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SiC-SCHOTTKY-DIODE
Mit der Hochfrequenz-Schottky-Barrierendiodenstruktur erreicht die SiC-SBD eine hohe Spannung von über 600 V, während die maximale Sperrspannung einer Silizium-SBD nur etwa 200 V beträgt. Darüber hinaus ist ihr Durchlassspannungsabfall deutlich geringer als der der Silizium-Schnellerholungsdiode. Ihre Abschalt-Erholungszeit ist kürzer, wodurch die Abschaltverluste geringer ausfallen und folglich die elektromagnetische Störung (EMI) reduziert wird. Der Einsatz der SiC-SBD als Ersatz für das Mainstream-Produkt Silizium-Schnellerholungsdiode (FRD) kann die Gesamtverluste erheblich reduzieren, die Effizienz der Stromversorgung verbessern und durch Hochfrequenzbetrieb die Miniaturisierung passiver Komponenten wie Induktivitäten und Kondensatoren ermöglichen, wobei die elektromagnetische Störung (EMI) ebenfalls geringer ist. Siliziumkarbid-SBDs können breit in Klimaanlagen, Stromversorgungen, Wechselrichtern in Photovoltaik-Stromerzeugungssystemen, Motorantriebssystemen für Elektrofahrzeuge und Schnellladegeräten eingesetzt werden.
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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