebigkeit, hervorragenden Diodeneigenschaften und geringen Störanfälligkeit wird der SL15T65FK hauptsächlich in verschiedenen Motorsteuerungs- und Wechselrichteranwendungen mit niedriger und mittlerer Leistung eingesetzt: industrielle Motorantriebsfrequenzumrichter, Servoantriebe, kleine Wechselrichter-Netzteile, Frequenzumrichter für Haushaltsgeräte, Drehzahlregelungsschaltungen für Elektrowerkzeuge, Photovoltaik-Mikrowechselrichter, USV-Leistungsstufen usw. 4. Richtlinien für die Konstruktionsplanung Spannungsreserve : Es wird empfohlen, in praktischen Anwendungen eine angemessene Spannungsreserve vorzusehen, einen Dauerbetrieb nahe der Nennspannung zu vermeiden und das Risiko von Durchschlägen durch Überspannungen zu reduzieren. Thermisches Design : Das TO-263-Gehäuse muss entsprechend dem tatsächlichen Betriebsstrom und Tastverhältnis mit einem geeigneten Kühlkonzept kombiniert werden, um sicherzustellen, dass die Sperrschichttemperatur des Bauelements im spezifizierten Bereich liegt und die Betriebssicherheit erhöht wird. Ansteuerung : Wählen Sie geeignete Gate-Ansteuerparameter, um ein Gleichgewicht zwischen Schaltgeschwindigkeit und elektromagnetischer Verträglichkeit zu erzielen. Berücksichtigen Sie dabei sowohl die Verluste des Bauelements als auch die EMV-Eigenschaften des Systems. Parallelschaltung : Bei Parallelschaltung mehrerer Bauelemente kann der positive Temperaturkoeffizient genutzt werden. Bauelemente mit guter Parameterkonsistenz sind zu bevorzugen, um eine optimale Stromverteilung zu gewährleisten. Diodenanwendung : Die integrierte antiparallele Diode kann im Freilaufbetrieb eingesetzt werden. Wenn hohe Sperrströme auftreten müssen, sind die Diodenparameter in Kombination mit den tatsächlichen Betriebsbedingungen zu überprüfen. 5. Produktübersicht Der Slkor SL15T65FK ist ein industrietauglicher IGBT im TO-263-Gehäuse. Er zeichnet sich durch eine Spannungsfestigkeit von 650 V, eine Strombelastbarkeit von 15 A bei einer Gehäusetemperatur von 100 °C und eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C aus. Dank seines positiven Temperaturkoeffizienten der Sättigungsspannung, einer schnell rückschaltenden antiparallelen Diode und geringer elektromagnetischer Störungen bietet er eine hervorragende Lebensdauer. Er eignet sich für diverse Anwendungen im Bereich der industriellen Leistungselektronik mit niedriger und mittlerer Leistung, wie beispielsweise Motorumrichter, und ist eine zuverlässige Wahl unter den inländischen Leistungshalbleitern, die ein optimales Verhältnis von Leistung und Kosten bietet. Slkor EinführungLaut Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.com) eröffnete am 14. August 2026 feierlich ihren dritten Franchise-Store in Huaqiangbei. Der Store bietet hauptsächlich MOSFETs, Power-Management-ICs, Hall-Elemente, Optokoppler, IGBTs, SiC-Siliziumkarbid-Bauteile, AC/DC-Bauteile, TVS-Dioden, Schottky-Dioden, Thyristoren und andere elektronische Bauteile an.SL15T65FK Zur Produktseite

In Schaltnetzteilen mit geringer Leistung, Netzteilen für Unterhaltungselektronik, LED-Treibern, Ladegeräten und anderen Schaltungen spielen Gleichrichterdioden eine zentrale Rolle bei der AC/DC-Wandlung und der Sperrung in Sperrrichtung. Spannungsfestigkeit, Leckstrom, Stoßspannungsfestigkeit und Gehäusezuverlässigkeit beeinflussen direkt die Betriebsstabilität und Lebensdauer des Stromversorgungssystems. Die Slkor SM4007PL (Handelsmodell: A7) ist eine universell einsetzbare, kunststoffgekapselte Gleichrichterdiode im Miniatur-SOD-123-Gehäuse. Sie zeichnet sich durch eine Nenn-Spitzensperrspannung von 1000 V, einen durchschnittlichen Durchlassstrom von 1.0 A, geringe Sperrleckströme, hohe Stoßspannungsfestigkeit und Lötbarkeit bei hohen Temperaturen aus. Sie eignet sich für diverse Gleichrichtungsanwendungen mit geringer Leistung und ist eine kostengünstige Lösung für Unterhaltungselektronik und industrielle Hilfsstromversorgungen. 1. Kernproduktparameter Gerätetyp: Universelle, kunststoffgekapselte Gleichrichterdiode Wiederholte Spitzensperrspannung (VRRM): 1000 V DC-Sperrspannung (VDC): 1000 V Durchschnittlicher Vorwärtsgleichrichterstrom (IO(AV), TA=75℃): 1.0A Spitzenstoßstrom (IFSM): 30 A Typische Durchlassspannung (VF, @1.0A): 1.1V Typische Rückwärtserholungszeit (trr): 30 μs Betriebstemperaturbereich der Sperrschicht (TJ): -50℃ ~ +175℃ Verpackung: SOD-123 Kunststoffkapselung 2. Kernmerkmale des Produkts 2.1 1000V Stehspannung für allgemeine Gleichrichtungsszenarien Mit einer Nenn-Sperrspannung von 1000 V erfüllt es die Anforderungen an die Gleichrichtung am Eingang der meisten netzbetriebenen Niederspannungsnetzteile und -adapter. Es kann in verschiedenen Topologien wie Einzeldioden- und Brückengleichrichtung eingesetzt werden und eignet sich für Hochspannungsgleichrichtung am Wechselstromeingang mit einem breiten Anwendungsspektrum. 2.2 Geringe Rückstromverluste zur Reduzierung der Standby-Verluste Das Gerät zeichnet sich durch einen geringen Sperrstrom aus und minimiert die Leckverluste bei Nennsperrspannung. Dadurch wird der Standby-Stromverbrauch von Stromversorgungssystemen reduziert und die Gesamtenergieeffizienz verbessert. Gleichzeitig wird der Anstieg des Leckstroms bei hohen Temperaturen kontrolliert, sodass die Gleichrichterleistung auch in Umgebungen mit hohen Temperaturen gewährleistet ist. 2.3 Hohe Stoßspannungsfestigkeit gegenüber Einschaltströmen Mit einer maximalen Stoßstrombelastbarkeit von 30 A hält es dem Einschaltstrom stand, verringert das Risiko von Geräteschäden durch Anlaufstromspitzen und verbessert die langfristige Betriebssicherheit des gesamten Geräts. 2.4 Zuverlässiges Formgebungsverfahren für die Massenproduktion Dank porenfreier Formgebung erfüllt das Kunststoffgehäuse die Brandschutzklasse UL 94V-0 und bietet hervorragende Sicherheit. Es unterstützt Hochtemperaturlöten bei 250 °C für 10 Sekunden, ist kompatibel mit Standard-Wellenlöt- und Reflow-Lötverfahren und erfüllt relevante Lötbarkeitsstandards. Es eignet sich für die automatisierte SMT-Massenproduktion. Die axiale Anschlusstechnik ermöglicht flexible Montagepositionen, und die kompakte Größe sowie das geringe Gewicht passen ideal zu kompakten Leiterplattenlayouts. 2.5 Breiter Sperrschichttemperaturbereich für hohe Umweltverträglichkeit Durch die Unterstützung eines Sperrschichttemperaturbereichs von -50℃ bis +175℃ passt es sich Temperaturschwankungen in verschiedenen Regionen und Betriebsbedingungen an, erfüllt die Anforderungen sowohl des Kaltstarts als auch des Volllastbetriebs bei hohen Temperaturen und arbeitet stabil in der Unterhaltungselektronik, der industriellen Hilfsstromversorgung und anderen Anwendungsbereichen. 3. Hauptanwendungsgebiete Dank seiner ausgewogenen elektrischen Leistung und der zuverlässigen Qualität des Kunststoffgehäuses findet der SM4007PL (A7) breite Anwendung in verschiedenen Niedrigleistungs-Gleichrichtungsszenarien: Niedrigleistungs-Schaltnetzteile, Netzadapter, Handy-Ladegeräte, LED-Treibernetzteile, Batterieladeschaltungen, Gleichrichtereinheiten für Hausgeräte-Steuerplatinen, Leistungsmodule für Kleingeräte, Signalgleichrichtungsschaltungen, Eingangsgleichrichtung von industriellen Hilfsstromversorgungen usw. 4. Richtlinien für die Konstruktionsplanung Lötspezifikationen : Beachten Sie beim Löten die Hochtemperaturbedingungen von 250 °C für 10 Sekunden. Vermeiden Sie längeres Löten bei hohen Temperaturen, um Beschädigungen des Kunststoffgehäuses und Leistungsveränderungen des Bauteils zu verhindern. Spannungsreserve : Es wird empfohlen, in praktischen Anwendungen eine angemessene Spannungsreserve vorzusehen, einen dauerhaften Betrieb nahe der Nennspannung zu vermeiden und das Risiko von Durchschlägen durch Überspannungen zu reduzieren. Thermisches Design : Bei einer Nennstromstärke von 1.0 A sollte das thermische Design entsprechend dem tatsächlichen Tastverhältnis ausgelegt werden, um sicherzustellen, dass die Sperrschichttemperatur des Bauteils im spezifizierten Bereich liegt und die langfristige Betriebsstabilität verbessert wird. Parallelbetrieb : Bei Parallelschaltung mehrerer Bauteile wird empfohlen, Bauteile mit guter Parameterübereinstimmung auszuwählen und gegebenenfalls Maßnahmen zur Stromverteilung zu ergreifen, um eine gleichmäßige Stromverteilung zu gewährleisten. Lagerung und Handhabung : Da es sich um ein kunststoffgekapseltes Halbleiterbauelement handelt, ist beim Lagern und Montieren auf Schutz vor Feuchtigkeit und mechanischer Belastung zu achten, um Verformungen der Anschlüsse und Beschädigungen des Kunststoffgehäuses zu vermeiden. 5. Produktübersicht Die Slkor SM4007PL (A7) ist eine universell einsetzbare, kunststoffgekapselte Gleichrichterdiode im SOD-123-Gehäuse. Sie zeichnet sich durch eine Sperrspannung von 1000 V, eine Durchlassstromfestigkeit von 1.0 A und eine Stoßstromfestigkeit von 30 A aus. Hinzu kommen ein geringer Sperrstrom, ein zuverlässiges, flammhemmendes Kunststoffgehäuse und ein breiter Betriebstemperaturbereich. Dank ihrer ausgewogenen Parameter und ausgereiften Technologie eignet sie sich für diverse Niederspannungs-Netzteile und Gleichrichterschaltungen und ist somit eine zuverlässige und kostengünstige Option für Anwendungen mit geringer Leistung.Slkor EinführungLaut Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.com) eröffnete am 14. August 2026 feierlich ihren dritten Franchise-Store in Huaqiangbei. Der Store bietet hauptsächlich MOSFETs, Power-Management-ICs, Hall-Elemente, Optokoppler, IGBTs, SiC-Siliziumkarbid-Bauteile, AC/DC-Bauteile, TVS-Dioden, Schottky-Dioden, Thyristoren und andere elektronische Bauteile an.SM4007PL A7 Zur Produktseite

In leistungselektronischen Schaltungen wie Schaltnetzteilen, Netzteilen, Steuergeräten für Haushaltsgeräte und LED-Treibern übernehmen Gleichrichterdioden die zentrale Funktion der Wechselstrom-Gleichstrom-Wandlung. Oberflächenmontierte Bauelemente (SMT) bieten zunehmend Vorteile für die Miniaturisierung und automatisierte Massenproduktion. Die Slkor S2M ist eine universell einsetzbare, oberflächenmontierte Silizium-Gleichrichterdiode im SMA-Gehäuse. Mit ihrem glaspassivierten Chip-Übergang liefert sie eine maximale Sperrspannung von 1000 V und einen durchschnittlichen Gleichstrom von 2 A. Dank geringer Sperrleckströme, hoher Stoßspannungsfestigkeit und der RoHS-konformen, bleifreien Konstruktion eignet sie sich für die SMT-Fertigung mit hoher Packungsdichte und ist eine äußerst zuverlässige Lösung für Anwendungen mit niedriger und mittlerer Leistung. 1. Kernproduktparameter Gerätetyp: Oberflächenmontierte Silizium-Gleichrichterdiode für allgemeine Anwendungen Maximale wiederkehrende Spitzensperrspannung (VRRM): 1000 V Maximale Gleichspannungssperre (VDC): 1000 V Maximaler durchschnittlicher Vorwärtsgleichstrom (IF(AV)): 2 A Spitzenstoßstrom in Vorwärtsrichtung (IFSM, 8.3 ms einzelne Halbsinuswelle): 50 A Durchlassspannung (VF, @2A): 1.1 V Gleichstrom-Sperrstrom (IR, bei 25 °C Nennspannung): 5 μA Typische Sperrschichtkapazität (CJ): 25 pF Wärmewiderstand (RθJA): 65°C/W Betriebstemperaturbereich für Sperrschicht und Lagerung: -55℃ ~ +150℃ Gehäuse: SMA-Oberflächenmontagegehäuse aus Kunststoff 2. Kernproduktvorteile 2.1 Glaspassivierter Chipübergang für stabile und zuverlässige Leistung Durch die Verwendung von Glaspassivierungstechnologie optimiert das Bauelement seine Sperreigenschaften und Hochtemperaturstabilität. Es bietet eine hervorragende Sperrstrombegrenzung, reduziert Leistungsdrift im Langzeitbetrieb, verbessert die kontinuierliche Betriebssicherheit und eignet sich für Gleichrichteranwendungen mit verlängerter Einschaltdauer. 2.2 1000 V Spannungsfestigkeit und 2 A Strombelastbarkeit decken die gängigen Gleichrichteranforderungen ab Mit einer wiederholbaren Spitzensperrspannung von 1000 V und einem durchschnittlichen Durchlassstrom von 2 A erfüllt es die Anforderungen an Brücken- und Einzeldiodengleichrichtung der meisten Offline-Netzteile und -Adapter mit niedriger und mittlerer Leistung. Es eignet sich für Hochspannungsgleichrichtung am Wechselstromeingang und ist in einer Vielzahl von Anwendungsfällen einsetzbar. 2.3 Hohe Stoßspannungsfestigkeit gegenüber Einschaltströmen Es unterstützt einen Spitzenstrom von bis zu 50 A unter 8.3 ms-Halbsinuswellenbedingungen, hält dem Einschaltstrom stand, verringert das Risiko von Geräteschäden durch Anlaufstromspitzen und verbessert die Langzeitstabilität des Gesamtsystems. 2.4 SMA Low-Profile SMD-Gehäuse für die automatisierte Massenproduktion Das flache SMA-Gehäuse für die Oberflächenmontage zeichnet sich durch seine kompakte Bauform aus, spart Platz auf der Leiterplatte und unterstützt hochdichte Schaltungsdesigns. Die Bauform erleichtert die Bestückung, ist mit gängigen SMT-Reflow-Lötverfahren kompatibel und entspricht der EU-RoHS-Richtlinie 2011/65/EU für bleifreie Fertigung. Dadurch eignet es sich für die automatisierte Serienfertigung. 2.5 Breiter Temperaturbereich für hohe Anpassungsfähigkeit an verschiedene Umweltbedingungen Es unterstützt einen Betriebstemperaturbereich von -55℃ bis +150℃, passt sich Temperaturschwankungen in verschiedenen Regionen und Betriebsbedingungen an, erfüllt die Anforderungen sowohl des Kaltstarts als auch des Volllastbetriebs bei hohen Temperaturen und arbeitet stabil in der Unterhaltungselektronik, der industriellen Hilfsstromversorgung und verschiedenen anderen Anwendungsbereichen. 3. Hauptanwendungsgebiete Dank seiner ausgewogenen elektrischen Leistung und der zuverlässigen SMD-Gehäusequalität findet der S2M breite Anwendung in verschiedenen Gleichrichtungsszenarien mit niedriger und mittlerer Leistung: Schaltnetzteile, AC/DC-Netzteile, Batterieladegeräte, LED-Treibernetzteile, Gleichrichtereinheiten für Hausgeräte-Steuerplatinen, Leistungsmodule für Kleingeräte, Eingangsgleichrichtung für industrielle Hilfsstromversorgungen, Signalgleichrichtungsschaltungen und Front-End-Gleichrichtung für Wechselrichter. 4. Richtlinien für die Konstruktionsplanung Lötprozess : Kompatibel mit Standard-Reflow-Lötverfahren. Die Lötparameter sind entsprechend der Temperaturtoleranz des Bauteils einzustellen. Längeres Löten bei Übertemperatur ist zu vermeiden, um Leistungsdrift und Beschädigungen des Gehäuses zu verhindern. Spannungsreserve : Es wird empfohlen, in praktischen Anwendungen eine angemessene Spannungsreserve vorzusehen, einen dauerhaften Betrieb nahe der Nennspannung zu vermeiden und das Risiko von Durchschlägen durch Überspannungen zu reduzieren. Thermisches Design : Das thermische Design sollte auf Basis des tatsächlichen Betriebsstroms, des Tastverhältnisses und der Umgebungstemperatur ausgelegt sein, um sicherzustellen, dass die Sperrschichttemperatur des Bauteils im spezifizierten Bereich bleibt und die langfristige Betriebsstabilität verbessert wird. Lastreduzierung : Für kapazitive Lasten wird eine Reduzierung des Vorwärtsstroms um 20 % empfohlen, um einen sicheren Betrieb des Bauteils zu gewährleisten. Leiterplattenlayout : Die Leiterplatten-Landstrukturen sollten gemäß den empfohlenen Pad-Abmessungen entworfen werden, um eine zuverlässige Lötung und eine gute Wärmeableitung des Bauteils zu gewährleisten. 5. Produktübersicht Die Slkor S2M ist eine 1000-V-2-A-Silizium-Gleichrichterdiode für die Oberflächenmontage im SMA-Gehäuse. Dank der Glaspassivierung des Chipübergangs bietet sie stabile Sperreigenschaften, hohe Stoßspannungsfestigkeit und einen breiten Temperaturbereich. Das flache SMD-Gehäuse ermöglicht die automatisierte Massenproduktion und erfüllt die RoHS-Umweltrichtlinien. Mit ihren ausgewogenen Parametern und der ausgereiften Technologie eignet sie sich für diverse Stromversorgungs- und Gleichrichterschaltungen im niedrigen und mittleren Leistungsbereich und ist somit eine hochwertige Option für den heimischen Markt, die Zuverlässigkeit und Kosten für oberflächenmontierte Gleichrichteranwendungen optimal vereint. Slkor EinführungLaut Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.com) eröffnete am 14. August 2026 feierlich ihren dritten Franchise-Store in Huaqiangbei. Der Store bietet hauptsächlich MOSFETs, Power-Management-ICs, Hall-Elemente, Optokoppler, IGBTs, SiC-Siliziumkarbid-Bauteile, AC/DC-Bauteile, TVS-Dioden, Schottky-Dioden, Thyristoren und andere elektronische Bauteile an.S2M zur Produktseite

In Schaltungsdesigns wie tragbaren Unterhaltungselektronikgeräten, Lithium-Batterieschutz, Schaltern für kleine Lasten und Energiemanagementsystemen mit geringem Stromverbrauch beeinflussen Leitungsverluste, Schaltgeschwindigkeit, Ansteuerkompatibilität und Gehäusegröße von Niedrigleistungs-MOSFETs direkt die Akkulaufzeit und den Miniaturisierungsgrad der Endgeräte. Der Slkor FDV305N ist ein N-Kanal-Trench-Leistungs-MOSFET (TrenchFET) im miniaturisierten SOT-23-SMD-Gehäuse. Er zeichnet sich durch eine Drain-Source-Durchbruchspannung von 20 V und einen Dauerstrom von 0.9 A aus und bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand, eine geringe Gate-Ladung sowie Ansteuerkompatibilität mit niedrigen Spannungen. Er eignet sich für diverse Niederspannungs- und Niedrigleistungsanwendungen und ist eine kostengünstige Lösung für die Leistungsschaltung in tragbaren Elektronikgeräten und kleinen Stromversorgungssystemen. 1. Kernproduktparameter Gerätetyp: N-Kanal-Trench-Leistungs-MOSFET (TrenchFET) Drain-Source-Durchbruchspannung (VDS): 20 V Gate-Source-Spannung (VGS): ±12 V Durchlasswiderstand (RDS(on)): max. 220 mΩ bei VGS = 4.5 V, ID = 0.9 A; max. 300 mΩ bei VGS = 2.5 V, ID = 0.7 A Dauerstrom (ID, TC=25℃): 0.9 A Impulsstrom (IDM): 2.0 A Maximale Verlustleistung (PD, TC=25℃): 0.35 W Gate-Schwellenspannung (VGS(th)): 0.6 V ~ 1.5 V Gesamtgateladung (Qg): typisch 0.8 nC. Maximale Sperrschichttemperatur (TJ): 150℃ Lagertemperaturbereich: -50℃ ~ 155℃ Gehäuse: SOT-23 Oberflächenmontage 2. Kernproduktvorteile 2.1 TrenchFET-Architektur mit geringen Leitungsverlusten Das mit TrenchFET-Prozesstechnologie gefertigte Bauteil bietet optimierte Leitfähigkeit. Mit einem typischen Einschaltwiderstand von nur 170 mΩ bei einer Gate-Ansteuerspannung von 4.5 V reduziert es effektiv die Leistungsverluste im eingeschalteten Zustand, verbessert die Energieumwandlungseffizienz der Schaltung und eignet sich für Niederspannungs- und Niedrigstromanwendungen. 2.2 Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schaltverhalten Das Bauelement zeichnet sich durch eine typische Gate-Ladung von 0.8 nC sowie Schaltverzögerungen und Anstiegs-/Abfallzeiten im Nanosekundenbereich aus. Es ermöglicht hohe Schaltgeschwindigkeiten und geringe dynamische Verluste, unterstützt Hochfrequenz-Schaltvorgänge und erfüllt die Anforderungen an schnelles Schalten in Anwendungen mit geringem Leistungsbedarf und Lastschaltern. 2.3 Kompatibilität von Niederspannungsantrieben für mehrere Steuersignale Mit einer Gate-Schwellenspannung von 0.6 V bis 1.5 V lässt sich das Bauteil bereits bei einer Gate-Spannung von nur 2.5 V vollständig einschalten. Es ist mit verschiedenen Niederspannungs-Steuerspannungen wie 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V und 4.5 V kompatibel und kann direkt von Niederspannungs-Masterchips wie MCUs und PMICs angesteuert werden, wodurch es sich optimal an die Niederspannungs-Systemarchitektur tragbarer Geräte anpasst. 2.4 Miniaturisierte SMD-Gehäuse für die Produktminiaturisierung Das ultrakompakte SOT-23-Oberflächenmontagegehäuse benötigt minimalen Platz auf der Leiterplatte und unterstützt die standardmäßige automatisierte SMT-Bestückung mit gleichbleibender Lötqualität. Es eignet sich für hochdichte, kompakte Schaltungsdesigns und erfüllt die Miniaturisierungsanforderungen tragbarer Elektronikprodukte. 2.5 Geringe Leckströme für reduzierten Standby-Stromverbrauch Sowohl der Drainstrom als auch der Leckstrom am Gate werden auf niedrigem Niveau gehalten, was den statischen Stromverbrauch im Standby-Modus reduziert. Dies ist ideal für batteriebetriebene tragbare Geräte und trägt zur Verlängerung der Akkulaufzeit bei. 3. Hauptanwendungsgebiete Dank seiner Vorteile wie Niederspannungsbetrieb, geringe Verluste und kleines Gehäuse findet der FDV305N breite Anwendung in verschiedenen Niederspannungs- und Niedrigleistungs-Steuerungsszenarien: Lithiumbatterie-Schutzplatinen, Lastschalter für tragbare Geräte, USB-Leistungsschalter, kleine Energiemanagementmodule, tragbare Elektronik, Niedrigleistungs-Steuerschaltungen in der Unterhaltungselektronik und Leistungsschaltschaltungen in batteriebetriebenen Systemen. 4. Richtlinien für die Konstruktionsplanung Ansteuerungsabstimmung : Für optimale Leitfähigkeit wird eine Gate-Ansteuerspannung von 4.5 V empfohlen. Bei Gate-Spannungen von 2.5 V oder darunter ist auf die erhöhten Verluste durch den höheren Einschaltwiderstand zu achten. Prüfen Sie, ob die Strombelastbarkeit den Designanforderungen entspricht. Temperatur-Derating : Führen Sie im praktischen Einsatz ein Strom-Derating basierend auf Umgebungstemperatur, Wärmeabfuhrbedingungen und Tastverhältnis durch. Stellen Sie sicher, dass die Sperrschichttemperatur des Bauelements 150 °C nicht überschreitet, um die langfristige Betriebssicherheit zu gewährleisten. Leiterplattenlayout : Es wird empfohlen, die Leiterbahnen entsprechend zu verbreitern, um die Wärmeabfuhr des Bauelements zu optimieren. Halten Sie die Gate-Ansteuerleiterbahnen kurz, um den Einfluss parasitärer Parameter auf die Schaltgeschwindigkeit zu reduzieren. ESD-Schutz : MOSFETs sind elektrostatisch empfindliche Bauelemente. Standardmäßige ESD-Schutzmaßnahmen müssen während der Produktion, Lagerung und Montage implementiert werden, um elektrostatische Durchschläge am Gate zu vermeiden. Anwendung der Body-Diode : Die integrierte Source-Drain-Body-Diode kann für Freilaufströme mit geringen Strömen verwendet werden. Bei hohen Sperrströmen überprüfen Sie die Diodenparameter entsprechend den tatsächlichen Betriebsbedingungen. 5. Produktübersicht Der Slkor FDV305N ist ein N-Kanal-Trench-MOSFET, der speziell für Anwendungen mit niedriger Spannung und geringem Stromverbrauch entwickelt wurde und in einem miniaturisierten SOT-23-Gehäuse untergebracht ist. Er zeichnet sich durch eine Spannungsfestigkeit von 20 V, eine Strombelastbarkeit von 0.9 A, einen niedrigen Einschaltwiderstand, eine geringe Gate-Ladung und die Kompatibilität mit Niederspannungstreibern aus. Dank seiner ausgewogenen Parameter und seiner kompakten Bauweise eignet er sich hervorragend für Anwendungen wie Batterieschutz, Lastschaltung und Energiemanagement in tragbaren Geräten und ist somit eine kostengünstige Option für den Heimgebrauch in Steuerschaltungen mit geringem Stromverbrauch und niedriger Spannung.Slkor EinführungLaut Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.com) eröffnete am 14. August 2026 feierlich ihren dritten Franchise-Store in Huaqiangbei. Der Store bietet hauptsächlich MOSFETs, Power-Management-ICs, Hall-Elemente, Optokoppler, IGBTs, SiC-Siliziumkarbid-Bauteile, AC/DC-Bauteile, TVS-Dioden, Schottky-Dioden, Thyristoren und andere elektronische Bauteile an.FDV305N Zur Produktseite