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Schnellerholungsdiode
Die interne Struktur der schnellen Erholungsdiode unterscheidet sich von der gewöhnlichen PN-Übergangsdiode; sie gehört zur PIN-Übergangsdiode, d. h., die Basiszone I wird in der Mitte zwischen dem P-Typ-Siliziummaterial und dem N-Typ-Siliziummaterial eingefügt, um einen PIN-Siliziumwafer zu bilden. Da die Basiszone sehr dünn ist, ist die Sperrverzögerungsladung sehr gering, wodurch die Sperrverzögerungszeit der schnellen Erholungsdiode kürzer ist, der Durchlassspannungsabfall niedriger und die Sperrdurchbruchspannung (Spannungsfestigkeitswert) höher ist.
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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